在Si片上形成具有垂直側(cè)壁的高深寬比溝槽結(jié)構(gòu)是制備先進(jìn)MEMS器件的關(guān)鍵工藝，其各向異性刻蝕要求非常嚴(yán)格,。高深寬比的干法刻蝕技術(shù)以其刻蝕速率快,、各向異性較強(qiáng)、污染少等優(yōu)點(diǎn)脫穎而出,，成為MEMS器件加工的關(guān)鍵技術(shù)之一,。BOSCH工藝,又名TMDE(TimeMultiplexedDeepEtching)工藝，是一個(gè)刻蝕一鈍化一刻蝕的循環(huán)過(guò)程,，以達(dá)到對(duì)硅材料進(jìn)行高深寬比,、各向異性刻蝕的目的。BOSCH工藝的原理是在反應(yīng)腔室中輪流通入鈍化氣體C4F8與刻蝕氣體SF6與樣品進(jìn)行反應(yīng),，工藝的整個(gè)過(guò)程是淀積鈍化層步驟與刻蝕步驟的反復(fù)交替,。其中保護(hù)氣體C4F8在高密度等離子體的作用下分解生成碳氟聚合物保護(hù)層，沉積在已經(jīng)做好圖形的樣品表面,?？涛g成了通過(guò)溶液、反應(yīng)離子或其它機(jī)械方式來(lái)進(jìn)行剝離,、去除材料的一種統(tǒng)稱,。廣州白云RIE刻蝕

等向性刻蝕：大部份的濕刻蝕液均是等向性，換言之,，對(duì)刻蝕接觸點(diǎn)之任何方向腐蝕速度并無(wú)明顯差異,。故一旦定義好刻蝕掩膜的圖案，暴露出來(lái)的區(qū)域,，便是往下腐蝕的所在,；蘭記婚只要刻蝕配方具高選擇性,，便應(yīng)當(dāng)止于所該止之深度。然而有鑒于任何被蝕薄膜皆有其厚度,，當(dāng)其被蝕出某深度時(shí),，刻蝕掩膜圖案邊緣的部位漸與刻蝕液接觸，故刻蝕液也開(kāi)始對(duì)刻蝕掩膜圖案邊緣的底部,，進(jìn)行蝕掏,，這就是所謂的下切或側(cè)向侵蝕現(xiàn)象(undercut)。該現(xiàn)象造成的圖案?jìng)?cè)向誤差與被蝕薄膜厚度同數(shù)量級(jí),，換言之,，濕刻蝕技術(shù)因之而無(wú)法應(yīng)用在類似次微米線寬的精密棄擊乃制程技術(shù)。廣州荔灣刻蝕加工廠微觀結(jié)構(gòu)差的薄膜,，包括多孔膜和疏松結(jié)構(gòu)的膜,，將被迅速刻蝕。

廣東省半導(dǎo)體所作為面向半導(dǎo)體光電子器件,、功率電子器件,、MEMS、生物芯片等前沿領(lǐng)域,，致力于打造***的公益性,、開(kāi)放性、支撐性樞紐中心,。平臺(tái)擁有半導(dǎo)體制備工藝所需的整套儀器設(shè)備,，建立了一條實(shí)驗(yàn)室研發(fā)線和一條中試線，加工尺寸覆蓋2-6英寸（部分8英寸）,，同時(shí)形成了一支與硬件有機(jī)結(jié)合的專業(yè)人才隊(duì)伍,。平臺(tái)當(dāng)前緊抓技術(shù)創(chuàng)新和公共服務(wù)，面向國(guó)內(nèi)外高校,、科研院所以及企業(yè)提供開(kāi)放共享,，為技術(shù)咨詢、創(chuàng)新研發(fā),、技術(shù)驗(yàn)證以及產(chǎn)品中試提供支持,。的企業(yè)之一，為客戶提供良好的微納加工技術(shù)服務(wù),，真空鍍膜技術(shù)服務(wù),，紫外光刻技術(shù)服務(wù)，材料刻蝕技術(shù)服務(wù),。廣東省半導(dǎo)體所不斷開(kāi)拓創(chuàng)新，追求出色,，以技術(shù)為先導(dǎo),，以產(chǎn)品為平臺(tái),，以應(yīng)用為重點(diǎn)，以服務(wù)為保證,，不斷為客戶創(chuàng)造更高價(jià)值,，提供更優(yōu)服務(wù)。廣東省半導(dǎo)體所創(chuàng)始人陳志濤,，始終關(guān)注客戶,，創(chuàng)新科技，竭誠(chéng)為客戶提供良好的服務(wù),。

