磁控濺射就是在外加電場(chǎng)的兩極之間引入一個(gè)磁場(chǎng),。這個(gè)磁場(chǎng)使得電子受到洛倫茲力的束縛作用,，其運(yùn)動(dòng)路線受到控制，因此大幅度增加了電子與Ar分子（原子）碰撞的幾率,，提高了氣體分子的電離程度,，從而使濺射效率得到很大的提升。濺射現(xiàn)象自發(fā)現(xiàn)以來己被普遍應(yīng)用在多種薄膜的制備中,，如制備金屬,、半導(dǎo)體、合金,、氧化物以及化合物半導(dǎo)體等,。磁控濺射包括很多種類。各有不同工作原理和應(yīng)用對(duì)象,。但有一共同點(diǎn):利用磁場(chǎng)與電場(chǎng)交互作用,，使電子在靶表面附近成螺旋狀運(yùn)行，從而增大電子撞擊氬氣產(chǎn)生離子的概率,。所產(chǎn)生的離子在電場(chǎng)作用下撞向靶面從而濺射出靶材,。磁控濺射在技術(shù)上可以分為直流(DC)磁控濺射、中頻(MF)磁控濺射,、射頻(RF)磁控濺射,。磁控濺射靶的非平衡磁場(chǎng)不只有通過改變內(nèi)外磁體的大小和強(qiáng)度的永磁體獲得，也有由兩組電磁線圈產(chǎn)生,。廣州脈沖磁控濺射用處

磁控濺射生成的薄膜厚度的均勻性是成膜性質(zhì)的一項(xiàng)重要指標(biāo),，因此有必要研究影響磁控濺射均勻性的因素，以更好的實(shí)現(xiàn)磁控濺射均勻鍍膜,。簡(jiǎn)單的說磁控濺射就是在正交的電磁場(chǎng)中,，閉合的磁場(chǎng)束縛電子圍繞靶面做螺線運(yùn)動(dòng)，在運(yùn)動(dòng)過程中不斷撞擊工作氣體氬氣電離出大量的氬離子,，氬離子在電場(chǎng)作用下加速轟擊靶材,，濺射出呈中性的靶原子（或分子）沉積在基片上成膜。所以要實(shí)現(xiàn)均勻的鍍膜,，就需要均勻的濺射出靶原子（或分子）,，這就要求轟擊靶材的氬離子是均勻的且是均勻的轟擊的。由于氬離子在電場(chǎng)作用下加速轟擊靶材,，所以均勻轟擊很大程度上依賴電場(chǎng)的均勻,。廣州脈沖磁控濺射用處磁控濺射鍍膜的適用范圍：在玻璃深加工產(chǎn)業(yè)中的應(yīng)用。

平衡磁控濺射即傳統(tǒng)的磁控濺射，是在陰極靶材背后放置芯部與外環(huán)磁場(chǎng)強(qiáng)度相等或相近的永磁體或電磁線圈,，在靶材表面形成與電場(chǎng)方向垂直的磁場(chǎng),。沉積室充入一定量的工作氣體，通常為Ar,，在高壓作用下Ar原了電離成為Ar+離子和電子,，產(chǎn)生輝光放電，Ar+離子經(jīng)電場(chǎng)加速轟擊靶材,，濺射出靶材原子,、離子和二次電子等。電子在相互垂直的電磁場(chǎng)的作用下,，以擺線方式運(yùn)動(dòng),，被束縛在靶材表面，延長(zhǎng)了其在等離子體中的運(yùn)動(dòng)軌跡,，增加其參與氣體分子碰撞和電離的過程,，電離出更多的離子，提高了氣體的離化率,，在較低的氣體壓力下也可維持放電,，因而磁控濺射既降低濺射過程中的氣體壓力，也同時(shí)提高了濺射的效率和沉積速率,。

