高速率磁控濺射的一個固有的性質(zhì)是產(chǎn)生大量的濺射粒子而獲得高的薄膜沉積速率。高的沉積速率意味著高的粒子流飛向基片,，導(dǎo)致沉積過程中大量粒子的能量被轉(zhuǎn)移到生長薄膜上,，引起沉積溫度明顯增加。由于濺射離子的能量大約70%需要從陰極冷卻水中帶走,，薄膜的較大濺射速率將受到濺射靶冷卻的限制,。冷卻不但靠足夠的冷卻水循環(huán)，還要求良好的靶材導(dǎo)熱率及較薄膜的靶厚度,。同時(shí)高速率磁控濺射中典型的靶材利用率只有20%～30%，因而提高靶材利用率也是有待于解決的一個問題,。在微電子領(lǐng)域作為一種非熱式鍍膜技術(shù),，主要應(yīng)用在化學(xué)氣相沉積或金屬有機(jī)。江蘇平衡磁控濺射步驟

磁控濺射的工藝研究：1,、系統(tǒng)參數(shù)：工藝會受到很多參數(shù)的影響,。其中，一些是可以在工藝運(yùn)行期間改變和控制的;而另外一些則雖然是固定的,，但是一般在工藝運(yùn)行前可以在一定范圍內(nèi)進(jìn)行控制,。兩個重要的固定參數(shù)是：靶結(jié)構(gòu)和磁場。2,、靶結(jié)構(gòu)：每個單獨(dú)的靶都具有其自身的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和顆粒方向,。由于內(nèi)部結(jié)構(gòu)的不同，兩個看起來完全相同的靶材可能會出現(xiàn)迥然不同的濺射速率,。在鍍膜操作中,，如果采用了新的或不同的靶，應(yīng)當(dāng)特別注意這一點(diǎn),。如果所有的靶材塊在加工期間具有相似的結(jié)構(gòu),，調(diào)節(jié)電源，根據(jù)需要提高或降低功率可以對它進(jìn)行補(bǔ)償,。在一套靶中,，由于顆粒結(jié)構(gòu)不同，也會產(chǎn)生不同的濺射速率,。這也需要在鍍膜期間加以注意,。不過，這種情況只有通過更換靶材才能得到解決,，這時(shí)候?yàn)榱说玫絻?yōu)良的膜層,，必須重新調(diào)整功率或傳動速度。因?yàn)樗俣葘τ诋a(chǎn)品是至關(guān)重要的,，所以標(biāo)準(zhǔn)而且適當(dāng)?shù)恼{(diào)整方法是提高功率,。河南智能磁控濺射鍍膜高能脈沖磁控濺射技術(shù)是利用較高的脈沖峰值功率和較低的脈沖占空比來產(chǎn)生濺射的一種磁控濺射技術(shù),。

真空鍍膜機(jī)磁控濺射方式：直流濺射方法用于被濺射材料為導(dǎo)電材料的濺射和反應(yīng)濺射鍍膜中，其工藝設(shè)備簡單,，有較高的濺射速率,。中頻交流磁控濺射在單個陰極靶系統(tǒng)中，與脈沖磁控濺射有同樣的釋放電荷,、防止打弧作用,。中頻交流濺射技術(shù)還應(yīng)用于孿生靶濺射系統(tǒng)中，中頻交流孿生靶濺射是將中頻交流電源的兩個輸出端,，分別接到閉合磁場非平衡濺射雙靶的各自陰極上,，因而在雙靶上分別獲得相位相反的交流電壓，一對磁控濺射靶則交替成為陰極和陽極,。孿生靶濺射技術(shù)大幅度提高磁控濺射運(yùn)行的穩(wěn)定性,，可避免被毒化的靶面產(chǎn)生電荷積累，引起靶面電弧打火以及陽極消失的問題,，濺射速率高,，為化合物薄膜的工業(yè)化大規(guī)模生產(chǎn)奠定基礎(chǔ)。