刻蝕技術(shù)（etchingtechnique）,，刻蝕加工廠商，是在半導(dǎo)體工藝,，按照掩模圖形或設(shè)計(jì)要求對(duì)半導(dǎo)體襯底表面或表面覆蓋薄膜進(jìn)行選擇性腐蝕或剝離的技術(shù),。刻蝕技術(shù)不只是半導(dǎo)體器件和集成電路的基本制造工藝,，而且還應(yīng)用于薄膜電路,、印刷電路和其他微細(xì)圖形的加工?？涛g還可分為濕法刻蝕和干法刻蝕,。普通的刻蝕過(guò)程大致如下：先在表面涂敷一層光致抗蝕劑，然后透過(guò)掩模對(duì)抗蝕劑層進(jìn)行選擇性曝光,，由于抗蝕劑層的已曝光部分和未曝光部分在顯影液中溶解速度不同,，經(jīng)過(guò)顯影后在襯底表面留下了抗蝕劑圖形，以此為掩模就可對(duì)襯底表面進(jìn)行選擇性腐蝕,。如果襯底表面存在介質(zhì)或金屬層,，Si材料刻蝕加工廠商，則選擇腐蝕以后,，材料刻蝕加工廠商,，圖形就轉(zhuǎn)移到介質(zhì)或金屬層上。一般而言,，高蝕速率（在一定時(shí)間內(nèi)去除的材料量）都會(huì)受到歡迎,。干法刻蝕優(yōu)點(diǎn)是：可控性。

等離子刻蝕是將電磁能量（通常為射頻（RF））施加到含有化學(xué)反應(yīng)成分（如氟或氯）的氣體中實(shí)現(xiàn),。等離子會(huì)釋放帶正電的離子來(lái)撞擊晶圓以去除（刻蝕）材料,，并和活性自由基產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)，與刻蝕的材料反應(yīng)形成揮發(fā)性或非揮發(fā)性的殘留物,。離子電荷會(huì)以垂直方向射入晶圓表面,。這樣會(huì)形成近乎垂直的刻蝕形貌，這種形貌是現(xiàn)今密集封裝芯片設(shè)計(jì)中制作細(xì)微特征所必需的。一般而言,，高蝕速率（在一定時(shí)間內(nèi)去除的材料量）都會(huì)受到歡迎,。反應(yīng)離子刻蝕（RIE）的目標(biāo)是在物理刻蝕和化學(xué)刻蝕之間達(dá)到較佳平衡，使物理撞擊（刻蝕率）強(qiáng)度足以去除必要的材料,，同時(shí)適當(dāng)?shù)幕瘜W(xué)反應(yīng)能形成易于排出的揮發(fā)性殘留物或在剩余物上形成保護(hù)性沉積（選擇比和形貌控制）,。采用磁場(chǎng)增強(qiáng)的RIE工藝，通過(guò)增加離子密度而不增加離子能量（可能會(huì)損失晶圓）的方式,，改進(jìn)了處理過(guò)程,。物理上，等離子體刻蝕劑由反應(yīng)室,、真空系統(tǒng),、氣體供應(yīng)、終點(diǎn)檢測(cè)和電源組成,。深硅刻蝕是MEMS器件制作當(dāng)中一個(gè)比較重要的工藝,。廣州越秀化學(xué)刻蝕

濕法刻蝕在半導(dǎo)體工藝中有著普遍應(yīng)用：磨片、拋光,、清洗,、腐蝕。廣州白云RIE刻蝕

刻蝕是按照掩模圖形或設(shè)計(jì)要求對(duì)半導(dǎo)體襯底表面或表面覆蓋薄膜進(jìn)行選擇性刻蝕的技術(shù),，它是半導(dǎo)體制造工藝,，微電子IC制造工藝以及微納制造工藝中的一種相當(dāng)重要的步驟。是與光刻相聯(lián)系的圖形化處理的一種主要工藝,?？涛g分為干法刻蝕和濕法腐蝕。原位芯片目前掌握多種刻蝕工藝,，并會(huì)根據(jù)客戶的需求,，設(shè)計(jì)刻蝕效果好且性價(jià)比高的刻蝕解決方案?？涛g技術(shù)主要應(yīng)用于半導(dǎo)體器件,，集成電路制造，薄膜電路,，印刷電路和其他微細(xì)圖形的加工等,。廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所。廣州白云RIE刻蝕

廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所是一家有著雄厚實(shí)力背景,、信譽(yù)可靠,、勵(lì)精圖治、展望未來(lái),、有夢(mèng)想有目標(biāo),，有組織有體系的公司,，堅(jiān)持于帶領(lǐng)員工在未來(lái)的道路上大放光明，攜手共畫(huà)藍(lán)圖,，在廣東省等地區(qū)的電子元器件行業(yè)中積累了大批忠誠(chéng)的客戶粉絲源,，也收獲了良好的用戶口碑，為公司的發(fā)展奠定的良好的行業(yè)基礎(chǔ),，也希望未來(lái)公司能成為*****，努力為行業(yè)領(lǐng)域的發(fā)展奉獻(xiàn)出自己的一份力量,，我們相信精益求精的工作態(tài)度和不斷的完善創(chuàng)新理念以及自強(qiáng)不息,，斗志昂揚(yáng)的的企業(yè)精神將**廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所供應(yīng)和您一起攜手步入輝煌，共創(chuàng)佳績(jī),，一直以來(lái),，公司貫徹執(zhí)行科學(xué)管理、創(chuàng)新發(fā)展,、誠(chéng)實(shí)守信的方針,，員工精誠(chéng)努力，協(xié)同奮取,，以品質(zhì),、服務(wù)來(lái)贏得市場(chǎng)，我們一直在路上,！