利用PECVD生長(zhǎng)的氧化硅薄膜具有以下優(yōu)點(diǎn)：1.均勻性和重復(fù)性好，可大面積成膜，適合批量生長(zhǎng)2.可在低溫下成膜,，對(duì)基底要求比較低3.臺(tái)階覆蓋性比較好 4.薄膜成分和厚度容易控制,，生長(zhǎng)方法階段 5.應(yīng)用范圍廣，設(shè)備簡(jiǎn)單,，易于產(chǎn)業(yè)化,。評(píng)價(jià)氧化硅薄膜的質(zhì)量，簡(jiǎn)單的方法是采用BOE腐蝕氧化硅薄膜,，腐蝕速率越慢,，薄膜質(zhì)量越致密，反之,，腐蝕速率越快,，薄膜質(zhì)量越差。另外,，沉積速率的快慢也會(huì)影響到薄膜的質(zhì)量,，沉積速率過(guò)快，會(huì)導(dǎo)致氧化硅薄膜速率過(guò)快,，說(shuō)明薄膜質(zhì)量比較差,。真空鍍膜機(jī)的優(yōu)點(diǎn):可采用屏蔽式進(jìn)行部分鍍鋁，以獲得任意圖案或透明窗口,，能看到內(nèi)裝物,。光學(xué)真空鍍膜儀

磁控濺射一般金屬鍍膜大都采用直流濺鍍,而不導(dǎo)電的陶磁材料則使用RF交流濺鍍,基本的原理是在真空中利用輝光放電(glowdischarge)將氬氣(Ar)離子撞擊靶材(target)表面，電漿中的陽(yáng)離子會(huì)加速?zèng)_向作為被濺鍍材的負(fù)電極表面,，這個(gè)沖擊將使靶材的物質(zhì)飛出而沉積在基板上形成薄膜,。磁控濺射主要利用輝光放電(glowdischarge)將氬氣(Ar)離子撞擊靶材(target)表面,靶材的原子被彈出而堆積在基板表面形成薄膜。濺鍍薄膜的性質(zhì),、均勻度都比蒸鍍薄膜來(lái)的好,但是鍍膜速度卻比蒸鍍慢比較多,。新型的濺鍍?cè)O(shè)備幾乎都使用強(qiáng)力磁鐵將電子成螺旋狀運(yùn)動(dòng)以加速靶材周?chē)臍鍤怆x子化,造成靶與氬氣離子間的撞擊機(jī)率增加,提高濺鍍速率。光學(xué)真空鍍膜儀真空鍍膜離子鍍中不同的蒸發(fā)源與不同的電離或激發(fā)方式可以有多種不同的組合,。

熱氧化與化學(xué)氣相沉積不同,，她是通過(guò)氧氣或水蒸氣擴(kuò)散到硅表面并進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)形成氧化硅。熱氧化形成氧化硅時(shí),，會(huì)消耗相當(dāng)于氧化硅膜厚的45%的硅,。熱氧化氧化過(guò)程主要分兩個(gè)步驟：步驟一：氧氣或者水蒸氣等吸附到氧化硅表面，步驟二：氧氣或者水蒸氣等擴(kuò)散到硅表面,，步驟三：氧氣或者水蒸氣等與硅反應(yīng)生成氧化硅,。熱氧化是在一定的溫度和氣體條件下，使硅片表面氧化一定厚度的氧化硅的,。主要有干法氧化和濕法氧化,，干法氧化是在硅片表面通入氧氣,，硅片與氧化反應(yīng)生成氧化硅，氧化速率比較慢,，氧化膜厚容易控制,。濕法氧化在爐管當(dāng)中通入氧氣和氫氣，兩者反應(yīng)生長(zhǎng)水蒸氣,，水蒸氣與硅片表面反應(yīng)生長(zhǎng)氧化硅,，濕法氧化，速率比較快,，可以生長(zhǎng)比較厚的薄膜,。

真空鍍膜：反應(yīng)磁控濺射法：制備化合物薄膜可以用各種化學(xué)氣相沉積或物理的氣相沉積方法。但目前從工業(yè)大規(guī)模生產(chǎn)的要求來(lái)看,，物理的氣相沉積中的反應(yīng)磁控濺射沉積技術(shù)具有明顯的優(yōu)勢(shì),，因而被普遍應(yīng)用，這是因?yàn)椋悍磻?yīng)磁控濺射所用的靶材料(單元素靶或多元素靶)和反應(yīng)氣體(氧,、氮,、碳?xì)浠衔锏?通常很容易獲得很高的純度，因而有利于制備高純度的化合物薄膜,。反應(yīng)磁控濺射中調(diào)節(jié)沉積工藝參數(shù),，可以制備化學(xué)配比或非化學(xué)配比的化合物薄膜，從而達(dá)到通過(guò)調(diào)節(jié)薄膜的組成來(lái)調(diào)控薄膜特性的目的,。蒸發(fā)物質(zhì)的原子或分子以冷凝方式沉積在基片表面,。

