針對(duì)PVD制備薄膜應(yīng)力的解決辦法主要有：1.提高襯底溫度,，有利于薄膜和襯底間原子擴(kuò)散，并加速反應(yīng)過(guò)程,，有利于形成擴(kuò)散附著,，降低內(nèi)應(yīng)力；2.熱退火處理,，薄膜中存在的各種缺陷是產(chǎn)生本征應(yīng)力的主要原因,，這些缺陷一般都是非平衡缺陷，有自行消失的傾向,，但需要外界給予活化能,。對(duì)薄膜進(jìn)行熱處理，非平衡缺陷大量消失,，薄膜內(nèi)應(yīng)力降低,；3.添加亞層控制多層薄膜應(yīng)力，利用應(yīng)變相消原理,，在薄膜層之間再沉積一層薄膜，控制工藝使其呈現(xiàn)與結(jié)構(gòu)薄膜相反的應(yīng)力狀態(tài),，緩解應(yīng)力帶來(lái)的破壞作用,，整體上抵消內(nèi)部應(yīng)力 真空鍍膜中離子鍍的鍍層棱面和凹槽都可均勻鍍復(fù)，不致形成金屬瘤,。福州納米涂層真空鍍膜

磁控濺射包括很多種類各有不同工作原理和應(yīng)用對(duì)象,。但有一共同點(diǎn)：利用磁場(chǎng)與電場(chǎng)交互作用，使電子在靶表面附近成螺旋狀運(yùn)行,，從而增大電子撞擊氬氣產(chǎn)生離子的概率,。所產(chǎn)生的離子在電場(chǎng)作用下撞向靶面從而濺射出靶材。靶源分平衡和非平衡式,，平衡式靶源鍍膜均勻,，非平衡式靶源鍍膜膜層和基體結(jié)合力強(qiáng),。平衡靶源多用于半導(dǎo)體光學(xué)膜，非平衡多用于磨損裝飾膜,。磁控陰極按照磁場(chǎng)位形分布不同,，大致可分為平衡態(tài)和非平衡磁控陰極。具體應(yīng)用需選擇不一樣的磁控設(shè)備類型,。寶雞新型真空鍍膜真空鍍膜機(jī)鍍膜常用在相機(jī),、望遠(yuǎn)鏡，顯微鏡的目鏡,、物鏡,、棱鏡的表面，用以增加像的照度,。

通過(guò)PVD制備的薄膜通常存在應(yīng)力問(wèn)題,，不同材料與襯底間可能存在壓應(yīng)力或張應(yīng)力，在多層膜結(jié)構(gòu)中可能同時(shí)存在多種形式的應(yīng)力,。薄膜應(yīng)力的起源是薄膜生長(zhǎng)過(guò)程中的某種結(jié)構(gòu)不完整性(雜質(zhì),、空位、晶粒邊界,、錯(cuò)位等),、表面能態(tài)的存在、薄膜與基底界面間的晶格錯(cuò)配等.對(duì)于薄膜應(yīng)力主要有以下原因：1.薄膜生長(zhǎng)初始階段,，薄膜面和界面的表面張力的共同作用,；2.沉積過(guò)程中膜面溫度遠(yuǎn)高于襯底溫度產(chǎn)生熱應(yīng)變；3.薄膜和襯底間點(diǎn)陣錯(cuò)配而產(chǎn)生界面應(yīng)力,；4.金屬膜氧化后氧化物原子體積增大產(chǎn)生壓應(yīng)力,；5.斜入射造成各向異性成核、生長(zhǎng),；6.薄膜內(nèi)產(chǎn)生相變或化學(xué)組分改變導(dǎo)致原子體積變化

真空鍍膜：反應(yīng)磁控濺射法：制備化合物薄膜可以用各種化學(xué)氣相沉積或物理的氣相沉積方法,。但目前從工業(yè)大規(guī)模生產(chǎn)的要求來(lái)看，物理的氣相沉積中的反應(yīng)磁控濺射沉積技術(shù)具有明顯的優(yōu)勢(shì),，因而被普遍應(yīng)用,，這是因?yàn)椋悍磻?yīng)磁控濺射所用的靶材料(單元素靶或多元素靶)和反應(yīng)氣體(氧、氮,、碳?xì)浠衔锏?通常很容易獲得很高的純度,，因而有利于制備高純度的化合物薄膜。反應(yīng)磁控濺射中調(diào)節(jié)沉積工藝參數(shù),，可以制備化學(xué)配比或非化學(xué)配比的化合物薄膜,，從而達(dá)到通過(guò)調(diào)節(jié)薄膜的組成來(lái)調(diào)控薄膜特性的目的。多弧離子真空鍍膜機(jī)鍍膜膜層不易脫落,。

磁控濺射技術(shù)可制備裝飾薄膜,、硬質(zhì)薄膜,、耐腐蝕摩擦薄膜、超導(dǎo)薄膜,、磁性薄膜,、光學(xué)薄膜，以及各種具有特殊功能的薄膜,，是一種十分有效的薄膜沉積方法,，在各個(gè)工業(yè)領(lǐng)域應(yīng)用非常廣?！盀R射”是指具有一定能量的粒子（一般為Ar+離子）轟擊固體（靶材）表面,，使得固體（靶材）分子或原子離開(kāi)固體，從表面射出,，沉積到被鍍工件上,。磁控濺射是在靶材表面建立與電場(chǎng)正交磁場(chǎng)，電子受電場(chǎng)加速作用的同時(shí)受到磁場(chǎng)的束縛作用,，運(yùn)動(dòng)軌跡成擺線,，增加了電子和帶電粒子以及氣體分子相碰撞的幾率，提高了氣體的離化率,，提高了沉積速率,。真空鍍膜機(jī)真空壓鑄鈦鑄件的方法與標(biāo)準(zhǔn)的壓鑄工藝一樣。大連真空鍍膜儀

真空鍍膜的操作規(guī)程：易燃有毒物品要妥善保管,，以防失火中毒,。福州納米涂層真空鍍膜

為了獲得性能良好的半導(dǎo)體電極Al膜，我們通過(guò)優(yōu)化工藝參數(shù),，制備了一系列性能優(yōu)越的Al薄膜,。通過(guò)理論計(jì)算和性能測(cè)試，分析比較了電子束蒸發(fā)與磁控濺射兩種方法制備Al膜的特點(diǎn),?？紤]Al膜的致密性就相當(dāng)于考慮Al膜的晶粒的大小，密度以及能達(dá)到均勻化的程度,，因?yàn)樗仓苯佑绊慉l膜的其它性能,，進(jìn)而影響半導(dǎo)體嘩啦的性能。氣相沉積的多晶Al膜的晶粒尺寸隨著沉積過(guò)程中吸附原子或原子團(tuán)在基片表面遷移率的增加而增加,。由此可以看出Al膜的晶粒尺寸的大小將取決環(huán)于基片溫度、沉積速度,、氣相原子在平行基片方面的速度分量,、基片表面光潔度和化學(xué)活性等因素。福州納米涂層真空鍍膜