反應(yīng)磁控濺射特點(diǎn)：(1)采用雙靶中頻電源解決反應(yīng)磁控濺射過(guò)程中因陽(yáng)極被絕緣介質(zhì)膜覆蓋而造成的等離子體不穩(wěn)定現(xiàn)象,，同時(shí)還解決了電荷積累放電的問(wèn)題,。(2)利用等離子發(fā)射譜監(jiān)測(cè)等離子體中的金屬粒子含量，調(diào)節(jié)反應(yīng)氣體流量使等離子體放電電壓穩(wěn)定,，從而使沉積速率穩(wěn)定,。(3)使用圓柱形旋轉(zhuǎn)靶減小絕緣介質(zhì)膜的覆蓋面積。(4)降低輸入功率,，并使用能夠在放電時(shí)自動(dòng)切斷輸出功率的智能電源抑制電弧,。(5)反應(yīng)過(guò)程與沉積過(guò)程分室進(jìn)行，既能有效提高薄膜沉積速率,，又能使反應(yīng)氣體與薄膜表面充分反應(yīng)生成化合物薄膜,。一般的濺射法可被用于制備金屬、半導(dǎo)體,、絕緣體等多材料,，且具有設(shè)備簡(jiǎn)單,、易于控制、附著力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn),。山東脈沖磁控濺射用途

磁控直流濺射法要求靶材能夠?qū)碾x子轟擊過(guò)程中得到的正電荷傳遞給與其緊密接觸的陰極,，從而該方法只能濺射導(dǎo)體材料，不適于絕緣材料,。因?yàn)檗Z擊絕緣靶材時(shí),，表面的離子電荷無(wú)法中和，這將導(dǎo)致靶面電位升高,，外加電壓幾乎都加在靶上,，兩極間的離子加速與電離的機(jī)會(huì)將變小，甚至不能電離,，導(dǎo)致不能連續(xù)放電甚至放電停止,，濺射停止。故對(duì)于絕緣靶材或?qū)щ娦院懿畹姆墙饘侔胁?，須用射頻濺射法,。濺射過(guò)程中涉及到復(fù)雜的散射過(guò)程和多種能量傳遞過(guò)程：入射粒子與靶材原子發(fā)生彈性碰撞，入射粒子的一部分動(dòng)能會(huì)傳給靶材原子,；某些靶材原子的動(dòng)能超過(guò)由其周?chē)嬖诘钠渌铀纬傻膭?shì)壘（對(duì)于金屬是5-10eV）,，從而從晶格點(diǎn)陣中被碰撞出來(lái)，產(chǎn)生離位原子,；這些離位原子進(jìn)一步和附近的原子依次反復(fù)碰撞,，產(chǎn)生碰撞級(jí)聯(lián)；當(dāng)這種碰撞級(jí)聯(lián)到達(dá)靶材表面時(shí),，如果靠近靶材表面的原子的動(dòng)能大于表面結(jié)合能（對(duì)于金屬是1-6eV）,，這些原子就會(huì)從靶材表面脫離從而進(jìn)入真空。天津反應(yīng)磁控濺射原理能夠控制鍍層的厚度,，同時(shí)可通過(guò)改變參數(shù)條件控制組成薄膜的顆粒大小,。

非平衡磁控濺射的磁場(chǎng)有邊緣強(qiáng)，也有中部強(qiáng),，導(dǎo)致濺射靶表面磁場(chǎng)的“非平衡”,。磁控濺射靶的非平衡磁場(chǎng)不只有通過(guò)改變內(nèi)外磁體的大小和強(qiáng)度的永磁體獲得，也有由兩組電磁線圈產(chǎn)生,，或采用電磁線圈與永磁體混合結(jié)構(gòu),，還有在陰極和基體之間增加附加的螺線管，用來(lái)改變陰極和基體之間的磁場(chǎng),，并以它來(lái)控制沉積過(guò)程中離子和原子的比例,。非平衡磁控濺射系統(tǒng)有兩種結(jié)構(gòu)，一種是其芯部磁場(chǎng)強(qiáng)度比外環(huán)高,，磁力線沒(méi)有閉合,，被引向真空室壁,，基體表面的等離子體密度低，因此該方式很少被采用,。另一種是外環(huán)磁場(chǎng)強(qiáng)度高于芯部磁場(chǎng)強(qiáng)度,，磁力線沒(méi)有完全形成閉合回路，部分外環(huán)的磁力線延伸到基體表面,，使得部分二次電子能夠沿著磁力線逃逸出靶材表面區(qū)域,，同時(shí)再與中性粒子發(fā)生碰撞電離，等離子體不再被完全限制在靶材表面區(qū)域,，而是能夠到達(dá)基體表面,，進(jìn)一步增加鍍膜區(qū)域的離子濃度，使襯底離子束流密度提高,，通?？蛇_(dá)5mA/cm2以上。這樣濺射源同時(shí)又是轟擊基體表面的離子源,，基體離子束流密度與靶材電流密度成正比,，靶材電流密度提高，沉積速率提高,，同時(shí)基體離子束流密度提高,，對(duì)沉積膜層表面起到一定的轟擊作用。

