高精度的微細結構可以通過電子束直寫或激光直寫制作,，這類光刻技術,，像“寫字”一樣,，通過控制聚焦電子束（光束）移動書寫圖案進行曝光,，具有很高的曝光精度,，但這兩種方法制作效率極低，尤其在大面積制作方面捉襟見肘,，目前直寫光刻技術適用于小面積的微納結構制作,。近年來，三維浮雕微納結構的需求越來越大,，如閃耀光柵,、菲涅爾透鏡、多臺階微光學元件等,。據(jù)悉,，蘋果公司新上市的手機產(chǎn)品中人臉識別模塊就采用了多臺階微光學元件，以及當下如火如荼的無人駕駛技術中激光雷達光學系統(tǒng)也用到了復雜的微光學元件,。這類精密的微納結構光學元件需采用灰度光刻技術進行制作,。直寫技術，通過在光束移動過程中進行相應的曝光能量調(diào)節(jié),，可以實現(xiàn)良好的灰度光刻能力,。 濕法刻蝕較普遍、也是成本較低的刻蝕方法,！阜新微納加工工藝

    淺談表面功能微納結構及其加工方法：目前可以實現(xiàn)表面微納結構的加工方法主要有以下幾種,。（1）光刻技術，利用電子束或激光光束可以得到加工尺寸在幾十納米的微納結構,，該方法優(yōu)勢在于精度高,，得到的微納結構形狀可以得到很好的控制；（2）飛秒激光加工技術,，由于飛秒激光具有不受衍射極限限制的特點,，可以加工出遠小于光斑直徑的尺寸，研究人員通過試驗發(fā)現(xiàn),，采用飛秒激光加工出10nm寬的納米線,，在微納加工領域具有獨特優(yōu)勢。另外飛秒激光雙分子聚合技術可以實現(xiàn)納米尺寸結構的加工,；（3）自組裝工藝,，光刻與自組裝和刻蝕工藝結合,，通過自組裝工藝，可以得到6nm左右的納米孔,。（4）等離子刻蝕技術,，等離子刻蝕技術是應用廣的微納米加工手段，加工精度高,，是集成電路制造中關鍵的工藝之一,。（5）沉積法，主要包括物相沉積和化學氣相沉積,，該方法主要是利用氣相發(fā)生的物理化學過程,，在工件表面形成功能型或裝飾性的金屬，可以用來實現(xiàn)微納米結構涂層的制造,。（6）微納增材制造技術,，微納增材制造技術主要指微納尺度電噴增材制造和微激光增材制造技術，由于微納增材技術可以不受形狀限制,，可多材料協(xié)同制造,，具有較大的發(fā)展前景。除以上幾種加工技術外,。 廣東高精度微納加工在我國,，微納制造技術同樣是重點發(fā)展方向之一。

高精度的微細結構可以通過電子束直寫或激光直寫制作,，這類光刻技術,，像“寫字”一樣，通過控制聚焦電子束（光束）移動書寫圖案進行曝光,，具有很高的曝光精度,，但這兩種方法制作效率極低，尤其在大面積制作方面捉襟見肘,，目前直寫光刻技術適用于小面積的微納結構制作,。近年來，三維浮雕微納結構的需求越來越大,，如閃耀光柵,、菲涅爾透鏡、多臺階微光學元件等,。據(jù)悉,，蘋果公司新上市的手機產(chǎn)品中人臉識別模塊就采用了多臺階微光學元件，以及當下如火如荼的無人駕駛技術中激光雷達光學系統(tǒng)也用到了復雜的微光學元件,。這類精密的微納結構光學元件需采用灰度光刻技術進行制作,。直寫技術，通過在光束移動過程中進行相應的曝光能量調(diào)節(jié),，可以實現(xiàn)良好的灰度光刻能力,。

    微納測試與表征技術是微納加工技術的基礎與前提，它包括在微納器件的設計,、制造和系統(tǒng)集成過程中,，對各種參量進行微米/納米檢測的技術。微米測量主要服務于精密制造和微加工技術,，目標是獲得微米級測量精度,，或表征微結構的幾何、機械及力學特性,；納米測量則主要服務于材料工程和納米科學,，特別是納米材料，目標是獲得材料的結構,、地貌和成分的信息,。在半導體領域人們所關心的與尺寸測量有關的參數(shù)主要包括：特征尺寸或線寬、重合度,、薄膜的厚度和表面的糙度等等,。未來，微納測試與表征技術正朝著從二維到三維,、從表面到內(nèi)部,、從靜態(tài)到動態(tài)、從單參量到多參量耦合,、從封裝前到封裝后的方向發(fā)展,。探索新的測量原理、測試方法和表征技術,，發(fā)展微納加工及制造實時在線測試方法和微納器件質量快速檢測系統(tǒng)已成為了微納測試與表征的主要發(fā)展趨勢,。 微納加工涉及領域廣、多學科交叉融合,，其較主要的發(fā)展方向是微納器件與系統(tǒng)（MEMS）,。

光刻是半導體制造中常用的技術之一，是現(xiàn)代光電子器件制造的基礎,。然而,，深紫外和極紫外光刻系統(tǒng)及其相應的光學掩模都是基于低速高成本的電子束光刻（EBL）或者聚焦離子束刻蝕(FIB)技術，導致其價格都相對昂貴,。因此,，無掩模的高速制備法是微納結構制備的優(yōu)先方法。在這些無掩模方法中,，直接激光寫入(direct laser writing, DLW)是一種重要的,、被廣采用的微處理技術，能夠提供比較低的價格和相對較高的吞吐量,。但是,，實際應用中存在兩個主要挑戰(zhàn)：一是與FIB和EBL相比,，分辨率還不夠高。光刻膠是微納加工中微細圖形加工的關鍵材料之一,。黃岡半導體微納加工

微納加工包括光刻,、磁控濺射、電子束蒸鍍,、濕法腐蝕,、干法腐蝕、表面形貌測量等,。阜新微納加工工藝

    光刻是半導體制造中常用的技術之一,，是現(xiàn)代光電子器件制造的基礎。實際應用中存在兩個主要挑戰(zhàn)：一是與FIB和EBL相比,，分辨率還不夠高,；二是由于直接的激光寫入器逐點生成圖案，因此吞吐量是一個很大的挑戰(zhàn),。對于上述兩個挑戰(zhàn)：分辨率方面,，一是可以通過原子力顯微鏡（AFM）或掃描近場顯微鏡（SNOM）等近場技術來提高，二是可以通過使用短波長光源來提高,，三是可以通過非線性吸收實現(xiàn)超分辨率成像或制造,；制造速度方面，除了工程學方法外,，隨著激光技術的發(fā)展,，主要是提出了包括自組裝微球激光加工、激光干涉光刻,、多焦陣列激光直寫等并行激光加工方法來提高制造速度,。并行激光加工技術可以將二維加工技術擴展到三維加工，為未來微納加工技術的發(fā)展提供新的方向,；同時可以地廣泛應用于傳感,、太陽能電池和超材料領域的表面處理和功能器件制造，對生物醫(yī)學器件制造,、光通信,、傳感、以及光譜學等領域得發(fā)展研究具有重要意義,。 阜新微納加工工藝

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