真空鍍膜：各種鍍膜技術(shù)都需要有一個蒸發(fā)源或靶子，以便把蒸發(fā)制膜的材料轉(zhuǎn)化成氣體,。由于源或靶的不斷改進(jìn),，擴(kuò)大了制膜材料的選用范圍，無論是金屬,、金屬合金,、金屬間化合物、陶瓷或有機(jī)物質(zhì),，都可以蒸鍍各種金屬膜和介質(zhì)膜,，而且還可以同時蒸鍍不同材料而得到多層膜。蒸發(fā)或濺射出來的制膜材料,，在與待鍍的工件生成薄膜的過程中,，對其膜厚可進(jìn)行比較精確的測量和控制,，從而保證膜厚的均勻性。每種薄膜都可以通過微調(diào)閥精確地控制鍍膜室中殘余氣體的成分和質(zhì)量分?jǐn)?shù),，從而防止蒸鍍材料的氧化,，把氧的質(zhì)量分?jǐn)?shù)降低到較小的程度，還可以充入惰性氣體等,，這對于濕式鍍膜而言是無法實現(xiàn)的,。由于鍍膜設(shè)備的不斷改進(jìn)，鍍膜過程可以實現(xiàn)連續(xù)化,，從而地提高產(chǎn)品的產(chǎn)量,，而且在生產(chǎn)過程中對環(huán)境無污染。由于在真空條件下制膜,，所以薄膜的純度高,、密實性好、表面光亮不需要再加工,，這就使得薄膜的力學(xué)性能和化學(xué)性能比電鍍膜和化學(xué)膜好,。真空鍍膜中等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積可在較低溫度下形成固體膜。蚌埠真空鍍膜工藝

真空鍍膜：技術(shù)優(yōu)點(diǎn)：鍍層附著性能好：普通真空鍍膜時,，在工件表面與鍍層之間幾乎沒有連接的過渡層,，好似截然分開。而離子鍍時,，離子高速轟擊工件時,，能夠穿透工件表面，形成一種注入基體很深的擴(kuò)散層,，離子鍍的界面擴(kuò)散深度可達(dá)四至五微米,，對離子鍍后的試件作拉伸試驗表明，一直拉到快要斷裂時,，鍍層仍隨基體金屬一起塑性延伸,，無起皮或剝落現(xiàn)象發(fā)生,可見附著多么牢固，膜層均勻,，致密,。繞鍍能力強(qiáng)：離子鍍時，蒸發(fā)料粒子是以帶電離子的形式在電場中沿著電力線方向運(yùn)動,，因而凡是有電場存在的部位,，均能獲得良好鍍層，這比普通真空鍍膜只能在直射方向上獲得鍍層優(yōu)越得多,。因此,，這種方法非常適合于鍍復(fù)零件上的內(nèi)孔、凹槽和窄縫,。等其他方法難鍍的部位,。用普通真空鍍膜只能鍍直射表面,，蒸發(fā)料粒子尤如攀登云梯一樣，只能順梯而上；而離子鍍則能均勻地繞鍍到零件的背面和內(nèi)孔中,，帶電離子則好比坐上了直升飛機(jī),，能夠沿著規(guī)定的航線飛抵其活動半徑范圍內(nèi)的任何地方,。韶關(guān)真空鍍膜技術(shù)真空鍍膜的鍍層質(zhì)量好,。

離子輔助鍍膜是在真空熱蒸發(fā)基礎(chǔ)上發(fā)展起來的一種輔助鍍膜方法,。當(dāng)膜料蒸發(fā)時，淀積分子在基板表面不斷受到來自離子源的荷能離子的轟擊,，通過動量轉(zhuǎn)移,，使淀積粒子獲得較大動能，提高了淀積粒子的遷移率,，從而使膜層聚集密度增加,，使得薄膜生長發(fā)生了根本變化，使薄膜性能得到了改善,。常用的離子源有克夫曼離子源、霍爾離子源,?；魻栯x子源是近年發(fā)展起來的一種低能離子源,。這種源沒有柵極，陰極在陽極上方發(fā)出熱電子,，在磁場作用下提高了電子碰撞工作氣體的幾率,，從而提高了電離效率,。正離子因陰極與陽極間的電位差而被引出,。離子能量一般很低（50-150eV）,，但離子流密度較高,，發(fā)散角大,，維護(hù)容易,。

