非平衡磁控濺射系統(tǒng)有兩種結(jié)構(gòu),，一種是其芯部磁場(chǎng)強(qiáng)度比外環(huán)高,，磁力線沒有閉合,，被引向真空室壁,，基體表面的等離子體密度低,，因此該方式很少被采用,。另一種是外環(huán)磁場(chǎng)強(qiáng)度高于芯部磁場(chǎng)強(qiáng)度,，磁力線沒有完全形成閉合回路,，部分外環(huán)的磁力線延伸到基體表面,，使得部分二次電子能夠沿著磁力線逃逸出靶材表面區(qū)域,，同時(shí)再與中性粒子發(fā)生碰撞電離，等離子體不再被完全限制在靶材表面區(qū)域,，而是能夠到達(dá)基體表面,，進(jìn)一步增加鍍膜區(qū)域的離子濃度，使襯底離子束流密度提高,，通?？蛇_(dá)5mA/cm2以上。這樣濺射源同時(shí)又是轟擊基體表面的離子源,，基體離子束流密度與靶材電流密度成正比,，靶材電流密度提高，沉積速率提高,，同時(shí)基體離子束流密度提高,，對(duì)沉積膜層表面起到一定的轟擊作用。相較于蒸發(fā)鍍膜,，真空磁控濺射鍍膜的膜更均勻,。山西射頻磁控濺射過程

真空磁控濺射鍍膜技術(shù)所鍍玻璃多用于建筑玻璃和汽車玻璃這兩大用處。一般來說這些介質(zhì)膜多是氧化鋅,、二氧化錫,、二氧化鈦、二氧化硅之類的可鍍于玻璃上,。真空磁控濺射鍍膜技術(shù)在車窗玻璃上的用處,。用真空磁控濺射鍍膜設(shè)備可在車窗玻璃鍍涂二氧化鈦，這個(gè)鍍層可以賦予車窗自清潔效果,，有一定的防霧,、防露水的效用。磁控濺射工藝的主要優(yōu)點(diǎn)是可以使用反應(yīng)性或非反應(yīng)性鍍膜工藝來沉積這些材料的膜層,，并且可以很好地控制膜層成分,、膜厚、膜厚均勻性和膜層機(jī)械性能等,。天津共濺射磁控濺射工藝磁控濺射就是在外加電場(chǎng)的兩極之間引入一個(gè)磁場(chǎng),。

直流濺射的結(jié)構(gòu)原理：真空室中裝有輝光放電的陰極,，靶材就裝在此極表面上，接受離子轟擊,；安裝鍍膜基片或工件的樣品臺(tái)以及真空室接地,，作為陽極。操作時(shí)將真空室抽至高真空后,，通入氬氣,，并使其真空度維持在1.0Pa左右，再加上2-3kV的直流電壓于兩電極之上,，即可產(chǎn)生輝光放電,。此時(shí)，在靶材附近形成高密度的等離子體區(qū),，即負(fù)輝區(qū)該區(qū)中的離子在直流電壓的加速下轟擊靶材即發(fā)生濺射效應(yīng),。由靶材表面濺射出來的原子沉積在基片或工件上，形成鍍層,。

談到磁控濺射,，首先就要說濺射技術(shù)。濺射技術(shù)是指使得具有一定能量的粒子轟擊材料表面,，使得固體材料表面的原子或分子分離,，飛濺落于另一物體表面形成鍍膜的技術(shù)。被粒子轟擊的材料稱為靶材,，而被鍍膜的固體材料稱為基片,。首先由極板發(fā)射出粒子，這些粒子一般是電子,，接著使它們?cè)谕怆妶?chǎng)加速下與惰性氣體分子一般是氬氣分子（即Ar原子）碰撞,，使得其電離成Ar離子和二次電子。Ar離子會(huì)受到電場(chǎng)的作用,，以高速轟擊靶材,，使靶材表面原子或分子飛濺出去，落于基片表面沉積下來形成薄膜,。真空磁控濺射鍍膜特別適用于反應(yīng)沉積鍍膜,。

