磁控濺射的優(yōu)點(diǎn)：（1）基板有低溫性。相對(duì)于二級(jí)濺射和熱蒸發(fā)來(lái)說(shuō),，磁控濺射加熱少,。（2）有很高的沉積率?？蔀R射鎢,、鋁薄膜和反應(yīng)濺射TiO2、ZrO2薄膜,。（3）環(huán)保工藝,。磁控濺射鍍膜法生產(chǎn)效率高，沒(méi)有環(huán)境污染,。（4）涂層很好的牢固性,，濺射薄膜與基板，機(jī)械強(qiáng)度得到了改善,，更好的附著力,。（5）操作容易控制,。鍍膜過(guò)程，只要保持壓強(qiáng),、電功率濺射條件穩(wěn)定,，就能獲得比較穩(wěn)定的沉積速率。（6）成膜均勻,。濺射的薄膜密度普遍提高,。（7）濺射的金屬膜通常能獲得良好的光學(xué)性能、電學(xué)性能及某些特殊性能,。（8）濺射可連續(xù)工作,，鍍膜過(guò)程容易自動(dòng)控制，工業(yè)上流水線作業(yè),。真空磁控濺射涂層技術(shù)不同于真空蒸發(fā)涂層技術(shù),。河北脈沖磁控濺射步驟

非平衡磁控濺射系統(tǒng)有兩種結(jié)構(gòu)，一種是其芯部磁場(chǎng)強(qiáng)度比外環(huán)高,，磁力線沒(méi)有閉合,，被引向真空室壁，基體表面的等離子體密度低,，因此該方式很少被采用,。另一種是外環(huán)磁場(chǎng)強(qiáng)度高于芯部磁場(chǎng)強(qiáng)度，磁力線沒(méi)有完全形成閉合回路,，部分外環(huán)的磁力線延伸到基體表面,，使得部分二次電子能夠沿著磁力線逃逸出靶材表面區(qū)域，同時(shí)再與中性粒子發(fā)生碰撞電離,，等離子體不再被完全限制在靶材表面區(qū)域,，而是能夠到達(dá)基體表面，進(jìn)一步增加鍍膜區(qū)域的離子濃度,，使襯底離子束流密度提高,，通常可達(dá)5mA/cm2以上,。這樣濺射源同時(shí)又是轟擊基體表面的離子源,，基體離子束流密度與靶材電流密度成正比，靶材電流密度提高,，沉積速率提高,，同時(shí)基體離子束流密度提高，對(duì)沉積膜層表面起到一定的轟擊作用,。江西高溫磁控濺射步驟磁控濺射靶材的分類：根據(jù)材料的成分不同,，靶材可分為金屬靶材、合金靶材,、無(wú)機(jī)非金屬靶材等,。

磁控濺射就是以磁場(chǎng)束縛和延長(zhǎng)電子的運(yùn)動(dòng)路徑,，改變電子的運(yùn)動(dòng)方向，提高工作氣體的電離率和有效利用電子的能量,。電子的歸宿不只是基片,，真空室內(nèi)壁及靶源陽(yáng)極也是電子歸宿。但一般基片與真空室及陽(yáng)極在同一電勢(shì),。磁場(chǎng)與電場(chǎng)的交互作用使單個(gè)電子軌跡呈三維螺旋狀,，而不是只在靶面圓周運(yùn)動(dòng)。至于靶面圓周型的濺射輪廓,，那是靶源磁場(chǎng)磁力線呈圓周形狀分布,。磁力線分布方向不同會(huì)對(duì)成膜有很大關(guān)系。在EXBshift機(jī)理下工作的除磁控濺射外,，還有多弧鍍靶源,，離子源，等離子源等都在此原理下工作,。所不同的是電場(chǎng)方向,，電壓電流大小等因素。

磁控濺射鍍膜常見(jiàn)領(lǐng)域應(yīng)用：1.一些不適合化學(xué)氣相沉積(MOCVD)的材料可以通過(guò)磁控濺射沉積,，這種方法可以獲得均勻的大面積薄膜,。2.機(jī)械工業(yè)：如表面功能膜、超硬膜,、自潤(rùn)滑膜等.這些膜能有效提高表面硬度,、復(fù)合韌性、耐磨性和高溫化學(xué)穩(wěn)定性,，從而大幅度提高產(chǎn)品的使用壽命.3.光領(lǐng)域：閉場(chǎng)非平衡磁控濺射技術(shù)也已應(yīng)用于光學(xué)薄膜(如增透膜),、低輻射玻璃和透明導(dǎo)電玻璃.特別是，透明導(dǎo)電玻璃普遍應(yīng)用于平板顯示器件,、太陽(yáng)能電池,、微波和射頻屏蔽器件和器件,、傳感器等,。磁控濺射既降低濺射過(guò)程中的氣體壓力，也同時(shí)提高了濺射的效率和沉積速率,。