磁控濺射的基本原理是利用Ar一O2混合氣體中的等離子體在電場和交變磁場的作用下,，被加速的高能粒子轟擊靶材表面,，能量交換后，靶材表面的原子脫離原晶格而逸出,，轉(zhuǎn)移到基體表面而成膜,。磁控濺射的特點(diǎn)是成膜速率高，基片溫度低,，膜的粘附性好,，可實(shí)現(xiàn)大面積鍍膜。該技術(shù)可以分為直流磁控濺射法和射頻磁控濺射法,。磁控濺射是70年代迅速發(fā)展起來的一種“高速低溫濺射技術(shù)”,。磁控濺射是在陰極靶的表面上方形成一個正交電磁場。當(dāng)濺射產(chǎn)生的二次電子在陰極位降區(qū)內(nèi)被加速為高能電子后,，并不直接飛向陽極,，而是在正交電磁場作用下作來回振蕩的近似擺線的運(yùn)動。高能電子不斷與氣體分子發(fā)生碰撞并向后者轉(zhuǎn)移能量,，使之電離而本身變成低能電子,。這些低能電子較終沿磁力線漂移到陰極附近而被吸收，避免高能電子對極板的強(qiáng)烈轟擊,，消除了二極濺射中極板被轟擊加熱和被電子輻照引起的損傷,，體現(xiàn)出磁控濺射中極板“低溫”的特點(diǎn)。由于外加磁場的存在,，電子的復(fù)雜運(yùn)動增加了電離率,，實(shí)現(xiàn)了高速濺射,。磁控濺射的技術(shù)特點(diǎn)是要在陰極靶面附件產(chǎn)生與電場方向垂直的磁場，一般采用永久磁鐵實(shí)現(xiàn),。安裝鍍膜基片或工件的樣品臺以及真空室接地,，作為陽極。

磁控濺射鍍膜常見領(lǐng)域應(yīng)用：磁控濺射方法可用于制備多種材料,如金屬,、半導(dǎo)體,、絕緣子等.它具有設(shè)備簡單、易于控制,、涂覆面積大,、附著力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn).磁控濺射發(fā)展至今，除了上述一般濺射方法的優(yōu)點(diǎn)外,，還實(shí)現(xiàn)了高速,、低溫、低損傷,。1,、各種功能薄膜：如具有吸收,、透射,、反射、折射,、偏振等功能,。例如，在低溫下沉積氮化硅減反射膜以提高太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率,。2,、微電子：可作為非熱鍍膜技術(shù)，主要用于化學(xué)氣相沉積,。3,、裝飾領(lǐng)域的應(yīng)用：如各種全反射膜和半透明膜；比如手機(jī)殼,、鼠標(biāo)等,。4、一些不適合化學(xué)氣相沉積的材料可以通過磁控濺射沉積,，這種方法可以獲得均勻的大面積薄膜,。5、機(jī)械工業(yè)：如表面功能膜,、超硬膜,、自潤滑膜等。這些膜能有效提高表面硬度,、復(fù)合韌性,、耐磨性和高溫化學(xué)穩(wěn)定性,，從而大幅度提高產(chǎn)品的使用壽命。6,、光領(lǐng)域：閉場非平衡磁控濺射技術(shù)也已應(yīng)用于光學(xué)薄膜,、低輻射玻璃和透明導(dǎo)電玻璃，特別是,，透明導(dǎo)電玻璃普遍應(yīng)用于平板顯示器件,、太陽能電池、微波和射頻屏蔽器件和器件,、傳感器等,。磁控濺射鍍膜的適用范圍：高級產(chǎn)品零/部件表面的裝飾鍍中的應(yīng)用。湖南磁控濺射技術(shù)

磁控濺射的優(yōu)點(diǎn)：沉積速率高,。江蘇平衡磁控濺射步驟

磁控濺射技術(shù)發(fā)展過程中各項(xiàng)技術(shù)的突破一般集中在等離子體的產(chǎn)生以及對等離子體進(jìn)行的控制等方面,。通過對電磁場、溫度場和空間不同種類粒子分布參數(shù)的控制,，使膜層質(zhì)量和屬性滿足各行業(yè)的要求,。膜厚均勻性與磁控濺射靶的工作狀態(tài)息息相關(guān)，如靶的刻蝕狀態(tài),，靶的電磁場設(shè)汁等,，因此，為保證膜厚均勻性,，國外的薄膜制備公司或鍍膜設(shè)備制造公司都有各自的關(guān)于鍍膜設(shè)備(包括中心部件“靶”)的整套設(shè)計(jì)方案,。同時(shí)，還有很多專門從事靶的分析,、設(shè)計(jì)和制造的公司,，并開發(fā)相關(guān)的應(yīng)用設(shè)計(jì)軟件，根據(jù)客戶的要求對設(shè)備進(jìn)行優(yōu)化設(shè)計(jì),。國內(nèi)在鍍膜設(shè)備的分析及設(shè)計(jì)方面與國際先進(jìn)水平之間還存在較大差距,。江蘇平衡磁控濺射步驟

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