熱式氣體流量控制器在雙靶磁控濺射儀的應(yīng)用：雙室磁控濺射沉積系統(tǒng)是帶有進(jìn)樣室的高真空多功能磁控濺射鍍膜設(shè)備,。它可用于在高真空背景下，充入高純氬氣,，采用磁控濺射方式制備各種金屬膜,、介質(zhì)膜、半導(dǎo)體膜,。雙靶磁控濺射儀是一款高真空鍍膜設(shè)備,，可用于制備單層或多層鐵電薄膜、導(dǎo)電薄膜,、合金薄膜,、半導(dǎo)體薄膜、陶瓷薄膜,、介質(zhì)薄膜,、光學(xué)薄膜、氧化物薄膜,、硬質(zhì)薄膜,、聚四氟乙烯薄膜等。本公司生產(chǎn)的DC系列的數(shù)字型熱式氣體流量控制器在該設(shè)備中使用,，產(chǎn)品采用全數(shù)字架構(gòu),，新型的傳感制作工藝，通訊方式兼容：0-5V,、4-20mA,、RS485通訊模式，一鍵切換通訊信號,，操作簡單方便,。濺射工藝可重復(fù)性好，可以在大面積基片上獲得厚度均勻的薄膜,。山東真空磁控濺射儀器

磁控濺射的種類：磁控濺射包括很多種類,。各有不同工作原理和應(yīng)用對象,。但有一共同點：利用磁場與電場交互作用，使電子在靶表面附近成螺旋狀運行,，從而增大電子撞擊氬氣產(chǎn)生離子的概率,。所產(chǎn)生的離子在電場作用下撞向靶面從而濺射出靶材。靶源分平衡式和非平衡式,，平衡式靶源鍍膜均勻，非平衡式靶源鍍膜膜層和基體結(jié)合力強,。平衡靶源多用于半導(dǎo)體光學(xué)膜,，非平衡多用于磨損裝飾膜。磁控陰極按照磁場位形分布不同,，大致可分為平衡態(tài)磁控陰極和非平衡態(tài)磁控陰極,。平衡態(tài)磁控陰極內(nèi)外磁鋼的磁通量大致相等，兩極磁力線閉合于靶面,，很好地將電子/等離子體約束在靶面附近,，增加了碰撞幾率，提高了離化效率,，因而在較低的工作氣壓和電壓下就能起輝并維持輝光放電,，靶材利用率相對較高。但由于電子沿磁力線運動主要閉合于靶面,，基片區(qū)域所受離子轟擊較小,。非平衡磁控濺射技術(shù)，即讓磁控陰極外磁極磁通大于內(nèi)磁極,，兩極磁力線在靶面不完全閉合,，部分磁力線可沿靶的邊緣延伸到基片區(qū)域，從而部分電子可以沿著磁力線擴展到基片,，增加基片區(qū)域的等離子體密度和氣體電離率,。遼寧金屬磁控濺射直流二極濺射采用直流光放電，三極濺射采用熱陰極支撐光放電,。

真空鍍膜機磁控濺射方式：直流濺射方法用于被濺射材料為導(dǎo)電材料的濺射和反應(yīng)濺射鍍膜中,，其工藝設(shè)備簡單，有較高的濺射速率,。中頻交流磁控濺射在單個陰極靶系統(tǒng)中,，與脈沖磁控濺射有同樣的釋放電荷、防止打弧作用,。中頻交流濺射技術(shù)還應(yīng)用于孿生靶濺射系統(tǒng)中,，中頻交流孿生靶濺射是將中頻交流電源的兩個輸出端，分別接到閉合磁場非平衡濺射雙靶的各自陰極上,，因而在雙靶上分別獲得相位相反的交流電壓,，一對磁控濺射靶則交替成為陰極和陽極,。孿生靶濺射技術(shù)大幅度提高磁控濺射運行的穩(wěn)定性，可避免被毒化的靶面產(chǎn)生電荷積累,，引起靶面電弧打火以及陽極消失的問題,，濺射速率高，為化合物薄膜的工業(yè)化大規(guī)模生產(chǎn)奠定基礎(chǔ),。

