在Si片上形成具有垂直側(cè)壁的高深寬比溝槽結(jié)構(gòu)是制備先進(jìn)MEMS器件的關(guān)鍵工藝,，其各向異性刻蝕要求非常嚴(yán)格,。高深寬比的干法刻蝕技術(shù)以其刻蝕速率快,、各向異性較強,、污染少等優(yōu)點脫穎而出,，成為MEMS器件加工的關(guān)鍵技術(shù)之一,。BOSCH工藝,又名TMDE(TimeMultiplexedDeepEtching)工藝,，是一個刻蝕一鈍化一刻蝕的循環(huán)過程,，以達(dá)到對硅材料進(jìn)行高深寬比,、各向異性刻蝕的目的,。BOSCH工藝的原理是在反應(yīng)腔室中輪流通入鈍化氣體C4F8與刻蝕氣體SF6與樣品進(jìn)行反應(yīng)，工藝的整個過程是淀積鈍化層步驟與刻蝕步驟的反復(fù)交替,。其中保護氣體C4F8在高密度等離子體的作用下分解生成碳氟聚合物保護層,，沉積在已經(jīng)做好圖形的樣品表面?？涛g成了通過溶液,、反應(yīng)離子或其它機械方式來進(jìn)行剝離、去除材料的一種統(tǒng)稱,。廣州白云RIE刻蝕

等向性刻蝕：大部份的濕刻蝕液均是等向性,，換言之,，對刻蝕接觸點之任何方向腐蝕速度并無明顯差異。故一旦定義好刻蝕掩膜的圖案,，暴露出來的區(qū)域,，便是往下腐蝕的所在；蘭記婚只要刻蝕配方具高選擇性,，便應(yīng)當(dāng)止于所該止之深度,。然而有鑒于任何被蝕薄膜皆有其厚度，當(dāng)其被蝕出某深度時,，刻蝕掩膜圖案邊緣的部位漸與刻蝕液接觸,，故刻蝕液也開始對刻蝕掩膜圖案邊緣的底部，進(jìn)行蝕掏,，這就是所謂的下切或側(cè)向侵蝕現(xiàn)象(undercut),。該現(xiàn)象造成的圖案側(cè)向誤差與被蝕薄膜厚度同數(shù)量級，換言之,，濕刻蝕技術(shù)因之而無法應(yīng)用在類似次微米線寬的精密棄擊乃制程技術(shù),。廣州荔灣刻蝕加工廠微觀結(jié)構(gòu)差的薄膜，包括多孔膜和疏松結(jié)構(gòu)的膜,，將被迅速刻蝕,。

廣東省半導(dǎo)體所作為面向半導(dǎo)體光電子器件、功率電子器件,、MEMS,、生物芯片等前沿領(lǐng)域，致力于打造***的公益性,、開放性,、支撐性樞紐中心。平臺擁有半導(dǎo)體制備工藝所需的整套儀器設(shè)備,，建立了一條實驗室研發(fā)線和一條中試線,，加工尺寸覆蓋2-6英寸（部分8英寸），同時形成了一支與硬件有機結(jié)合的專業(yè)人才隊伍,。平臺當(dāng)前緊抓技術(shù)創(chuàng)新和公共服務(wù),，面向國內(nèi)外高校、科研院所以及企業(yè)提供開放共享,，為技術(shù)咨詢,、創(chuàng)新研發(fā)、技術(shù)驗證以及產(chǎn)品中試提供支持,。的企業(yè)之一,，為客戶提供良好的微納加工技術(shù)服務(wù)，真空鍍膜技術(shù)服務(wù),，紫外光刻技術(shù)服務(wù),，材料刻蝕技術(shù)服務(wù),。廣東省半導(dǎo)體所不斷開拓創(chuàng)新，追求出色,，以技術(shù)為先導(dǎo),，以產(chǎn)品為平臺，以應(yīng)用為重點,，以服務(wù)為保證,，不斷為客戶創(chuàng)造更高價值，提供更優(yōu)服務(wù),。廣東省半導(dǎo)體所創(chuàng)始人陳志濤,，始終關(guān)注客戶，創(chuàng)新科技,，竭誠為客戶提供良好的服務(wù),。