非平衡磁控濺射系統(tǒng)有兩種結(jié)構(gòu),，一種是其芯部磁場(chǎng)強(qiáng)度比外環(huán)高，磁力線沒有閉合,，被引向真空室壁,，基體表面的等離子體密度低，因此該方式很少被采用,。另一種是外環(huán)磁場(chǎng)強(qiáng)度高于芯部磁場(chǎng)強(qiáng)度,，磁力線沒有完全形成閉合回路,，部分外環(huán)的磁力線延伸到基體表面,，使得部分二次電子能夠沿著磁力線逃逸出靶材表面區(qū)域，同時(shí)再與中性粒子發(fā)生碰撞電離,，等離子體不再被完全限制在靶材表面區(qū)域,，而是能夠到達(dá)基體表面，進(jìn)一步增加鍍膜區(qū)域的離子濃度,，使襯底離子束流密度提高,，通常可達(dá)5mA/cm2以上,。這樣濺射源同時(shí)又是轟擊基體表面的離子源,，基體離子束流密度與靶材電流密度成正比，靶材電流密度提高,，沉積速率提高,，同時(shí)基體離子束流密度提高,，對(duì)沉積膜層表面起到一定的轟擊作用。靶源分平衡式和非平衡式,，平衡式靶源鍍膜均勻,，非平衡式靶源鍍膜膜層和基體結(jié)合力強(qiáng)。

真空鍍膜機(jī)磁控濺射方式：直流濺射方法用于被濺射材料為導(dǎo)電材料的濺射和反應(yīng)濺射鍍膜中,，其工藝設(shè)備簡(jiǎn)單,，有較高的濺射速率。中頻交流磁控濺射在單個(gè)陰極靶系統(tǒng)中,，與脈沖磁控濺射有同樣的釋放電荷,、防止打弧作用。中頻交流濺射技術(shù)還應(yīng)用于孿生靶濺射系統(tǒng)中,，中頻交流孿生靶濺射是將中頻交流電源的兩個(gè)輸出端,，分別接到閉合磁場(chǎng)非平衡濺射雙靶的各自陰極上，因而在雙靶上分別獲得相位相反的交流電壓,，一對(duì)磁控濺射靶則交替成為陰極和陽極,。孿生靶濺射技術(shù)大幅度提高磁控濺射運(yùn)行的穩(wěn)定性，可避免被毒化的靶面產(chǎn)生電荷積累,，引起靶面電弧打火以及陽極消失的問題,，濺射速率高，為化合物薄膜的工業(yè)化大規(guī)模生產(chǎn)奠定基礎(chǔ),。磁控濺射主要用于在經(jīng)予處理的塑料,、陶瓷等制品表面蒸鍍金屬薄膜、七彩膜仿金膜等,。廣州脈沖磁控濺射用處

脈沖磁控濺射是采用矩形波電壓的脈沖電源代替?zhèn)鹘y(tǒng)直流電源進(jìn)行磁控濺射沉積,。廣州脈沖磁控濺射用處

磁控濺射的工藝研究：1、系統(tǒng)參數(shù)：工藝會(huì)受到很多參數(shù)的影響,。其中,，一些是可以在工藝運(yùn)行期間改變和控制的;而另外一些則雖然是固定的，但是一般在工藝運(yùn)行前可以在一定范圍內(nèi)進(jìn)行控制,。兩個(gè)重要的固定參數(shù)是：靶結(jié)構(gòu)和磁場(chǎng),。2、靶結(jié)構(gòu)：每個(gè)單獨(dú)的靶都具有其自身的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和顆粒方向,。由于內(nèi)部結(jié)構(gòu)的不同,，兩個(gè)看起來完全相同的靶材可能會(huì)出現(xiàn)迥然不同的濺射速率。在鍍膜操作中,，如果采用了新的或不同的靶,，應(yīng)當(dāng)特別注意這一點(diǎn)。如果所有的靶材塊在加工期間具有相似的結(jié)構(gòu)，調(diào)節(jié)電源,，根據(jù)需要提高或降低功率可以對(duì)它進(jìn)行補(bǔ)償,。在一套靶中，由于顆粒結(jié)構(gòu)不同,，也會(huì)產(chǎn)生不同的濺射速率,。這也需要在鍍膜期間加以注意。不過,，這種情況只有通過更換靶材才能得到解決,，這時(shí)候?yàn)榱说玫絻?yōu)良的膜層，必須重新調(diào)整功率或傳動(dòng)速度,。因?yàn)樗俣葘?duì)于產(chǎn)品是至關(guān)重要的,，所以標(biāo)準(zhǔn)而且適當(dāng)?shù)恼{(diào)整方法是提高功率。廣州脈沖磁控濺射用處

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