真空鍍膜：反應(yīng)磁控濺射法：制備化合物薄膜可以用各種化學(xué)氣相沉積或物理的氣相沉積方法,。但目前從工業(yè)大規(guī)模生產(chǎn)的要求來看,，物理的氣相沉積中的反應(yīng)磁控濺射沉積技術(shù)具有明顯的優(yōu)勢(shì)，因而被普遍應(yīng)用,，這是因?yàn)椋悍磻?yīng)磁控濺射所用的靶材料(單元素靶或多元素靶)和反應(yīng)氣體(氧,、氮、碳?xì)浠衔锏?通常很容易獲得很高的純度,，因而有利于制備高純度的化合物薄膜,。反應(yīng)磁控濺射中調(diào)節(jié)沉積工藝參數(shù)，可以制備化學(xué)配比或非化學(xué)配比的化合物薄膜,，從而達(dá)到通過調(diào)節(jié)薄膜的組成來調(diào)控薄膜特性的目的,。真空鍍膜中離子鍍的鍍層棱面和凹槽都可均勻鍍復(fù)，不致形成金屬瘤,。遵義鈦金真空鍍膜

真空鍍膜技術(shù)一般分為兩大類,，即物理的氣相沉積技術(shù)和化學(xué)氣相沉積技術(shù)。物理的氣相沉積技術(shù)是指在真空條件下,，利用各種物理方法,，將鍍料氣化成原子、分子或使其離化為離子,，直接沉積到基體表面上的方法,。制備硬質(zhì)反應(yīng)膜大多以物理的氣相沉積方法制得,，它利用某種物理過程,，如物質(zhì)的熱蒸發(fā)，或受到離子轟擊時(shí)物質(zhì)表面原子的濺射等現(xiàn)象,，實(shí)現(xiàn)物質(zhì)原子從源物質(zhì)到薄膜的可控轉(zhuǎn)移過程,。物理的氣相沉積技術(shù)具有膜/基結(jié)合力好,、薄膜均勻致密、薄膜厚度可控性好,、應(yīng)用的靶材普遍,、濺射范圍寬、可沉積厚膜,、可制取成分穩(wěn)定的合金膜和重復(fù)性好等優(yōu)點(diǎn),。同時(shí)，物理的氣相沉積技術(shù)由于其工藝處理溫度可控制在500℃以下,?；瘜W(xué)氣相沉積技術(shù)是把含有構(gòu)成薄膜元素的單質(zhì)氣體或化合物供給基體，借助氣相作用或基體表面上的化學(xué)反應(yīng),，在基體上制出金屬或化合物薄膜的方法,，主要包括常壓化學(xué)氣相沉積、低壓化學(xué)氣相沉積和兼有CVD和PVD兩者特點(diǎn)的等離子化學(xué)氣相沉積等,。遵義鈦金真空鍍膜真空鍍膜技術(shù)四五十年代開始出現(xiàn)工業(yè)應(yīng)用,。

真空鍍膜：眾所周知，在某些材料的表面上,，只要鍍上一層薄膜,，就能使材料具有許多新的、良好的物理和化學(xué)性能,。20世紀(jì)70年代,，在物體表面上鍍膜的方法主要有電鍍法和化學(xué)鍍法。前者是通過通電,，使電解液電解,，被電解的離子鍍到作為另一個(gè)電極的基體表面上，因此這種鍍膜的條件,，基體必須是電的良導(dǎo)體，而且薄膜厚度也難以控制,。后者是采用化學(xué)還原法,，必須把膜材配制成溶液，并能迅速參加還原反應(yīng),，這種鍍膜方法不僅薄膜的結(jié)合強(qiáng)度差,，而且鍍膜既不均勻也不易控制，同時(shí)還會(huì)產(chǎn)生大量的廢液,，造成嚴(yán)重的污染,。因此，這兩種被人們稱之為濕式鍍膜法的鍍膜工藝受到了很大的限制。

在二極濺射中增加一個(gè)平行于靶表面的封閉磁場(chǎng),，借助于靶表面上形成的正交電磁場(chǎng),，把二次電子束縛在靶表面特定區(qū)域來增強(qiáng)電離效率,，增加離子密度和能量,，從而實(shí)現(xiàn)高速率濺射的過程。隨著碰撞次數(shù)的增加,，二次電子的能量消耗殆盡,，逐漸遠(yuǎn)離靶表面，并在電場(chǎng)E的作用下沉積在基片上,。由于該電子的能量很低,，傳遞給基片的能量很小，致使基片溫升較低,。磁控濺射是入射粒子和靶的碰撞過程,。入射粒子在靶中經(jīng)歷復(fù)雜的散射過程，和靶原子碰撞,，把部分動(dòng)量傳給靶原子,，此靶原子又和其他靶原子碰撞，形成級(jí)聯(lián)過程,。在這種級(jí)聯(lián)過程中某些表面附近的靶原子獲得向外運(yùn)動(dòng)的足夠動(dòng)量,，離開靶被濺射出來。真空鍍膜技術(shù)有真空蒸發(fā)鍍膜,。

真空鍍膜技術(shù)：物理的氣相沉積技術(shù)由于其工藝處理溫度可控制在500℃以下,，因此可作為較終的處理工藝用于高速鋼和硬質(zhì)合金類的薄膜刀具上,。采用物理的氣相沉積工藝可大幅度提高刀具的切削性能,，人們?cè)诟?jìng)相開發(fā)高性能、高可靠性設(shè)備的同時(shí),，也對(duì)其應(yīng)用領(lǐng)域的擴(kuò)展，尤其是在高速鋼,、硬質(zhì)合金和陶瓷類刀具中的應(yīng)用進(jìn)行了更加深入的研究,。化學(xué)氣相沉積技術(shù)是把含有構(gòu)成薄膜元素的單質(zhì)氣體或化合物供給基體,，借助氣相作用或基體表面上的化學(xué)反應(yīng)，在基體上制出金屬或化合物薄膜的方法,，主要包括常壓化學(xué)氣相沉積,、低壓化學(xué)氣相沉積和兼有CVD和PVD兩者特點(diǎn)的等離子化學(xué)氣相沉積等,。真空鍍膜技術(shù)首先用于生產(chǎn)光學(xué)鏡片。遵義鈦金真空鍍膜

真空鍍膜鍍的薄膜純度高,。遵義鈦金真空鍍膜

為了獲得性能良好的半導(dǎo)體電極Al膜,，我們通過優(yōu)化工藝參數(shù)，制備了一系列性能優(yōu)越的Al薄膜,。通過理論計(jì)算和性能測(cè)試，分析比較了電子束蒸發(fā)與磁控濺射兩種方法制備Al膜的特點(diǎn),?？紤]Al膜的致密性就相當(dāng)于考慮Al膜的晶粒的大小，密度以及能達(dá)到均勻化的程度,，因?yàn)樗仓苯佑绊慉l膜的其它性能,，進(jìn)而影響半導(dǎo)體嘩啦的性能。氣相沉積的多晶Al膜的晶粒尺寸隨著沉積過程中吸附原子或原子團(tuán)在基片表面遷移率的增加而增加,。由此可以看出Al膜的晶粒尺寸的大小將取決環(huán)于基片溫度,、沉積速度、氣相原子在平行基片方面的速度分量,、基片表面光潔度和化學(xué)活性等因素,。遵義鈦金真空鍍膜

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