磁控濺射是物相沉積的一種,。一般的濺射法可被用于制備金屬、半導(dǎo)體,、絕緣體等多材料,，且具有設(shè)備簡(jiǎn)單、易于控制,、鍍膜面積大和附著力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn),。上世紀(jì)70年代發(fā)展起來(lái)的磁控濺射法更是實(shí)現(xiàn)了高速,、低溫、低損傷,。因?yàn)槭窃诘蜌鈮合逻M(jìn)行高速濺射,，必須有效地提高氣體的離化率。磁控濺射通過(guò)在靶陰極表面引入磁場(chǎng),，利用磁場(chǎng)對(duì)帶電粒子的約束來(lái)提高等離子體密度以增加濺射率,。磁控濺射是入射粒子和靶的碰撞過(guò)程。入射粒子在靶中經(jīng)歷復(fù)雜的散射過(guò)程,，和靶原子碰撞,，把部分動(dòng)量傳給靶原子，此靶原子又和其他靶原子碰撞,，形成級(jí)聯(lián)過(guò)程,。在這種級(jí)聯(lián)過(guò)程中某些表面附近的靶原子獲得向外運(yùn)動(dòng)的足夠動(dòng)量，離開(kāi)靶被濺射出來(lái),。直流二極濺射采用直流光放電,，三極濺射采用熱陰極支撐光放電。山東單靶磁控濺射特點(diǎn)

靶源分平衡式和非平衡式,，平衡式靶源鍍膜均勻,，非平衡式靶源鍍膜膜層和基體結(jié)合力強(qiáng)。河北脈沖磁控濺射步驟

影響磁控濺射鍍膜結(jié)果的因素：1,、濺射功率的影響,，在基體和涂層材料確定的情況下,工藝參數(shù)的選擇對(duì)于涂層生長(zhǎng)速率和涂層質(zhì)量都有很大的影響.其中濺射功率的設(shè)定對(duì)這兩方面都有極大的影響。2,、氣壓的影響,，磁控濺射是在低氣壓下進(jìn)行高速濺射，為此需要提高氣體的離化率,，使氣體形成等離子體,。在保證濺射功率固定的情況下，分析氣壓對(duì)于磁控濺射的影響,。磁控濺射鍍膜的產(chǎn)品優(yōu)點(diǎn)：1,、幾乎所有材料都可以通過(guò)磁控濺射沉積；2,、可以根據(jù)基材和涂層的要求縮放光源并將其放置在腔室中的任何位置,；3、可以沉積合金和化合物的薄膜,同時(shí)保持與原始材料相似的組成.磁控濺射鍍膜的產(chǎn)品特點(diǎn)1,、磁控濺射所利用的環(huán)狀磁場(chǎng)迫使二次電子跳欄式地沿著環(huán)狀磁場(chǎng)轉(zhuǎn)圈.相應(yīng)地,環(huán)狀磁場(chǎng)控制的區(qū)域是等離子體密度較高的部位,。河北脈沖磁控濺射步驟

廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所是一家服務(wù)型類企業(yè)，積極探索行業(yè)發(fā)展,，努力實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品創(chuàng)新,。廣東省半導(dǎo)體所是一家****企業(yè),，一直“以人為本，服務(wù)于社會(huì)”的經(jīng)營(yíng)理念;“誠(chéng)守信譽(yù),，持續(xù)發(fā)展”的質(zhì)量方針,。公司業(yè)務(wù)涵蓋微納加工技術(shù)服務(wù)，真空鍍膜技術(shù)服務(wù),，紫外光刻技術(shù)服務(wù),，材料刻蝕技術(shù)服務(wù)，價(jià)格合理,，品質(zhì)有保證,，深受廣大客戶的歡迎。廣東省半導(dǎo)體所自成立以來(lái),，一直堅(jiān)持走正規(guī)化,、專業(yè)化路線，得到了廣大客戶及社會(huì)各界的普遍認(rèn)可與大力支持,。