真空鍍膜技術初現(xiàn)于20世紀30年代,，四五十年代開始出現(xiàn)工業(yè)應用，工業(yè)化大規(guī)模生產開始于20世紀80年代,，在電子,、宇航、包裝,、裝潢,、燙金印刷等工業(yè)中取得普遍的應用。真空鍍膜是指在真空環(huán)境下,，將某種金屬或金屬化合物以氣相的形式沉積到材料表面(通常是非金屬材料),，屬于物理的氣相沉積工藝。因為鍍層常為金屬薄膜,，故也稱真空金屬化,。廣義的真空鍍膜還包括在金屬或非金屬材料表面真空蒸鍍聚合物等非金屬功能性薄膜。在所有被鍍材料中,，以塑料較為常見,，其次，為紙張鍍膜,。相對于金屬,、陶瓷、木材等材料,，塑料具有來源充足,、性能易于調控、加工方便等優(yōu)勢,，因此種類繁多的塑料或其他高分子材料作為工程裝飾性結構材料,，大量應用于汽車、家電,、日用包裝,、工藝裝飾等工業(yè)領域。但塑料材料大多存在表面硬度不高,、外觀不夠華麗,、耐磨性低等缺陷，如在塑料表面蒸鍍一層極薄的金屬薄膜,，即可賦予塑料程亮的金屬外觀,，合適的金屬源還可增加材料表面耐磨性能，拓寬了塑料的裝飾性和應用范圍,。各種真空鍍膜技術都需要一個特定的真空環(huán)境,。鹽城納米涂層真空鍍膜

真空鍍膜：技術優(yōu)點：鍍層質量好：離子鍍的鍍層組織致密、無小孔,、無氣泡,、厚度均勻,。甚至棱面和凹槽都可均勻鍍復，不致形成金屬瘤,。象螺紋一類的零件也能鍍復,，有高硬度、高耐磨性（低摩擦系數(shù)）,、很好的耐腐蝕性和化學穩(wěn)定性等特點,，膜層的壽命更長；同時膜層能夠大幅度提高工件的外觀裝飾性能,。清洗過程簡化：現(xiàn)有鍍膜工藝，多數(shù)均要求事先對工件進行嚴格清洗,，既復雜又費事,。然而，離子鍍工藝自身就有一種離子轟擊清洗作用,，并且這一作用還一直延續(xù)于整個鍍膜過程,。清洗效果極好，能使鍍層直接貼近基體,，有效地增強了附著力,，簡化了大量的鍍前清洗工作。寧波光學真空鍍膜真空鍍膜機在集成電路制造中的應用：PVCD技術,、真空蒸發(fā)金屬技術,、磁控濺射技術和射頻濺射技術。

真空鍍膜的方法：真空蒸鍍法：激光束蒸發(fā)源蒸鍍技術是一種比較理想的薄膜制備方法,利用激光器發(fā)出高能量的激光束,經聚焦照射到鍍料上,使之受熱氣化,。激光器可置于真空室外,避免了蒸發(fā)器對鍍材的污染,使膜層更純潔,。同時聚焦后的激光束功率很高,可使鍍料達到極高的溫度,從而蒸發(fā)任何高熔點的材料,甚至可以使某些合金和化合物瞬時蒸發(fā),從而獲得成分均勻的薄膜。真空蒸鍍法具有設備簡單,節(jié)約金屬原材料,沉積Ti金屬及其氧化物,、合金鍍層等,表面附著均勻,生產周期短,對環(huán)境友好,可大規(guī)模生產等突出優(yōu)點,。

通過PVD制備的薄膜通常存在應力問題，不同材料與襯底間可能存在壓應力或張應力,，在多層膜結構中可能同時存在多種形式的應力,。薄膜應力的起源是薄膜生長過程中的某種結構不完整性(雜質、空位,、晶粒邊界,、錯位等)、表面能態(tài)的存在,、薄膜與基底界面間的晶格錯配等.對于薄膜應力主要有以下原因：1.薄膜生長初始階段,，薄膜面和界面的表面張力的共同作用；2.沉積過程中膜面溫度遠高于襯底溫度產生熱應變,；3.薄膜和襯底間點陣錯配而產生界面應力,；4.金屬膜氧化后氧化物原子體積增大產生壓應力；5.斜入射造成各向異性成核、生長,；6.薄膜內產生相變或化學組分改變導致原子體積變化 真空濺鍍通常指的是磁控濺鍍,，屬于高速低溫濺鍍法。

基片溫度對薄膜結構有較大影響,，基片溫度高,，使吸附原子的動能增大，跨越表面勢壘的幾率增多,，容易結晶化,，并使薄膜缺陷減少，同時薄膜內應力也會減少,，基片溫度低,，則易形成無定形結構膜。 材料飽和蒸汽壓隨溫度的上升而迅速增大,，所以實驗時必須控制好蒸發(fā)源溫度,。蒸發(fā)鍍膜常用的加熱方法時電阻大電流加熱，采用鎢,，鉬,，鉑等高熔點的金屬。真空鍍膜時,，飛抵基片的氣化原子或分子,，一部分被反射，一部分被蒸發(fā)離開,，剩下的要么結合在一起,，再捕獲其他原子或分子，使得自己增大,；或者單個原子或分子在基片上自由擴散,，逐漸生長，覆蓋整個基片,，形成鍍膜,。注意的是基片的清潔度和完整性將影響到鍍膜的形成速率和質量真空鍍膜鍍的薄膜與基體結合強度好，薄膜牢固,。寶雞PVD真空鍍膜

真空鍍膜的功能是多方面的,，這也決定了其應用場合非常豐富。鹽城納米涂層真空鍍膜

真空鍍膜：反應磁控濺射法：制備化合物薄膜可以用各種化學氣相沉積或物理的氣相沉積方法,。但目前從工業(yè)大規(guī)模生產的要求來看,，物理的氣相沉積中的反應磁控濺射沉積技術具有明顯的優(yōu)勢，因而被普遍應用,，這是因為：反應磁控濺射所用的靶材料(單元素靶或多元素靶)和反應氣體(氧,、氮,、碳氫化合物等)通常很容易獲得很高的純度，因而有利于制備高純度的化合物薄膜,。反應磁控濺射中調節(jié)沉積工藝參數(shù),，可以制備化學配比或非化學配比的化合物薄膜，從而達到通過調節(jié)薄膜的組成來調控薄膜特性的目的,。鹽城納米涂層真空鍍膜

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