真空磁控濺射技術(shù)：真空磁控濺射技術(shù)是指一種利用陰極表面配合的磁場形成電子陷阱,，使在E×B的作用下電子緊貼陰極表面飄移,。設(shè)置一個與靶面電場正交的磁場,，濺射時產(chǎn)生的快電子在正交的電磁場中作近似擺線運動,，增加了電子行程,，提高了氣體的離化率，同時高能量粒子與氣體碰撞后失去能量,，基體溫度較低,，在不耐溫材料上可以完成鍍膜。這種技術(shù)是玻璃膜技術(shù)中的較較好技術(shù),，是由航天工業(yè),、兵器工業(yè)、和核工業(yè)三個方面相結(jié)合的較好技術(shù)的民用化,，民用主要是通過這種技術(shù)達到節(jié)能,、環(huán)保等作用。物相沉積技術(shù)普遍應(yīng)用于航空航天,、電子,、光學(xué)、機械,、建筑,、輕工、冶金,、材料等領(lǐng)域,。云南直流磁控濺射流程

磁控濺射的基本原理是利用Ar一O2混合氣體中的等離子體在電場和交變磁場的作用下，被加速的高能粒子轟擊靶材表面,，能量交換后,，靶材表面的原子脫離原晶格而逸出，轉(zhuǎn)移到基體表面而成膜,。磁控濺射的特點是成膜速率高,，基片溫度低，膜的粘附性好,，可實現(xiàn)大面積鍍膜,。該技術(shù)可以分為直流磁控濺射法和射頻磁控濺射法。磁控濺射設(shè)備一般根據(jù)所采用的電源的不同又可分為直流濺射和射頻濺射兩種,。直流磁控濺射的特點是在陽極基片和陰極靶之間加一個直流電壓,，陽離子在電場的作用下轟擊靶材,，它的濺射速率一般都比較大。但是直流濺射一般只能用于金屬靶材,，因為如果是絕緣體靶材,，則由于陽粒子在靶表面積累，造成所謂的“靶中毒”,，濺射率越來越低,。廣東雙靶材磁控濺射磁控濺射在技術(shù)上可以分為直流(DC)磁控濺射、中頻(MF)磁控濺射,、射頻(RF)磁控濺射,。

雙靶磁控濺射儀是一款高真空鍍膜設(shè)備，可用于制備單層或多層鐵電薄膜,、導(dǎo)電薄膜,、合金薄膜、半導(dǎo)體薄膜,、陶瓷薄膜,、介質(zhì)薄膜、光學(xué)薄膜,、氧化物薄膜,、硬質(zhì)薄膜、聚四氟乙烯薄膜等,。研究所生產(chǎn)的DC系列的數(shù)字型熱式氣體流量控制器在該設(shè)備中使用,，產(chǎn)品采用全數(shù)字架構(gòu)，新型的傳感制作工藝,，通訊方式兼容：0-5V,、4-20mA、RS485通訊模式,，一鍵切換通訊信號,，操作簡單方便。雙室磁控濺射沉積系統(tǒng)是帶有進樣室的高真空多功能磁控濺射鍍膜設(shè)備,。它可用于在高真空背景下,，充入高純氬氣，采用磁控濺射方式制備各種金屬膜,、介質(zhì)膜,、半導(dǎo)體膜，而且又可以較好地濺射鐵磁材料（Fe,、Co,、Ni），制備磁性薄膜,。在鍍膜工藝條件下,，采用微機控制樣品轉(zhuǎn)盤和靶擋板,，既可以制備單層膜，又可以制備各種多層膜,，為新材料和薄膜科學(xué)研究領(lǐng)域提供了十分理想的研制手段,。