物相沉積技術(shù)是指在真空條件下采用物理方法將材料源表面氣化成氣態(tài)原子或分子,，或部分電離成離子，并通過低壓氣體過程,，在基體表面沉積具有某種特殊功能的薄膜的技術(shù),，物相沉積是主要的表面處理技術(shù)之一。PVD鍍膜技術(shù)主要分為三類：真空蒸發(fā)鍍膜,、真空濺射鍍膜和真空離子鍍膜,。物相沉積的主要方法有：真空蒸鍍、濺射鍍膜,、電弧等離子體鍍膜,、離子鍍膜和分子束外延等。相應(yīng)的真空鍍膜設(shè)備包括真空蒸發(fā)鍍膜機,、真空濺射鍍膜機和真空離子鍍膜機,。隨著沉積方法和技術(shù)的提升，物相沉積技術(shù)不只可沉積金屬膜,、合金膜,、還可以沉積化合物、陶瓷,、半導(dǎo)體,、聚合物膜等。物相沉積技術(shù)早在20世紀(jì)初已有些應(yīng)用,，但30年迅速發(fā)展成為一門極具廣闊應(yīng)用前景的新技術(shù),，并向著環(huán)保型、清潔型趨勢發(fā)展,。在鐘表行業(yè),，尤其是高級手表金屬外觀件的表面處理方面達(dá)到越來越為普遍的應(yīng)用。磁控濺射具有設(shè)備簡單,、易于控制,、涂覆面積大、附著力強等優(yōu)點,。

磁控濺射的濺射技術(shù)：直流濺射法：直流濺射法要求靶材能夠?qū)碾x子轟擊過程中得到的正電荷傳遞給與其緊密接觸的陰極,，從而該方法只能濺射導(dǎo)體材料。因為轟擊絕緣靶材時,，表面的離子電荷無法中和,，這將導(dǎo)致靶面電位升高,，外加電壓幾乎都加在靶上，兩極間的離子加速與電離的機會將變小,，甚至不能電離,，導(dǎo)致不能連續(xù)放電甚至放電停止，濺射停止,。故對于絕緣靶材或?qū)щ娦院懿畹姆墙饘侔胁?，須用射頻濺射法。濺射過程中涉及到復(fù)雜的散射過程和多種能量傳遞過程：入射粒子與靶材原子發(fā)生彈性碰撞,，入射粒子的一部分動能會傳給靶材原子,；某些靶材原子的動能超過由其周圍存在的其它原子所形成的勢壘，從而從晶格點陣中被碰撞出來,，產(chǎn)生離位原子,；這些離位原子進(jìn)一步和附近的原子依次反復(fù)碰撞,，產(chǎn)生碰撞級聯(lián),；當(dāng)這種碰撞級聯(lián)到達(dá)靶材表面時，如果靠近靶材表面的原子的動能大于表面結(jié)合能,，這些原子就會從靶材表面脫離從而進(jìn)入真空,。單向脈沖正電壓段的電壓為零!濺射發(fā)生在負(fù)電壓段。廣東專業(yè)磁控濺射分類

使用鉆頭的人射頻磁控濺射過程的第一步是將基片材料置于真空中真空室,。山東真空磁控濺射儀器

高速率磁控濺射的一個固有的性質(zhì)是產(chǎn)生大量的濺射粒子而獲得高的薄膜沉積速率,。高的沉積速率意味著高的粒子流飛向基片，導(dǎo)致沉積過程中大量粒子的能量被轉(zhuǎn)移到生長薄膜上,，引起沉積溫度明顯增加,。由于濺射離子的能量大約70%需要從陰極冷卻水中帶走，薄膜的較大濺射速率將受到濺射靶冷卻的限制,。冷卻不但靠足夠的冷卻水循環(huán),，還要求良好的靶材導(dǎo)熱率及較薄膜的靶厚度。同時高速率磁控濺射中典型的靶材利用率只有20%～30%,，因而提高靶材利用率也是有待于解決的一個問題,。山東真空磁控濺射儀器