刻蝕技術(shù)（etchingtechnique），刻蝕加工廠商,，是在半導(dǎo)體工藝,，按照掩模圖形或設(shè)計要求對半導(dǎo)體襯底表面或表面覆蓋薄膜進(jìn)行選擇性腐蝕或剝離的技術(shù)?？涛g技術(shù)不只是半導(dǎo)體器件和集成電路的基本制造工藝,，而且還應(yīng)用于薄膜電路、印刷電路和其他微細(xì)圖形的加工,?？涛g還可分為濕法刻蝕和干法刻蝕。普通的刻蝕過程大致如下：先在表面涂敷一層光致抗蝕劑,，然后透過掩模對抗蝕劑層進(jìn)行選擇性曝光，由于抗蝕劑層的已曝光部分和未曝光部分在顯影液中溶解速度不同,，經(jīng)過顯影后在襯底表面留下了抗蝕劑圖形,，以此為掩模就可對襯底表面進(jìn)行選擇性腐蝕。如果襯底表面存在介質(zhì)或金屬層,，Si材料刻蝕加工廠商,，則選擇腐蝕以后，材料刻蝕加工廠商,，圖形就轉(zhuǎn)移到介質(zhì)或金屬層上,。一般而言，高蝕速率（在一定時間內(nèi)去除的材料量）都會受到歡迎,。干法刻蝕優(yōu)點是：可控性,。

等離子刻蝕是將電磁能量（通常為射頻（RF））施加到含有化學(xué)反應(yīng)成分（如氟或氯）的氣體中實現(xiàn)。等離子會釋放帶正電的離子來撞擊晶圓以去除（刻蝕）材料,，并和活性自由基產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng),，與刻蝕的材料反應(yīng)形成揮發(fā)性或非揮發(fā)性的殘留物,。離子電荷會以垂直方向射入晶圓表面。這樣會形成近乎垂直的刻蝕形貌,，這種形貌是現(xiàn)今密集封裝芯片設(shè)計中制作細(xì)微特征所必需的,。一般而言，高蝕速率（在一定時間內(nèi)去除的材料量）都會受到歡迎,。反應(yīng)離子刻蝕（RIE）的目標(biāo)是在物理刻蝕和化學(xué)刻蝕之間達(dá)到較佳平衡,，使物理撞擊（刻蝕率）強度足以去除必要的材料，同時適當(dāng)?shù)幕瘜W(xué)反應(yīng)能形成易于排出的揮發(fā)性殘留物或在剩余物上形成保護性沉積（選擇比和形貌控制）,。采用磁場增強的RIE工藝,，通過增加離子密度而不增加離子能量（可能會損失晶圓）的方式，改進(jìn)了處理過程,。物理上,，等離子體刻蝕劑由反應(yīng)室、真空系統(tǒng),、氣體供應(yīng),、終點檢測和電源組成。深硅刻蝕是MEMS器件制作當(dāng)中一個比較重要的工藝,。廣州越秀化學(xué)刻蝕

濕法刻蝕在半導(dǎo)體工藝中有著普遍應(yīng)用：磨片,、拋光、清洗,、腐蝕,。廣州白云RIE刻蝕

刻蝕是按照掩模圖形或設(shè)計要求對半導(dǎo)體襯底表面或表面覆蓋薄膜進(jìn)行選擇性刻蝕的技術(shù)，它是半導(dǎo)體制造工藝,，微電子IC制造工藝以及微納制造工藝中的一種相當(dāng)重要的步驟,。是與光刻相聯(lián)系的圖形化處理的一種主要工藝?？涛g分為干法刻蝕和濕法腐蝕,。原位芯片目前掌握多種刻蝕工藝，并會根據(jù)客戶的需求,，設(shè)計刻蝕效果好且性價比高的刻蝕解決方案,。刻蝕技術(shù)主要應(yīng)用于半導(dǎo)體器件,，集成電路制造,，薄膜電路，印刷電路和其他微細(xì)圖形的加工等,。廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所,。廣州白云RIE刻蝕

廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所是一家有著雄厚實力背景、信譽可靠、勵精圖治,、展望未來,、有夢想有目標(biāo)，有組織有體系的公司,，堅持于帶領(lǐng)員工在未來的道路上大放光明,，攜手共畫藍(lán)圖，在廣東省等地區(qū)的電子元器件行業(yè)中積累了大批忠誠的客戶粉絲源,，也收獲了良好的用戶口碑,，為公司的發(fā)展奠定的良好的行業(yè)基礎(chǔ)，也希望未來公司能成為*****,，努力為行業(yè)領(lǐng)域的發(fā)展奉獻(xiàn)出自己的一份力量,，我們相信精益求精的工作態(tài)度和不斷的完善創(chuàng)新理念以及自強不息，斗志昂揚的的企業(yè)精神將**廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所供應(yīng)和您一起攜手步入輝煌,，共創(chuàng)佳績,，一直以來，公司貫徹執(zhí)行科學(xué)管理,、創(chuàng)新發(fā)展,、誠實守信的方針，員工精誠努力,，協(xié)同奮取,，以品質(zhì)、服務(wù)來贏得市場,，我們一直在路上,！