真空鍍膜技術(shù)一般分為兩大類(lèi)，即物理的氣相沉積（PVD）技術(shù)和化學(xué)氣相沉積（CVD）技術(shù),。物理的氣相沉積技術(shù)是指在真空條件下,，利用各種物理方法，將鍍料氣化成原子,、分子或使其離化為離子,，直接沉積到基體表面上的方法。制備硬質(zhì)反應(yīng)膜大多以物理的氣相沉積方法制得,，它利用某種物理過(guò)程,，如物質(zhì)的熱蒸發(fā)，或受到離子轟擊時(shí)物質(zhì)表面原子的濺射等現(xiàn)象,，實(shí)現(xiàn)物質(zhì)原子從源物質(zhì)到薄膜的可控轉(zhuǎn)移過(guò)程,。物理的氣相沉積技術(shù)具有膜/基結(jié)合力好、薄膜均勻致密,、薄膜厚度可控性好,、應(yīng)用的靶材普遍、濺射范圍寬、可沉積厚膜,、可制取成分穩(wěn)定的合金膜和重復(fù)性好等優(yōu)點(diǎn)。真空鍍膜鍍料離子的遷移：由氣化源供出原子,、分子或離子經(jīng)過(guò)碰撞以及高壓電場(chǎng)后,，高速?zèng)_向工件。光學(xué)真空鍍膜儀

真空鍍膜的鍍層質(zhì)量好,。光學(xué)真空鍍膜儀

LPCVD工藝在襯底表面淀積一層均勻的介質(zhì)薄膜,，在微納加工當(dāng)中用于結(jié)構(gòu)層材料、絕緣層,、掩模材料,，LPCVD工藝淀積的材料有多晶硅、氮化硅,、磷硅玻璃,。不同的材料淀積采用不同的氣體。LPCVD反應(yīng)的能量源是熱能,，通常其溫度在500℃-1000℃之間,，壓力在0.1Torr-2Torr以?xún)?nèi)，影響其沉積反應(yīng)的主要參數(shù)是溫度,、壓力和氣體流量,，它的主要特征是因?yàn)樵诘蛪涵h(huán)境下，反應(yīng)氣體的平均自由程及擴(kuò)散系數(shù)變大,，膜厚均勻性好,、臺(tái)階覆蓋性好。目前采用LPCVD工藝制作的主要材料有：多晶硅,、單晶硅,、非晶硅、氮化硅等,。光學(xué)真空鍍膜儀

廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所坐落在長(zhǎng)興路363號(hào),，是一家專(zhuān)業(yè)的面向半導(dǎo)體光電子器件、功率電子器件,、MEMS,、生物芯片等前沿領(lǐng)域，致力于打造***的公益性,、開(kāi)放性,、支撐性樞紐中心。平臺(tái)擁有半導(dǎo)體制備工藝所需的整套儀器設(shè)備,，建立了一條實(shí)驗(yàn)室研發(fā)線(xiàn)和一條中試線(xiàn),，加工尺寸覆蓋2-6英寸（部分8英寸），同時(shí)形成了一支與硬件有機(jī)結(jié)合的專(zhuān)業(yè)人才隊(duì)伍,。平臺(tái)當(dāng)前緊抓技術(shù)創(chuàng)新和公共服務(wù),，面向國(guó)內(nèi)外高校,、科研院所以及企業(yè)提供開(kāi)放共享，為技術(shù)咨詢(xún),、創(chuàng)新研發(fā),、技術(shù)驗(yàn)證以及產(chǎn)品中試提供支持。公司,。一批專(zhuān)業(yè)的技術(shù)團(tuán)隊(duì),，是實(shí)現(xiàn)企業(yè)戰(zhàn)略目標(biāo)的基礎(chǔ)，是企業(yè)持續(xù)發(fā)展的動(dòng)力,。公司業(yè)務(wù)范圍主要包括：微納加工技術(shù)服務(wù),，真空鍍膜技術(shù)服務(wù)，紫外光刻技術(shù)服務(wù),，材料刻蝕技術(shù)服務(wù)等,。公司奉行顧客至上、質(zhì)量為本的經(jīng)營(yíng)宗旨,，深受客戶(hù)好評(píng),。一直以來(lái)公司堅(jiān)持以客戶(hù)為中心、微納加工技術(shù)服務(wù),，真空鍍膜技術(shù)服務(wù),，紫外光刻技術(shù)服務(wù)，材料刻蝕技術(shù)服務(wù)市場(chǎng)為導(dǎo)向,，重信譽(yù),，保質(zhì)量，想客戶(hù)之所想,，急用戶(hù)之所急,，全力以赴滿(mǎn)足客戶(hù)的一切需要。