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廣州射頻磁控濺射原理

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2022-11-10

磁控濺射的材料性能:如果靶材是磁性材料,磁力線(xiàn)被靶材屏蔽,,磁力線(xiàn)難以穿透靶材在靶材表面上方形成磁場(chǎng),,磁控的作用將大幅度降低。因此,,濺射磁性材料時(shí),,一方面要求磁控靶的磁場(chǎng)要強(qiáng)一些,另一方面靶材也要制備的薄一些,,以便磁力線(xiàn)能穿過(guò)靶材,,在靶面上方產(chǎn)生磁控作用。磁控濺射設(shè)備一般根據(jù)所采用的電源的不同又可分為直流濺射和射頻濺射兩種,。直流磁控濺射的特點(diǎn)是在陽(yáng)極基片和陰極靶之間加一個(gè)直流電壓,,陽(yáng)離子在電場(chǎng)的作用下轟擊靶材,它的濺射速率一般都比較大,。雙靶磁控濺射儀是一款高真空鍍膜設(shè)備,。廣州射頻磁控濺射原理

廣州射頻磁控濺射原理,磁控濺射

磁控濺射鍍膜常見(jiàn)領(lǐng)域應(yīng)用:1.一些不適合化學(xué)氣相沉積(MOCVD)的材料可以通過(guò)磁控濺射沉積,這種方法可以獲得均勻的大面積薄膜,。2.機(jī)械工業(yè):如表面功能膜,、超硬膜、自潤(rùn)滑膜等.這些膜能有效提高表面硬度,、復(fù)合韌性,、耐磨性和高溫化學(xué)穩(wěn)定性,,從而大幅度提高產(chǎn)品的使用壽命.3.光領(lǐng)域:閉場(chǎng)非平衡磁控濺射技術(shù)也已應(yīng)用于光學(xué)薄膜(如增透膜)、低輻射玻璃和透明導(dǎo)電玻璃.特別是,,透明導(dǎo)電玻璃普遍應(yīng)用于平板顯示器件,、太陽(yáng)能電池、微波和射頻屏蔽器件和器件,、傳感器等,。天津?qū)I(yè)磁控濺射設(shè)備一般的濺射法可被用于制備金屬、半導(dǎo)體,、絕緣體等多材料,,且具有設(shè)備簡(jiǎn)單、易于控制,、附著力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn),。

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真空磁控濺射鍍膜工藝具備以下特點(diǎn):1、沉積速率大,。由于采用高速磁控電極,,可獲得的離子流很大,有效提高了此工藝鍍膜過(guò)程的沉積速率和濺射速率,。與其它濺射鍍膜工藝相比,,磁控濺射的產(chǎn)能高、產(chǎn)量大,、于各類(lèi)工業(yè)生產(chǎn)中得到普遍應(yīng)用,。2、功率效率高,。磁控濺射靶一般選擇200V-1000V范圍之內(nèi)的電壓,,通常為600V,因?yàn)?00V的電壓剛好處在功率效率的較高有效范圍之內(nèi),。3,、濺射能量低。磁控靶電壓施加較低,,磁場(chǎng)將等離子體約束在陰極附近,,可防止較高能量的帶電粒子入射到基材上。

直流濺射的結(jié)構(gòu)原理:真空室中裝有輝光放電的陰極,,靶材就裝在此極表面上,,接受離子轟擊;安裝鍍膜基片或工件的樣品臺(tái)以及真空室接地,,作為陽(yáng)極,。操作時(shí)將真空室抽至高真空后,通入氬氣,并使其真空度維持在1.0Pa左右,,再加上2-3kV的直流電壓于兩電極之上,,即可產(chǎn)生輝光放電。此時(shí),,在靶材附近形成高密度的等離子體區(qū),,即負(fù)輝區(qū)該區(qū)中的離子在直流電壓的加速下轟擊靶材即發(fā)生濺射效應(yīng)。由靶材表面濺射出來(lái)的原子沉積在基片或工件上,,形成鍍層,。磁控濺射的優(yōu)點(diǎn):沉積速率高。