物相沉積技術(shù)是指在真空條件下采用物理方法將材料源表面氣化成氣態(tài)原子或分子，或部分電離成離子,，并通過低壓氣體過程,，在基體表面沉積具有某種特殊功能的薄膜的技術(shù)，物相沉積是主要的表面處理技術(shù)之一,。PVD鍍膜技術(shù)主要分為三類：真空蒸發(fā)鍍膜、真空濺射鍍膜和真空離子鍍膜,。物相沉積的主要方法有：真空蒸鍍,、濺射鍍膜、電弧等離子體鍍膜,、離子鍍膜和分子束外延等,。相應(yīng)的真空鍍膜設(shè)備包括真空蒸發(fā)鍍膜機、真空濺射鍍膜機和真空離子鍍膜機,。隨著沉積方法和技術(shù)的提升,，物相沉積技術(shù)不只可沉積金屬膜、合金膜,、還可以沉積化合物,、陶瓷、半導(dǎo)體,、聚合物膜等,。物相沉積技術(shù)早在20世紀初已有些應(yīng)用，但30年迅速發(fā)展成為一門極具廣闊應(yīng)用前景的新技術(shù),，并向著環(huán)保型,、清潔型趨勢發(fā)展。在鐘表行業(yè),，尤其是高級手表金屬外觀件的表面處理方面達到越來越為普遍的應(yīng)用,。磁控濺射是在陰極靶的表面上方形成一個正交電磁。

反應(yīng)磁控濺射適于制備大面積均勻薄膜,，并能實現(xiàn)單機年產(chǎn)上百萬平方米鍍膜的工業(yè)化生產(chǎn),。但是，直流反應(yīng)濺射的反應(yīng)氣體會在靶表面非侵蝕區(qū)形成絕緣介質(zhì)層,，造成電荷積累放電,，導(dǎo)致沉積速率降低和不穩(wěn)定，進而影響薄膜的均勻性及重復(fù)性,，甚至損壞靶和基片,。為了解決這一問題,，近年來發(fā)展了一系列穩(wěn)定等離子體以控制沉積速率，提高薄膜均勻性和重復(fù)性的技術(shù),。(1)采用雙靶中頻電源解決反應(yīng)磁控濺射過程中因陽極被絕緣介質(zhì)膜覆蓋而造成的等離子體不穩(wěn)定現(xiàn)象,，同時還解決了電荷積累放電的問題。(2)利用等離子發(fā)射譜監(jiān)測等離子體中的金屬粒子含量,，調(diào)節(jié)反應(yīng)氣體流量使等離子體放電電壓穩(wěn)定,，從而使沉積速率穩(wěn)定。(3)使用圓柱形旋轉(zhuǎn)靶減小絕緣介質(zhì)膜的覆蓋面積,。(4)降低輸入功率,，并使用能夠在放電時自動切斷輸出功率的智能電源抑制電弧。(5)反應(yīng)過程與沉積過程分室進行,，既能有效提高薄膜沉積速率,，又能使反應(yīng)氣體與薄膜表面充分反應(yīng)生成化合物薄膜。高能電子不斷與氣體分子發(fā)生碰撞并向后者轉(zhuǎn)移能量,，使之電離而本身變成低能電子,。云南脈沖磁控濺射分類

玻璃基片在陰極下的移動是通過傳動來進行的。云南直流磁控濺射流程

真空磁控濺射涂層技術(shù)與真空蒸發(fā)涂層技術(shù)的區(qū)別：真空磁控濺射涂層技術(shù)不同于真空蒸發(fā)涂層技術(shù),。濺射是指荷能顆粒轟擊固體表面,，使固體原子或分子從表面射出的現(xiàn)象。大多數(shù)粒子是原子狀態(tài),，通常稱為濺射原子,。用于轟擊目標的濺射顆粒可以是電子,、離子或中性顆粒,，因為離子很容易加速電場下所需的動能，所以大多數(shù)都使用離子作為轟擊顆粒,。濺射過程是基于光放電,，即濺射離子來自氣體放電。不同的濺射技術(shù)使用不同的光放電方法,。直流二極濺射采用直流光放電,，三極濺射采用熱陰極支撐光放電，射頻濺射采用射頻光放電,，磁控濺射采用環(huán)磁場控制的光放電,。真空磁控濺射涂層技術(shù)與真空蒸發(fā)涂層技術(shù)相比有許多優(yōu)點。如任何物質(zhì)都能濺射,，特別是高熔點和低蒸汽壓力的元素和化合物,；濺射膜與基板附著力好；膜密度高,；膜厚可控,，重復(fù)性好,。此外，蒸發(fā)法與濺射法相結(jié)合,，即離子鍍,。該方法具有附著力強、沉積率高,、膜密度高等優(yōu)點,。云南直流磁控濺射流程

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