反應(yīng)磁控濺射：以金屬,、合金,、低價(jià)金屬化合物或半導(dǎo)體材料作為靶陰極,，在濺射過程中或在基片表面沉積成膜過程中與氣體粒子反應(yīng)生成化合物薄膜，這就是反應(yīng)磁控濺射,。反應(yīng)磁控濺射普遍應(yīng)用于化合物薄膜的大批量生產(chǎn),，這是因?yàn)椋?1)反應(yīng)磁控濺射所用的靶材料和反應(yīng)氣體純度很高，因而有利于制備高純度的化合物薄膜,。(2)通過調(diào)節(jié)反應(yīng)磁控濺射中的工藝參數(shù),可以制備化學(xué)配比或非化學(xué)配比的化合物薄膜，通過調(diào)節(jié)薄膜的組成來調(diào)控薄膜特性,。(3)反應(yīng)磁控濺射沉積過程中基板升溫較小,，而且制膜過程中通常也不要求對基板進(jìn)行高溫加熱，因此對基板材料的限制較少,。濺射的金屬膜通常能獲得良好的光學(xué)性能,、電學(xué)性能及某些特殊性能。江蘇直流磁控濺射儀器

磁控濺射靶材鍍膜過程中,，影響靶材鍍膜沉積速率的因素：濺射電壓：濺射電壓對成膜速率的影響有這樣一個(gè)規(guī)律：電壓越高,，濺射速率越快，而且這種影響在濺射沉積所需的能量范圍內(nèi)是緩和的,、漸進(jìn)的,。在影響濺射系數(shù)的因素中，在濺射靶材和濺射氣體之后,，放電電壓確實(shí)很重要,。一般來說,，在正常的磁控濺射過程中，放電電壓越高,，濺射系數(shù)越大,，這意味著入射離子具有更高的能量。因此,，固體靶材的原子更容易被濺射出并沉積在基板上形成薄膜,。吉林金屬磁控濺射設(shè)備基板有低溫性，相對于二級濺射和熱蒸發(fā)來說,，磁控濺射加熱少,。

物相沉積技術(shù)是指在真空條件下采用物理方法將材料源表面氣化成氣態(tài)原子或分子，或部分電離成離子,，并通過低壓氣體過程,，在基體表面沉積具有某種特殊功能的薄膜的技術(shù)，物相沉積是主要的表面處理技術(shù)之一,。PVD鍍膜技術(shù)主要分為三類：真空蒸發(fā)鍍膜,、真空濺射鍍膜和真空離子鍍膜。物相沉積的主要方法有：真空蒸鍍,、濺射鍍膜,、電弧等離子體鍍膜、離子鍍膜和分子束外延等,。相應(yīng)的真空鍍膜設(shè)備包括真空蒸發(fā)鍍膜機(jī),、真空濺射鍍膜機(jī)和真空離子鍍膜機(jī)。隨著沉積方法和技術(shù)的提升,，物相沉積技術(shù)不只可沉積金屬膜,、合金膜、還可以沉積化合物,、陶瓷,、半導(dǎo)體、聚合物膜等,。物相沉積技術(shù)早在20世紀(jì)初已有些應(yīng)用,，但30年迅速發(fā)展成為一門極具廣闊應(yīng)用前景的新技術(shù)，并向著環(huán)保型,、清潔型趨勢發(fā)展,。在鐘表行業(yè)，尤其是高級手表金屬外觀件的表面處理方面達(dá)到越來越為普遍的應(yīng)用,。

真空磁控濺射鍍膜技術(shù)的特點(diǎn)：1,、沉積速率大：由于采用高速磁控電極，可獲得的離子流很大,，有效提高了此工藝鍍膜過程的沉積速率和濺射速率,。與其它濺射鍍膜工藝相比,，磁控濺射的產(chǎn)能高、產(chǎn)量大,、于各類工業(yè)生產(chǎn)中得到普遍應(yīng)用,。2、功率效率高：磁控濺射靶一般選擇200V-1000V范圍之內(nèi)的電壓,，通常為600V,，因?yàn)?00V的電壓剛好處在功率效率的較高有效范圍之內(nèi)。3,、濺射能量低：磁控靶電壓施加較低,，磁場將等離子體約束在陰極附近，可防止較高能量的帶電粒子入射到基材上,。磁控濺射又稱為高速低溫濺射,。

真空磁控濺射技術(shù)的特點(diǎn)：磁控濺射是由二極濺射基礎(chǔ)上發(fā)展而來，在靶材表面建立與電場正交磁場,，解決了二極濺射沉積速率低,，等離子體離化率低等問題，成為鍍膜工業(yè)主要方法之一,。磁控濺射與其它鍍膜技術(shù)相比具有如下特點(diǎn)：可制備成靶的材料廣,，幾乎所有金屬，合金和陶瓷材料都可以制成靶材,；在適當(dāng)條件下多元靶材共濺射方式,，可沉積配比精確恒定的合金；在濺射的放電氣氛中加入氧,、氮或其它活性氣體,，可沉積形成靶材物質(zhì)與氣體分子的化合物薄膜；通過精確地控制濺射鍍膜過程,，容易獲得均勻的高精度的膜厚,；通過離子濺射靶材料物質(zhì)由固態(tài)直接轉(zhuǎn)變?yōu)榈入x子態(tài)，濺射靶的安裝不受限制,，適合于大容積鍍膜室多靶布置設(shè)計(jì)；濺射鍍膜速度快,，膜層致密,，附著性好等特點(diǎn)，很適合于大批量,，高效率工業(yè)生產(chǎn),。磁控陰極按照磁場位形分布不同，大致可分為平衡態(tài)磁控陰極和非平衡態(tài)磁控陰極,。安徽射頻磁控濺射處理

在熱陰極的前面增加一個(gè)電極,，構(gòu)成四極濺射裝置,，可使放電趨于穩(wěn)定。江蘇直流磁控濺射儀器

真空磁控濺射鍍膜技術(shù)的特點(diǎn)：1,、基片溫度低：可利用陽極導(dǎo)走放電時(shí)產(chǎn)生的電子,，而不必借助基材支架接地來完成，可以有效減少電子轟擊基材,，因而基材的溫度較低,，非常適合一些不太耐高溫的塑料基材鍍膜。2,、磁控濺射靶表面不均勻刻蝕：磁控濺射靶表面刻蝕不均是由靶磁場不均所導(dǎo)致,，靶的局部位置刻蝕速率較大，使靶材有效利用率較低,。因此,，想要提高靶材利用率，需要通過一定手段將磁場分布改變,，或者利用磁鐵在陰極中移動(dòng),，也可提高靶材利用率。江蘇直流磁控濺射儀器