微納加工大致可以分為“自上而下”和“自下而上”兩類,?！白陨隙隆笔菑暮暧^對象出發(fā)，以光刻工藝為基礎(chǔ),，對材料或原料進行加工,，小結(jié)果尺寸和精度通常由光刻或刻蝕環(huán)節(jié)的分辨力決定?！白韵露稀奔夹g(shù)則是從微觀世界出發(fā),，通過控制原子、分子和其他納米對象的相互作用力將各種單元構(gòu)建在一起,，形成微納結(jié)構(gòu)與器件,。基于光刻工藝的微納加工技術(shù)主要包含以下過程：掩模（mask）制備,、圖形形成及轉(zhuǎn)移（涂膠,、曝光、顯影）,、薄膜沉積,、刻蝕、外延生長,、氧化和摻雜等,。在基片表面涂覆一層某種光敏介質(zhì)的薄膜（抗蝕膠），曝光系統(tǒng)把掩模板的圖形投射在（抗蝕膠）薄膜上,，光（光子）的曝光過程是通過光化學(xué)作用使抗蝕膠發(fā)生光化學(xué)作用,，形成微細(xì)圖形的潛像，再通過顯影過程使剩余的抗蝕膠層轉(zhuǎn)變成具有微細(xì)圖形的窗口,，后續(xù)基于抗蝕膠圖案進行鍍膜,、刻蝕等可進一步制作所需微納結(jié)構(gòu)或器件。 未來幾年微納制造系統(tǒng)和平臺的發(fā)展前景包括的方面：智能的,、可升級的和適應(yīng)性強的微納制造系統(tǒng),。量子微納加工價目

    微納加工：干法刻蝕VS濕法刻蝕！刻蝕工藝：用化學(xué)或物理方法有選擇性地從某一材料表面去除不需要那部分的過程,，獲得目標(biāo)圖形,。在半導(dǎo)體制造中有兩種基本的刻蝕工藝：干法刻蝕和濕法刻蝕。干法刻蝕的刻蝕劑是等離子體，是利用等離子體和表面薄膜反應(yīng),，形成揮發(fā)性物質(zhì),，或直接轟擊薄膜表面使之被刻蝕的工藝。特點：能實現(xiàn)各向異性刻蝕,，從而保證細(xì)小圖形轉(zhuǎn)移后的保真性,。缺點：造價高。濕法刻蝕是通過化學(xué)刻蝕液和被刻蝕物質(zhì)之間的化學(xué)反應(yīng)將被刻蝕物質(zhì)剝離下來的方法,。大多數(shù)濕法刻蝕是不容易控制的各向同性刻蝕,。特點：適應(yīng)性強，表面均勻性好,、對硅片損傷少,，幾乎適用于所有的金屬,、玻璃,、塑料等材料。缺點：圖形刻蝕保真想過不理想,，刻蝕圖形的小線難以掌控,。 激光微納加工工藝流程微納制造技術(shù)研發(fā)和應(yīng)用標(biāo)志著人類可以在微,、納米尺度認(rèn)識和改造世界。

      光刻是微納加工技術(shù)中關(guān)鍵的工藝步驟,，光刻的工藝水平?jīng)Q定產(chǎn)品的制程水平和性能水平,。光刻的原理是在基底表面覆蓋一層具有高度光敏感性光刻膠，再用光線（一般是紫外光,、深紫外光、極紫外光）透過光刻板照射在基底表面,，被光線照射到的光刻膠會發(fā)生反應(yīng)。此后用顯影液洗去被照射/未被照射的光刻膠,， 就實現(xiàn)了圖形從光刻板到基底的轉(zhuǎn)移。光刻膠分為正性光刻和負(fù)性光刻兩種基本工藝,，區(qū)別在于兩者使用的光刻膠的類型不同,。負(fù)性光刻使用的光刻膠在曝光后會因為交聯(lián)而變得不可溶解，并會固化,，不會被溶劑洗掉,，從而該部分硅片不會在后續(xù)流程中被腐蝕掉,，負(fù)性光刻光刻膠上的圖形與掩模版上圖形相反,。

