真空磁控濺射的分類：平面磁控濺射：平衡平面濺射是較常用的平面靶磁控濺射，磁力線有閉合回路且與陰極平行，即在陰極表面構成一個正交的電磁場環(huán)形區(qū)域,。等離子體被束縛在靶表面距離靶面大約60cm的區(qū)域,，通常在基片上加負偏壓來改善膜與基體的結合能力；非平衡平面磁控濺射為了將等離子區(qū)域擴展,，利用磁體擺放方式的調(diào)整,，可以方便的獲得不同的非平衡磁控源。圓柱磁控濺射沉積技術：利用圓柱形磁控陰極實現(xiàn)濺射的技術磁控源是關鍵部分,，陰極在中心位置的叫磁控源,；陽極在中心位置的叫反磁控源。磁控直流濺射法要求靶材能夠將從離子轟擊過程中得到的正電荷傳遞給與其緊密接觸的陰極,。海南單靶磁控濺射流程

真空鍍膜機磁控濺射方式：直流濺射方法用于被濺射材料為導電材料的濺射和反應濺射鍍膜中,，其工藝設備簡單，有較高的濺射速率,。中頻交流磁控濺射在單個陰極靶系統(tǒng)中,，與脈沖磁控濺射有同樣的釋放電荷、防止打弧作用,。中頻交流濺射技術還應用于孿生靶濺射系統(tǒng)中,，中頻交流孿生靶濺射是將中頻交流電源的兩個輸出端，分別接到閉合磁場非平衡濺射雙靶的各自陰極上,，因而在雙靶上分別獲得相位相反的交流電壓,，一對磁控濺射靶則交替成為陰極和陽極。孿生靶濺射技術大幅度提高磁控濺射運行的穩(wěn)定性,，可避免被毒化的靶面產(chǎn)生電荷積累,，引起靶面電弧打火以及陽極消失的問題，濺射速率高,，為化合物薄膜的工業(yè)化大規(guī)模生產(chǎn)奠定基礎,。天津多層磁控濺射分類磁控濺射粉體鍍膜技術已經(jīng)實現(xiàn)了銀包銅粉、銀包鋁粉,、鋁包硅粉等多種微納米級粉體的量產(chǎn),。

磁控濺射技術的應用：主要用于在經(jīng)予處理的塑料,、陶瓷等制品表面蒸鍍金屬薄膜、七彩膜仿金膜等,從而獲得光亮,、美觀,、價廉的塑料,陶瓷表面金屬化制品。普遍應用于工藝美術,、裝璜裝飾,、燈具、家具,、玩具,、酒瓶蓋、女式鞋后跟等領域,，JTPZ多功能鍍膜技術及設備,，針對汽車、摩托車燈具而設計的,，在一個真空室內(nèi)完成蒸發(fā)鍍鋁和射頻等離子體鍍保護膜,，這種鍍膜后燈具具有“三防”功能。射頻等離子體聚合膜還應用于光學產(chǎn)品,、磁記錄介質,、**保護膜；防潮增透膜,；防銹抗腐蝕,；耐磨增硬膜。用戶選擇在燈具基體上噴底漆,、鍍鋁膜,、鍍保護膜或燈具基體在真空室進行前處理、鍍鋁膜,、鍍保護膜工藝,。

真空磁控濺射技術的特點：磁控濺射是由二極濺射基礎上發(fā)展而來，在靶材表面建立與電場正交磁場,，解決了二極濺射沉積速率低,，等離子體離化率低等問題，成為鍍膜工業(yè)主要方法之一,。磁控濺射與其它鍍膜技術相比具有如下特點：可制備成靶的材料廣,，幾乎所有金屬，合金和陶瓷材料都可以制成靶材,；在適當條件下多元靶材共濺射方式,，可沉積配比精確恒定的合金；在濺射的放電氣氛中加入氧,、氮或其它活性氣體,，可沉積形成靶材物質與氣體分子的化合物薄膜；通過精確地控制濺射鍍膜過程,，容易獲得均勻的高精度的膜厚,；通過離子濺射靶材料物質由固態(tài)直接轉變?yōu)榈入x子態(tài)，濺射靶的安裝不受限制,，適合于大容積鍍膜室多靶布置設計,；濺射鍍膜速度快，膜層致密,，附著性好等特點,，很適合于大批量，高效率工業(yè)生產(chǎn),。磁控濺射的技術特點是要在陰極靶面附件產(chǎn)生與電場方向垂直的磁場,，一般采用永久磁鐵實現(xiàn)。

磁控濺射技術發(fā)展過程中各項技術的突破一般集中在等離子體的產(chǎn)生以及對等離子體進行的控制等方面,。通過對電磁場,、溫度場和空間不同種類粒子分布參數(shù)的控制，使膜層質量和屬性滿足各行業(yè)的要求,。膜厚均勻性與磁控濺射靶的工作狀態(tài)息息相關,，如靶的刻蝕狀態(tài)，靶的電磁場設汁等,，因此,，為保證膜厚均勻性，國外的薄膜制備公司或鍍膜設備制造公司都有各自的關于鍍膜設備(包括中心部件“靶”)的整套設計方案,。同時,，還有很多專門從事靶的分析、設計和制造的公司,，并開發(fā)相關的應用設計軟件,，根據(jù)客戶的要求對設備進行優(yōu)化設計。國內(nèi)在鍍膜設備的分析及設計方面與國際先進水平之間還存在較大差距,。磁控濺射是在陰極靶的表面上方形成一個正交電磁場,。海南單靶磁控濺射流程

用磁控靶源濺射金屬和合金很容易，點火和濺射很方便,。海南單靶磁控濺射流程

磁控直流濺射法要求靶材能夠將從離子轟擊過程中得到的正電荷傳遞給與其緊密接觸的陰極,，從而該方法只能濺射導體材料，不適于絕緣材料,。因為轟擊絕緣靶材時,，表面的離子電荷無法中和，這將導致靶面電位升高,，外加電壓幾乎都加在靶上,，兩極間的離子加速與電離的機會將變小,，甚至不能電離，導致不能連續(xù)放電甚至放電停止,，濺射停止,。故對于絕緣靶材或導電性很差的非金屬靶材，須用射頻濺射法（RF）,。濺射過程中涉及到復雜的散射過程和多種能量傳遞過程：入射粒子與靶材原子發(fā)生彈性碰撞,，入射粒子的一部分動能會傳給靶材原子；某些靶材原子的動能超過由其周圍存在的其它原子所形成的勢壘（對于金屬是5-10eV）,，從而從晶格點陣中被碰撞出來,，產(chǎn)生離位原子；這些離位原子進一步和附近的原子依次反復碰撞,，產(chǎn)生碰撞級聯(lián),；當這種碰撞級聯(lián)到達靶材表面時，如果靠近靶材表面的原子的動能大于表面結合能（對于金屬是1-6eV）,，這些原子就會從靶材表面脫離從而進入真空,。海南單靶磁控濺射流程

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