真空鍍膜：多弧離子鍍：多弧離子鍍又稱作為電弧離子鍍,，由于在陰極上有多個弧斑持續(xù)呈現(xiàn)，所以稱作為“多弧”,。多弧離子鍍的主要特點(diǎn)說明：陰極電弧蒸發(fā)離化源可從固體陰極直接產(chǎn)生等離子體,，而不產(chǎn)生熔池,，所以可以任意方位布置,，也可采用多個蒸發(fā)離化源,。鍍料的離化率高,，一般達(dá)60%～90%,，卓著提高與基體的結(jié)合力改善膜層的性能,。沉積速率高,，改善鍍膜的效率,。設(shè)備結(jié)構(gòu)簡單,，弧電源工作在低電壓大電流工況,，工作較為安全,。廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所。真空鍍膜中濺射鍍膜有很多種方式,。

真空鍍膜的方法：濺射鍍膜：濺射鍍膜有很多種方式,。按電極結(jié)構(gòu),、電極相對位置以及濺射的過程,可以分為二極濺射,、三極或四極濺射,、磁控濺射,、對向靶濺射,、和ECR濺射,。除此之外還根據(jù)制作各種薄膜的要求改進(jìn)的濺射鍍膜技術(shù),。比較常用的有:在Ar中混入反應(yīng)氣體如O2,、N2,、CH4,、C2H2等,則可制得鈦的氧化物,、氮化物,、碳化物等化合物薄膜的反應(yīng)濺射。在成膜的基板上施加直到500V的負(fù)電壓,使離子轟擊膜層的同時成膜,由此改善膜層致密性的偏壓濺射,。真空鍍膜機(jī)大功率脈沖磁控濺射技術(shù)的脈沖峰值功率是普通磁控濺射的100倍，在1000~3000W/cm2范圍,。西安真空鍍膜廠家

真空鍍膜的操作規(guī)程：把零件放入酸洗或堿洗槽中時,，應(yīng)輕拿輕放，不得碰撞及濺出,。蚌埠真空鍍膜工藝

PECVD( Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積,，等離子體是物質(zhì)分子熱運(yùn)動加劇，相互間的碰撞會導(dǎo)致氣體分子產(chǎn)生電離,，物質(zhì)就會變成自由運(yùn)動并由相互作用的正離子,、電子和中性粒子組成的混合物。使用等離子體增強(qiáng)氣相沉積法（PECVD）可在低溫（200-350℃）沉積出良好的氧化硅薄膜,，已被廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體器件工藝當(dāng)中,。在LED工藝當(dāng)中，因為PECVD生長出的氧化硅薄膜具有結(jié)構(gòu)致密,，介電強(qiáng)度高,、硬度大等優(yōu)點(diǎn)，而且氧化硅薄膜對可見光波段吸收系數(shù)很小，所以氧化硅被用于芯片的絕緣層和鈍化層,。蚌埠真空鍍膜工藝

廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所是一家有著雄厚實力背景,、信譽(yù)可靠、勵精圖治,、展望未來,、有夢想有目標(biāo)，有組織有體系的公司,，堅持于帶領(lǐng)員工在未來的道路上大放光明,，攜手共畫藍(lán)圖，在廣東省等地區(qū)的電子元器件行業(yè)中積累了大批忠誠的客戶粉絲源,，也收獲了良好的用戶口碑,，為公司的發(fā)展奠定的良好的行業(yè)基礎(chǔ)，也希望未來公司能成為*****,，努力為行業(yè)領(lǐng)域的發(fā)展奉獻(xiàn)出自己的一份力量,，我們相信精益求精的工作態(tài)度和不斷的完善創(chuàng)新理念以及自強(qiáng)不息，斗志昂揚(yáng)的的企業(yè)精神將**廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所供應(yīng)和您一起攜手步入輝煌,，共創(chuàng)佳績,，一直以來，公司貫徹執(zhí)行科學(xué)管理,、創(chuàng)新發(fā)展,、誠實守信的方針，員工精誠努力,，協(xié)同奮取,，以品質(zhì)、服務(wù)來贏得市場,，我們一直在路上,！