反應磁控濺射：以金屬,、合金,、低價金屬化合物或半導體材料作為靶陰極，在濺射過程中或在基片表面沉積成膜過程中與氣體粒子反應生成化合物薄膜,，這就是反應磁控濺射,。反應磁控濺射普遍應用于化合物薄膜的大批量生產，這是因為(1)反應磁控濺射所用的靶材料和反應氣體純度很高,，因而有利于制備高純度的化合物薄膜,。(2)通過調節(jié)反應磁控濺射中的工藝參數,可以制備化學配比或非化學配比的化合物薄膜，通過調節(jié)薄膜的組成來調控薄膜特性,。(3)反應磁控濺射沉積過程中基板升溫較小,，而且制膜過程中通常也不要求對基板進行高溫加熱，因此對基板材料的限制較少,。(4)反應磁控濺射適于制備大面積均勻薄膜,，并能實現單機年產上百萬平方米鍍膜的工業(yè)化生產。磁控濺射特點：可制備成靶的材料廣,，幾乎所有金屬，合金和陶瓷材料都可以制成靶材,。河南脈沖磁控濺射處理

磁控濺射的原理：靶材背面加上強磁體,，形成磁場。在正負電極間施以高的電壓產生等離子體,，使氬氣發(fā)生輝光放電,。等離子體中的電子在相互垂直的電場和磁場的共同作用下做螺旋式運動，飛向正電極,，在運動過程中與氬氣原子發(fā)生碰撞,，產生Ar離子和電子，帶負電的電子又在相互垂直的電場和磁場的共同作用下向正電級做螺旋式運動,，電子再次與氬氣原子發(fā)生碰撞,，隨著碰撞次數的增大，電子的能量逐漸降低,，較后落在襯底上,，這就使得高速電子對襯底轟擊產生的溫升大幅度降低。Ar離子向負極加速運動,，與靶材發(fā)生碰撞,。能量適當的Ar離子離子轟擊靶材后使得靶材原子脫離靶材表面，較后沉積在襯底上形成薄膜,。單靶磁控濺射要多少錢雙靶磁控濺射儀是一款高真空鍍膜設備,。

直流磁控濺射所用的電源是直流高壓電源，通常在300～1000V,，特點是濺射速率快,，造價低,，后期維修保養(yǎng)廉價?？墒侵荒転R射金屬靶材,，假如靶材是絕緣體，隨著濺射的深化,，靶材會聚集很多的電荷,，導致濺射無法持續(xù)。因而關于金屬靶材通常用直流磁控濺射,，因為造價廉價,，結構簡略，目前在工業(yè)上使用普遍,。脈沖磁控濺射是采用脈沖電源或者直流電源與脈沖生成裝置配合,，輸出脈沖電流驅動磁控濺射沉積。一般使用矩形波電壓,，既容易獲得又有利于研究濺射放電等離子體的變化過程,。工作模式與中頻濺射。

磁控濺射的工藝研究：濺射變量：電壓和功率：在氣體可以電離的壓強范圍內如果改變施加的電壓,，電路中等離子體的阻抗會隨之改變,，引起氣體中的電流發(fā)生變化。改變氣體中的電流可以產生更多或更少的離子,，這些離子碰撞靶體就可以控制濺射速率,。一般來說，提高電壓可以提高離化率,。這樣電流會增加,，所以會引起阻抗的下降。提高電壓時,，阻抗的降低會大幅度地提高電流,，即大幅度提高了功率。如果氣體壓強不變,，濺射源下的基片的移動速度也是恒定的,，那么沉積到基片上的材料的量則決定于施加在電路上的功率。在VONARDENNE鍍膜產品中所采用的范圍內,，功率的提高與濺射速率的提高是一種線性的關系,。真空室中裝有輝光放電的陰極，靶材就裝在此極表面上,，接受離子轟擊,。

磁控濺射靶材鍍膜過程中，影響靶材鍍膜沉積速率的因素：濺射電壓：濺射電壓對成膜速率的影響有這樣一個規(guī)律：電壓越高，濺射速率越快,，而且這種影響在濺射沉積所需的能量范圍內是緩和的,、漸進的。在影響濺射系數的因素中,，在濺射靶材和濺射氣體之后,，放電電壓確實很重要。一般來說,，在正常的磁控濺射過程中,，放電電壓越高，濺射系數越大,，這意味著入射離子具有更高的能量,。因此，固體靶材的原子更容易被濺射出并沉積在基板上形成薄膜,。真空磁控濺射鍍膜技術所鍍玻璃多用于建筑玻璃和汽車玻璃這兩大用處,。單靶磁控濺射要多少錢

磁控濺射包括很多種類，各有不同工作原理和應用對象,。河南脈沖磁控濺射處理

磁控濺射鍍膜注意事項：1,、輻射:有些鍍膜要用到射頻電源,如功率大,需做好屏蔽處理.另外,歐洲標準在單室鍍膜機門框四周嵌裝金屬線屏蔽輻射;2、金屬污染:鍍膜材料有些(如鉻,、銦,、鋁)是對人體有害的,特別要注意真空室清理過程中出現的粉塵污染;3、噪音污染:如特別是一些大的鍍膜設備,機械真空泵噪音很大,可以把泵隔離在墻外;4,、光污染:離子鍍膜過程中,氣體電離發(fā)出強光,不宜透過觀察窗久看.磁控濺射鍍膜的產品特點。磁控濺射鍍膜的適用范圍：1,、建材及民用工業(yè)中,；2、在鋁合金制品裝飾中的應用,；3,、高級產品零/部件表面的裝飾鍍中的應用；4,、在不銹鋼刀片涂層技術中的應用,；5、在玻璃深加工產業(yè)中的應用,。河南脈沖磁控濺射處理

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