光刻膠要有極好的穩(wěn)定性和一致性,，如果質(zhì)量稍微出點(diǎn)問(wèn)題,，損失將會(huì)是巨大的。去年2月,，某半導(dǎo)體代工企業(yè)因?yàn)楣饪棠z的原因?qū)е戮A污染,，報(bào)廢十萬(wàn)片晶圓，直接導(dǎo)致5.5億美元的賬面損失,。除了以上原因外，另一個(gè)重要原因是,，經(jīng)過(guò)幾十年的發(fā)展,，光刻膠已經(jīng)是一個(gè)相當(dāng)成熟且固化的產(chǎn)業(yè)。2010年光刻膠的**出現(xiàn)井噴,，2013年之后,，相關(guān)專利的申請(qǐng)已經(jīng)開(kāi)始銳減。市場(chǎng)較小,，技術(shù)壁壘又高,，這意味著對(duì)于企業(yè)來(lái)說(shuō)，發(fā)展光刻膠性價(jià)比不高,，即便研發(fā)成功一款光刻膠,，也要面臨較長(zhǎng)的認(rèn)證周期，需要與下游企業(yè)建立合作關(guān)系,。目前中國(guó)光刻膠國(guó)產(chǎn)化水平嚴(yán)重不足,，重點(diǎn)技術(shù)差距在半導(dǎo)體光刻膠領(lǐng)域，有2-3代差距,。廣東接觸式光刻

光刻膠行業(yè)具有極高的行業(yè)壁壘,，因此在全球范圍其行業(yè)都呈現(xiàn)寡頭壟斷的局面。光刻膠行業(yè)長(zhǎng)年被日本和美國(guó)專業(yè)公司壟斷,。目前**大廠商就占據(jù)了全球光刻膠市場(chǎng)87%的份額,，行業(yè)集中度高,。并且高分辨率的KrF和ArF半導(dǎo)體光刻膠中心技術(shù)亦基本被日本和美國(guó)企業(yè)所壟斷，產(chǎn)品絕大多數(shù)出自日本和美國(guó)公司,。整個(gè)光刻膠市場(chǎng)格局來(lái)看,，日本是光刻膠行業(yè)的巨頭聚集地。目前中國(guó)大陸對(duì)于電子材料,，特別是光刻膠方面對(duì)國(guó)外依賴較高,。所以在半導(dǎo)體材料方面的國(guó)產(chǎn)代替是必然趨勢(shì)。重慶微納光刻光刻技術(shù)是指在光照作用下,，借助光致抗蝕劑（又名光刻膠）將掩膜版上的圖形轉(zhuǎn)移到基片上的技術(shù),。

光刻是平面型晶體管和集成電路生產(chǎn)中的一個(gè)主要工藝。是對(duì)半導(dǎo)體晶片表面的掩蔽物(如二氧化硅)進(jìn)行開(kāi)孔,，以便進(jìn)行雜質(zhì)的定域擴(kuò)散的一種加工技術(shù),。一般的光刻工藝要經(jīng)歷硅片表面清洗烘干、涂底,、旋涂光刻膠,、軟烘、對(duì)準(zhǔn)曝光,、后烘,、顯影、硬烘,、刻蝕,、檢測(cè)等工序。硅片清洗烘干方法：濕法清洗+去離子水沖洗+脫水烘焙（熱板150～250C,1～2分鐘,，氮?dú)獗Ｗo(hù)）目的：a,、除去表面的污染物（顆粒、有機(jī)物,、工藝殘余,、可動(dòng)離子）；b,、除去水蒸氣,，使基底表面由親水性變?yōu)樵魉裕鰪?qiáng)表面的黏附性（對(duì)光刻膠或者是HMDS-〉六甲基二硅胺烷）,。

光刻（Photolithography)是一種圖形轉(zhuǎn)移的方法,，在微納加工當(dāng)中不可或缺的技術(shù)。光刻是一個(gè)比較大的概念,，其實(shí)它是有多步工序所組成的,。1.清洗：清洗襯底表面的有機(jī)物。2.旋涂：將光刻膠旋涂在襯底表面,。3.曝光,。將光刻版與襯底對(duì)準(zhǔn),，在紫外光下曝光一定的時(shí)間。4.顯影：將曝光后的襯底在顯影液下顯影一定的時(shí)間,，受過(guò)紫外線曝光的地方會(huì)溶解在顯影液當(dāng)中,。5.后烘。將顯影后的襯底放置熱板上后烘,，以增強(qiáng)光刻膠與襯底之前的粘附力,。光刻是將掩模版上的圖形轉(zhuǎn)移到涂有光致抗蝕劑（或稱光刻膠）的襯底上，通過(guò)一系列生產(chǎn)步驟將硅片表面薄膜的特定部分除去的一種圖形轉(zhuǎn)移技術(shù),。光刻技術(shù)是借用照相技術(shù),、平板印刷技術(shù)的基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的半導(dǎo)體關(guān)鍵工藝技術(shù)。光刻涂膠四周呈現(xiàn)放射性條紋,，主要可能的原因是光刻膠有顆粒,、襯底未清洗干凈。

光刻膠按應(yīng)用領(lǐng)域分類,，可分為PCB光刻膠,、顯示面板光刻膠、半導(dǎo)體光刻膠及其他光刻膠,。全球市場(chǎng)上不同種類光刻膠的市場(chǎng)結(jié)構(gòu)較為均衡,。智研咨詢的數(shù)據(jù)還顯示，受益于半導(dǎo)體,、顯示面板,、PCB產(chǎn)業(yè)東移的趨勢(shì)，自2011年至今,，光刻膠中國(guó)本土供應(yīng)規(guī)模年華增長(zhǎng)率達(dá)到11%，高于全球平均5%的增速,。2019年中國(guó)光刻膠市場(chǎng)本土企業(yè)銷售規(guī)模約70億元,，全球占比約10%，發(fā)展空間巨大,。目前,，中國(guó)本土光刻膠以PCB用光刻膠為主，平板顯示,、半導(dǎo)體用光刻膠供應(yīng)量占比極低,。每顆芯片誕生之初，都要經(jīng)過(guò)光刻機(jī)的雕刻,，精度要達(dá)到頭發(fā)絲的千分之一,。東莞光刻工藝

接觸式光刻機(jī)，曝光時(shí),，光刻版壓在涂有光刻膠的襯底上,，優(yōu)點(diǎn)是設(shè)備簡(jiǎn)單,，分辨率高，沒(méi)有衍射效應(yīng),。廣東接觸式光刻

光刻噴嘴噴霧模式和硅片旋轉(zhuǎn)速度是實(shí)現(xiàn)硅片間溶解率和均勻性的可重復(fù)性的關(guān)鍵調(diào)節(jié)參數(shù),。水坑（旋覆浸沒(méi)）式顯影（PuddleDevelopment）。噴覆足夠（不能太多,，較小化背面濕度）的顯影液到硅片表面,，并形成水坑形狀（顯影液的流動(dòng)保持較低，以減少邊緣顯影速率的變化）,。硅片固定或慢慢旋轉(zhuǎn),。一般采用多次旋覆顯影液：首先次涂覆、保持10～30秒,、去除,；第二次涂覆、保持,、去除,。然后用去離子水沖洗（去除硅片兩面的所有化學(xué)品）并旋轉(zhuǎn)甩干。優(yōu)點(diǎn)：顯影液用量少,；硅片顯影均勻,；較小化了溫度梯度。廣東接觸式光刻

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