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高速率磁控濺射本質(zhì)特點(diǎn)是產(chǎn)生大量的濺射粒子,,導(dǎo)致較高的沉積速率。實(shí)驗(yàn)表明在較大的靶源密度在高速濺射,,靶的濺射和局部蒸發(fā)同時(shí)發(fā)生,,兩種過(guò)程的結(jié)合保證了較大的沉積速率(幾μm/min)并導(dǎo)致薄膜的結(jié)構(gòu)發(fā)生變化。與通常的磁控濺射比較,,高速濺射和自濺射的特點(diǎn)在于較高的靶功率密度Wt=Pd/S>50Wcm-2,,(Pd為磁控靶功率,S為靶表面積),。高速濺射有一定的限制,,因此在特殊的環(huán)境才能保持高速濺射,如足夠高的靶源密度,,靶材足夠的產(chǎn)額和濺射氣體壓力,,并且要獲得較大氣體的離化率。較大限制高速沉積薄膜的是濺射靶的冷卻,。高速率磁控濺射的一個(gè)固有的性質(zhì)是產(chǎn)生大量的濺射粒子而獲得高的薄膜沉積速率,。廣州射頻磁控濺射原理

磁控濺射設(shè)備一般根據(jù)所采用的電源的不同又可分為直流濺射和射頻濺射兩種。廣州射頻磁控濺射原理

PVD技術(shù)特征:過(guò)濾陰極?。哼^(guò)濾陰極電弧配有高效的電磁過(guò)濾系統(tǒng),,可將弧源產(chǎn)生的等離子體中的宏觀(guān)大顆粒過(guò)濾掉,因此制備的薄膜非常致密和平整光滑,,具有抗腐蝕性能好,,與機(jī)體的結(jié)合力很強(qiáng)。離子束:離子束加工是在真空條件下,,先由電子槍產(chǎn)生電子束,,再引入已抽成真空且充滿(mǎn)惰性氣體之電離室中,使低壓惰性氣體離子化,。由負(fù)極引出陽(yáng)離子又經(jīng)加速,、集束等步驟,獲得具有一定速度的離子投射到材料表面,,產(chǎn)生濺射效應(yīng)和注入效應(yīng),。由于離子帶正電荷,,其質(zhì)量比電子大數(shù)千、數(shù)萬(wàn)倍,,所以離子束比電子束具有更大的撞擊動(dòng)能,,是靠微觀(guān)的機(jī)械撞擊能量來(lái)加工的。廣州射頻磁控濺射原理

廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所發(fā)展規(guī)模團(tuán)隊(duì)不斷壯大,,現(xiàn)有一支專(zhuān)業(yè)技術(shù)團(tuán)隊(duì),,各種專(zhuān)業(yè)設(shè)備齊全。專(zhuān)業(yè)的團(tuán)隊(duì)大多數(shù)員工都有多年工作經(jīng)驗(yàn),,熟悉行業(yè)專(zhuān)業(yè)知識(shí)技能,,致力于發(fā)展芯辰實(shí)驗(yàn)室,微納加工的品牌。公司堅(jiān)持以客戶(hù)為中心,、面向半導(dǎo)體光電子器件,、功率電子器件、MEMS,、生物芯片等前沿領(lǐng)域,,致力于打造***的公益性、開(kāi)放性,、支撐性樞紐中心,。平臺(tái)擁有半導(dǎo)體制備工藝所需的整套儀器設(shè)備,建立了一條實(shí)驗(yàn)室研發(fā)線(xiàn)和一條中試線(xiàn),,加工尺寸覆蓋2-6英寸(部分8英寸),,同時(shí)形成了一支與硬件有機(jī)結(jié)合的專(zhuān)業(yè)人才隊(duì)伍。平臺(tái)當(dāng)前緊抓技術(shù)創(chuàng)新和公共服務(wù),,面向國(guó)內(nèi)外高校,、科研院所以及企業(yè)提供開(kāi)放共享,為技術(shù)咨詢(xún),、創(chuàng)新研發(fā),、技術(shù)驗(yàn)證以及產(chǎn)品中試提供支持。市場(chǎng)為導(dǎo)向,,重信譽(yù),,保質(zhì)量,想客戶(hù)之所想,,急用戶(hù)之所急,,全力以赴滿(mǎn)足客戶(hù)的一切需要。自公司成立以來(lái),,一直秉承“以質(zhì)量求生存,,以信譽(yù)求發(fā)展”的經(jīng)營(yíng)理念,始終堅(jiān)持以客戶(hù)的需求和滿(mǎn)意為重點(diǎn),為客戶(hù)提供良好的微納加工技術(shù)服務(wù),,真空鍍膜技術(shù)服務(wù),,紫外光刻技術(shù)服務(wù),材料刻蝕技術(shù)服務(wù),,從而使公司不斷發(fā)展壯大,。