     在過去的50多年中,，微納加工技術(shù)的進步極大地促進了微電子技術(shù)和光電子技術(shù)的發(fā)展,。微電子技術(shù)的發(fā)展以超大規(guī)模集成電路為，集成度以每18個月翻一番的速度提高,，使得以90nm為小電路尺寸的集成電路芯片已經(jīng)開始批量生產(chǎn).以光刻與刻蝕為基礎(chǔ)的平面為加工技術(shù)已經(jīng)成為超大規(guī)模集成電路的技術(shù),，隨著電子束光刻技術(shù)和電感耦合等離子體(ICP)刻蝕技術(shù)的出現(xiàn)，平面微納加工工藝正在推動以單電子器件與自旋電子器件為的新一代納米電子學(xué)的發(fā)展.高精度的微細(xì)結(jié)構(gòu)通過控制聚焦電子束（光束）移動書寫圖案進行曝光,！

    淺談表面功能微納結(jié)構(gòu)及其加工方法：目前可以實現(xiàn)表面微納結(jié)構(gòu)的加工方法主要有以下幾種,。（1）光刻技術(shù)，利用電子束或激光光束可以得到加工尺寸在幾十納米的微納結(jié)構(gòu),，該方法優(yōu)勢在于精度高,，得到的微納結(jié)構(gòu)形狀可以得到很好的控制；（2）飛秒激光加工技術(shù),，由于飛秒激光具有不受衍射極限限制的特點,，可以加工出遠(yuǎn)小于光斑直徑的尺寸，研究人員通過試驗發(fā)現(xiàn),，采用飛秒激光加工出10nm寬的納米線,，在微納加工領(lǐng)域具有獨特優(yōu)勢。另外飛秒激光雙分子聚合技術(shù)可以實現(xiàn)納米尺寸結(jié)構(gòu)的加工,；（3）自組裝工藝,，光刻與自組裝和刻蝕工藝結(jié)合，通過自組裝工藝,，可以得到6nm左右的納米孔,。（4）等離子刻蝕技術(shù),，等離子刻蝕技術(shù)是應(yīng)用廣的微納米加工手段，加工精度高,，是集成電路制造中關(guān)鍵的工藝之一,。（5）沉積法，主要包括物相沉積和化學(xué)氣相沉積,，該方法主要是利用氣相發(fā)生的物理化學(xué)過程,，在工件表面形成功能型或裝飾性的金屬，可以用來實現(xiàn)微納米結(jié)構(gòu)涂層的制造,。（6）微納增材制造技術(shù),，微納增材制造技術(shù)主要指微納尺度電噴增材制造和微激光增材制造技術(shù)，由于微納增材技術(shù)可以不受形狀限制,，可多材料協(xié)同制造,，具有較大的發(fā)展前景。除以上幾種加工技術(shù)外,。 微納加工技術(shù)的特點：微型化,。蘇州電子微納加工

微納加工技術(shù)的特點：多樣化。量子微納加工價目

       當(dāng)微納加工技術(shù)應(yīng)用到光電子領(lǐng)域,，就形成了新興的納米光電子技術(shù),，主要研究納米結(jié)構(gòu)中光與電子相互作用及其能量互換的技術(shù).納米光電子技術(shù)在過去的十多年里,，一方面,，以低維結(jié)構(gòu)材料生長和能帶工程為基礎(chǔ)的納米制造技術(shù)有了長足的發(fā)展，包括分子束外延(MBE),、金屬有機化學(xué)氣相淀積(MOCVD)和化學(xué)束外延(CBE)，使得在晶片表面外延生長方向(直方向)的外延層精度控制到單個原子層,，從而獲得了具有量子尺寸效應(yīng)的半導(dǎo)體材料;另一方面，平面納米加工工藝實現(xiàn)了納米尺度的光刻和橫向刻蝕,，使得人工橫向量子限制的量子線與量子點的制作成為可能.同時，光子晶體概念的出現(xiàn),，使得納米平面加工工藝廣地應(yīng)用到光介質(zhì)材料折射率周期性的改變中。量子微納加工價目

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