真空磁控濺射為什么必須在真空環(huán)境,？濺射過(guò)程是通過(guò)電能,，使氣體的離子轟擊靶材,，就像磚頭砸土墻,，土墻的部分原子濺射出來(lái)，落在所要鍍膜的基體上的過(guò)程,。如果氣體太多,，氣體離子在運(yùn)行到靶材的過(guò)程中，很容易跟路程中的其他氣體離子或分子碰撞,，這樣就不能加速,，也濺射不出靶材原子來(lái)。所以需要真空狀態(tài),。而如果氣體太少,，氣體分子不能成為離子，沒(méi)有很多可以轟擊靶材,，所以也不行,。只能選擇中間值，有足夠的氣體離子可以轟擊靶材,，而在轟擊過(guò)程中,，不至于因?yàn)闅怏w太多而相互碰撞致使失去太多的能量的氣體量,。所以必須在較為恒定的真空狀態(tài)下。此狀態(tài)根據(jù)氣體分子直徑和分子自由程計(jì)算,。一般在0.2-0.5Pa之間,。磁控濺射成為鍍膜工業(yè)主要技術(shù)之一。

磁控濺射靶材的應(yīng)用領(lǐng)域如下：眾所周知,，靶材材料的技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)與下游應(yīng)用產(chǎn)業(yè)的薄膜技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)息息相關(guān),，隨著應(yīng)用產(chǎn)業(yè)在薄膜產(chǎn)品或元件上的技術(shù)改進(jìn)，靶材技術(shù)也應(yīng)隨之變化,。如Ic制造商．近段時(shí)間致力于低電阻率銅布線的開(kāi)發(fā),，預(yù)計(jì)未來(lái)幾年將大幅度取代原來(lái)的鋁膜，這樣銅靶及其所需阻擋層靶材的開(kāi)發(fā)將刻不容緩,。另外,，近年來(lái)平面顯示器大幅度取代原以陰極射線管為主的電腦顯示器及電視機(jī)市場(chǎng)。亦將大幅增加ITO靶材的技術(shù)與市場(chǎng)需求,。此外在存儲(chǔ)技術(shù)方面,。高密度、大容量硬盤(pán),，高密度的可擦寫(xiě)光盤(pán)的需求持續(xù)增加．這些均導(dǎo)致應(yīng)用產(chǎn)業(yè)對(duì)靶材的需求發(fā)生變化,。脈沖磁控濺射是采用矩形波電壓的脈沖電源代替?zhèn)鹘y(tǒng)直流電源進(jìn)行磁控濺射沉積。天津反應(yīng)磁控濺射原理

空磁控濺射技術(shù)是指一種利用陰極表面配合的磁場(chǎng)形成電子陷阱,，使E×B的作用下電子緊貼陰極表面飄移,。山東脈沖磁控濺射用途

真空磁控濺射鍍膜技術(shù)的特點(diǎn)：1、沉積速率大,。由于采用高速磁控電極,，可獲得的離子流很大，有效提高了此工藝鍍膜過(guò)程的沉積速率和濺射速率,。與其它濺射鍍膜工藝相比,，磁控濺射的產(chǎn)能高、產(chǎn)量大,、于各類(lèi)工業(yè)生產(chǎn)中得到普遍應(yīng)用,。2、功率效率高,。磁控濺射靶一般選擇200V-1000V范圍之內(nèi)的電壓,，通常為600V，因?yàn)?00V的電壓剛好處在功率效率的較高有效范圍之內(nèi),。3,、濺射能量低。磁控靶電壓施加較低,，磁場(chǎng)將等離子體約束在陰極附近,，可防止較高能量的帶電粒子入射到基材上,。山東脈沖磁控濺射用途