物相沉積技術(shù)是指在真空條件下采用物理方法將材料源表面氣化成氣態(tài)原子或分子，或部分電離成離子,，并通過低壓氣體過程,，在基體表面沉積具有某種特殊功能的薄膜的技術(shù)，物相沉積是主要的表面處理技術(shù)之一,。PVD鍍膜技術(shù)主要分為三類：真空蒸發(fā)鍍膜,、真空濺射鍍膜和真空離子鍍膜。物相沉積的主要方法有：真空蒸鍍,、濺射鍍膜,、電弧等離子體鍍膜、離子鍍膜和分子束外延等,。相應(yīng)的真空鍍膜設(shè)備包括真空蒸發(fā)鍍膜機(jī),、真空濺射鍍膜機(jī)和真空離子鍍膜機(jī)。隨著沉積方法和技術(shù)的提升,，物相沉積技術(shù)不只可沉積金屬膜,、合金膜、還可以沉積化合物,、陶瓷,、半導(dǎo)體、聚合物膜等,。物相沉積技術(shù)早在20世紀(jì)初已有些應(yīng)用,，但30年迅速發(fā)展成為一門極具廣闊應(yīng)用前景的新技術(shù)，并向著環(huán)保型,、清潔型趨勢(shì)發(fā)展,。在鐘表行業(yè)，尤其是高級(jí)手表金屬外觀件的表面處理方面達(dá)到越來越為普遍的應(yīng)用,。在各種濺射鍍膜技術(shù)中,，磁控濺射技術(shù)是較重要的技術(shù)之一。安徽雙靶材磁控濺射過程

非平衡磁控濺射的磁場(chǎng)有邊緣強(qiáng),，也有中部強(qiáng),，導(dǎo)致濺射靶表面磁場(chǎng)的“非平衡”。山西射頻磁控濺射過程

磁控濺射的基本原理是利用Ar一O2混合氣體中的等離子體在電場(chǎng)和交變磁場(chǎng)的作用下,，被加速的高能粒子轟擊靶材表面,，能量交換后，靶材表面的原子脫離原晶格而逸出,，轉(zhuǎn)移到基體表面而成膜,。磁控濺射的特點(diǎn)是成膜速率高，基片溫度低,，膜的粘附性好,，可實(shí)現(xiàn)大面積鍍膜。該技術(shù)可以分為直流磁控濺射法和射頻磁控濺射法,。磁控濺射設(shè)備一般根據(jù)所采用的電源的不同又可分為直流濺射和射頻濺射兩種,。直流磁控濺射的特點(diǎn)是在陽極基片和陰極靶之間加一個(gè)直流電壓，陽離子在電場(chǎng)的作用下轟擊靶材,，它的濺射速率一般都比較大,。但是直流濺射一般只能用于金屬靶材，因?yàn)槿绻墙^緣體靶材,，則由于陽粒子在靶表面積累,，造成所謂的“靶中毒”,，濺射率越來越低。山西射頻磁控濺射過程

廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所一直專注于面向半導(dǎo)體光電子器件,、功率電子器件,、MEMS、生物芯片等前沿領(lǐng)域,，致力于打造***的公益性,、開放性、支撐性樞紐中心,。平臺(tái)擁有半導(dǎo)體制備工藝所需的整套儀器設(shè)備,，建立了一條實(shí)驗(yàn)室研發(fā)線和一條中試線，加工尺寸覆蓋2-6英寸（部分8英寸）,，同時(shí)形成了一支與硬件有機(jī)結(jié)合的專業(yè)人才隊(duì)伍,。平臺(tái)當(dāng)前緊抓技術(shù)創(chuàng)新和公共服務(wù)，面向國(guó)內(nèi)外高校,、科研院所以及企業(yè)提供開放共享,，為技術(shù)咨詢、創(chuàng)新研發(fā),、技術(shù)驗(yàn)證以及產(chǎn)品中試提供支持,。，是一家電子元器件的企業(yè),，擁有自己**的技術(shù)體系,。公司目前擁有較多的高技術(shù)人才，以不斷增強(qiáng)企業(yè)重點(diǎn)競(jìng)爭(zhēng)力,，加快企業(yè)技術(shù)創(chuàng)新,，實(shí)現(xiàn)穩(wěn)健生產(chǎn)經(jīng)營(yíng)。公司業(yè)務(wù)范圍主要包括：微納加工技術(shù)服務(wù),，真空鍍膜技術(shù)服務(wù),，紫外光刻技術(shù)服務(wù)，材料刻蝕技術(shù)服務(wù)等,。公司奉行顧客至上,、質(zhì)量為本的經(jīng)營(yíng)宗旨，深受客戶好評(píng),。公司深耕微納加工技術(shù)服務(wù),，真空鍍膜技術(shù)服務(wù)，紫外光刻技術(shù)服務(wù),，材料刻蝕技術(shù)服務(wù),，正積蓄著更大的能量，向更廣闊的空間、更寬泛的領(lǐng)域拓展,。