磁控濺射是由二極濺射基礎上發(fā)展而來,，在靶材表面建立與電場正交磁場，解決了二極濺射沉積速率低,，等離子體離化率低等問題,，成為鍍膜工業(yè)主要方法之一。磁控濺射與其它鍍膜技術相比具有如下特點：可制備成靶的材料廣,，幾乎所有金屬,，合金和陶瓷材料都可以制成靶材；在適當條件下多元靶材共濺射方式,，可沉積配比精確恒定的合金,；在濺射的放電氣氛中加入氧、氮或其它活性氣體,，可沉積形成靶材物質與氣體分子的化合物薄膜,；通過精確地控制濺射鍍膜過程，容易獲得均勻的高精度的膜厚,；通過離子濺射靶材料物質由固態(tài)直接轉變?yōu)榈入x子態(tài),，濺射靶的安裝不受限制，適合于大容積鍍膜室多靶布置設計,；濺射鍍膜速度快,，膜層致密,，附著性好等特點，很適合于大批量,，高效率工業(yè)生產,。磁控濺射通過在靶陰極表面引入磁場，利用磁場對帶電粒子的約束來提高等離子體密度以增加濺射率,。江蘇反應磁控濺射儀器

脈沖磁控濺射的分類：（1）單向脈沖：單向脈沖正電壓段的電壓為零!濺射發(fā)生在負電壓段,。由于零電壓段靶表面電荷中和效果不明顯。（2）,、雙向脈沖：雙向脈沖在一個周期內存在正電壓和負電壓兩個階段,，在負電壓段，電源工作于靶材的濺射,，正電壓段,，引入電子中和靶面累積的正電荷，并使表面清潔,，裸露出金屬表面,。雙向脈沖更多地用于雙靶閉合式非平衡磁控濺射系統(tǒng)，系統(tǒng)中的兩個磁控靶連接在同一脈沖電源上,，兩個靶交替充當陰極和陽極,。陰極靶在濺射的同時，陽極靶完成表面清潔,，如此周期性地變換磁控靶極性,，就產生了“自清潔”效應。河北脈沖磁控濺射技術磁控濺射目前是一種應用十分普遍的薄膜沉積技術,。

高速率磁控濺射本質特點是產生大量的濺射粒子,，導致較高的沉積速率。實驗表明在較大的靶源密度在高速濺射,，靶的濺射和局部蒸發(fā)同時發(fā)生,，兩種過程的結合保證了較大的沉積速率（幾μm/min）并導致薄膜的結構發(fā)生變化。與通常的磁控濺射比較,，高速濺射和自濺射的特點在于較高的靶功率密度Wt=Pd/S>50Wcm-2,，（Pd為磁控靶功率，S為靶表面積）,。高速濺射有一定的限制,，因此在特殊的環(huán)境才能保持高速濺射，如足夠高的靶源密度,，靶材足夠的產額和濺射氣體壓力,，并且要獲得較大氣體的離化率。較大限制高速沉積薄膜的是濺射靶的冷卻。

磁控濺射靶材鍍膜過程中,，影響靶材鍍膜沉積速率的因素：濺射電流：磁控靶的濺射電流與濺射靶材表面的離子電流成正比,，因此也是影響濺射速率的重要因素。磁控濺射有一個普遍規(guī)律,，即在較佳氣壓下沉積速度較快,。因此，在不影響薄膜質量和滿足客戶要求的前提下,，從濺射良率考慮氣體壓力的較佳值是合適的,。改變?yōu)R射電流有兩種方法：改變工作電壓或改變工作氣體壓力。濺射功率：濺射功率對沉積速率的影響類似于濺射電壓,。一般來說,，提高磁控靶材的濺射功率可以提高成膜率。然而,這并不是一個普遍的規(guī)則,。在磁控靶材的濺射電壓低,，濺射電流大的情況下，雖然平均濺射功率不低,，但離子不能被濺射,，也不能沉積。前提是要求施加在磁控靶材上的濺射電壓足夠高,，使工作氣體離子在陰極和陽極之間的電場中的能量足夠大于靶材的"濺射能量閾值"。高能脈沖磁控濺射技術是利用較高的脈沖峰值功率和較低的脈沖占空比來產生濺射的一種磁控濺射技術,。

磁控濺射的濺射技術：直流磁控濺射技術：為了解決陰極濺射的缺陷,，人們在20世紀70年發(fā)出了直流磁控濺射技術，它有效地克服了陰極濺射速率低和電子使基片溫度升高的弱點,，因而獲得了迅速發(fā)展和普遍應用,。其原理是：在磁控濺射中，由于運動電子在磁場中受到洛侖茲力,，它們的運動軌跡會發(fā)生彎曲甚至產生螺旋運動,，其運動路徑變長，因而增加了與工作氣體分子碰撞的次數,，使等離子體密度增大,，從而磁控濺射速率得到很大的提高，而且可以在較低的濺射電壓和氣壓下工作,，降低薄膜污染的傾向,；另一方面也提高了入射到襯底表面的原子的能量，因而可以在很大程度上改善薄膜的質量,。同時,，經過多次碰撞而喪失能量的電子到達陽極時，已變成低能電子，從而不會使基片過熱,。因此磁控濺射法具有“高速,、“低溫”的優(yōu)點。磁控濺射是在陰極靶的表面上方形成一個正交電磁場,。福建平衡磁控濺射特點

相較于蒸發(fā)鍍膜,，真空磁控濺射鍍膜的膜更均勻。江蘇反應磁控濺射儀器

磁控濺射的工藝研究：1,、磁場：用來捕獲二次電子的磁場必須在整個靶面上保持一致,，而且磁場強度應當合適。磁場不均勻就會產生不均勻的膜層,。磁場強度如果不適當,，那么即使磁場強度一致也會導致膜層沉積速率低下，而且可能在螺栓頭處發(fā)生濺射,。這就會使膜層受到污染,。如果磁場強度過高，可能在開始的時候沉積速率會非常高,，但是由于刻蝕區(qū)的關系,，這個速率會迅速下降到一個非常低的水平。同樣,，這個刻蝕區(qū)也會造成靶的利用率比較低,。2、可變參數：在濺射過程中,，通過改變改變這些參數可以進行工藝的動態(tài)控制,。這些可變參數包括:功率、速度,、氣體的種類和壓強,。江蘇反應磁控濺射儀器

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