磁控濺射靶材的分類如下：根據(jù)材料的成分不同,，靶材可分為金屬靶材,、合金靶材,、無(wú)機(jī)非金屬靶材等,。其中無(wú)機(jī)非金屬靶材又可分為氧化物、硅化物,、氮化物和氟化物等不同種類靶材,。根據(jù)幾何形狀的不同，靶材可分為長(zhǎng)方體形靶材,、圓柱體靶材和不規(guī)則形狀靶材,；此外，靶材還可以分為實(shí)心和空心兩種類型靶材,。目前靶材較常用的分類方法是根據(jù)靶材應(yīng)用領(lǐng)域進(jìn)行劃分,，主要包括半導(dǎo)體領(lǐng)域應(yīng)用靶材、記錄介質(zhì)應(yīng)用靶材,、顯示薄膜應(yīng)用靶材,、光學(xué)靶材、超導(dǎo)靶材等,。其中半導(dǎo)體領(lǐng)域用靶材,、記錄介質(zhì)用靶材和顯示靶材是市場(chǎng)需求規(guī)模較大的三類靶材。磁控濺射靶材根據(jù)材料的成分不同,，可分為金屬靶材,、合金靶材,、無(wú)機(jī)非金屬靶材等。四川反應(yīng)磁控濺射用途

物相沉積技術(shù)是指在真空條件下采用物理方法將材料源表面氣化成氣態(tài)原子或分子,，或部分電離成離子,，并通過(guò)低壓氣體過(guò)程，在基體表面沉積具有某種特殊功能的薄膜的技術(shù),，物相沉積是主要的表面處理技術(shù)之一,。PVD鍍膜技術(shù)主要分為三類：真空蒸發(fā)鍍膜、真空濺射鍍膜和真空離子鍍膜,。物相沉積的主要方法有：真空蒸鍍,、濺射鍍膜、電弧等離子體鍍膜,、離子鍍膜和分子束外延等,。相應(yīng)的真空鍍膜設(shè)備包括真空蒸發(fā)鍍膜機(jī)、真空濺射鍍膜機(jī)和真空離子鍍膜機(jī),。隨著沉積方法和技術(shù)的提升,，物相沉積技術(shù)不只可沉積金屬膜、合金膜,、還可以沉積化合物,、陶瓷、半導(dǎo)體,、聚合物膜等,。物相沉積技術(shù)早在20世紀(jì)初已有些應(yīng)用，但30年迅速發(fā)展成為一門極具廣闊應(yīng)用前景的新技術(shù),，并向著環(huán)保型,、清潔型趨勢(shì)發(fā)展。在鐘表行業(yè),，尤其是高級(jí)手表金屬外觀件的表面處理方面達(dá)到越來(lái)越為普遍的應(yīng)用,。深圳真空磁控濺射鍍膜濺射工藝可重復(fù)性好，可以在大面積基片上獲得厚度均勻的薄膜,。

磁控直流濺射法要求靶材能夠?qū)碾x子轟擊過(guò)程中得到的正電荷傳遞給與其緊密接觸的陰極,，從而該方法只能濺射導(dǎo)體材料，不適于絕緣材料,。因?yàn)檗Z擊絕緣靶材時(shí),，表面的離子電荷無(wú)法中和，這將導(dǎo)致靶面電位升高,，外加電壓幾乎都加在靶上,，兩極間的離子加速與電離的機(jī)會(huì)將變小，甚至不能電離,，導(dǎo)致不能連續(xù)放電甚至放電停止,，濺射停止,。故對(duì)于絕緣靶材或?qū)щ娦院懿畹姆墙饘侔胁?，須用射頻濺射法,。濺射過(guò)程中涉及到復(fù)雜的散射過(guò)程和多種能量傳遞過(guò)程：入射粒子與靶材原子發(fā)生彈性碰撞，入射粒子的一部分動(dòng)能會(huì)傳給靶材原子,；某些靶材原子的動(dòng)能超過(guò)由其周圍存在的其它原子所形成的勢(shì)壘（對(duì)于金屬是5-10eV）,，從而從晶格點(diǎn)陣中被碰撞出來(lái)，產(chǎn)生離位原子,；這些離位原子進(jìn)一步和附近的原子依次反復(fù)碰撞,，產(chǎn)生碰撞級(jí)聯(lián)；當(dāng)這種碰撞級(jí)聯(lián)到達(dá)靶材表面時(shí),，如果靠近靶材表面的原子的動(dòng)能大于表面結(jié)合能（對(duì)于金屬是1-6eV）,，這些原子就會(huì)從靶材表面脫離從而進(jìn)入真空。

磁控濺射法是在高真空充入適量的氬氣,，在陰極和陽(yáng)極之間施加幾百K直流電壓,，在鍍膜室內(nèi)產(chǎn)生磁控型異常輝光放電，使氬氣發(fā)生電離,。磁控濺射法優(yōu)勢(shì)特點(diǎn)：較常用的制備磁性薄膜的方法是磁控濺射法,。氬離子被陰極加速并轟擊陰極靶表面，將靶材表面原子濺射出來(lái)沉積在基底表面上形成薄膜,。通過(guò)更換不同材質(zhì)的靶和控制不同的濺射時(shí)間,，便可以獲得不同材質(zhì)和不同厚度的薄膜。磁控濺射法具有鍍膜層與基材的結(jié)合力強(qiáng),、鍍膜層致密,、均勻等優(yōu)點(diǎn)。磁控濺射是物理的氣相沉積的一種,，也是物理的氣相沉積中技術(shù)較為成熟的,。

磁控濺射靶材鍍膜過(guò)程中，影響靶材鍍膜沉積速率的因素：濺射電流：磁控靶的濺射電流與濺射靶材表面的離子電流成正比,，因此也是影響濺射速率的重要因素,。磁控濺射有一個(gè)普遍規(guī)律，即在較佳氣壓下沉積速度較快,。因此,，在不影響薄膜質(zhì)量和滿足客戶要求的前提下，從濺射良率考慮氣體壓力的較佳值是合適的,。改變?yōu)R射電流有兩種方法：改變工作電壓或改變工作氣體壓力,。濺射功率：濺射功率對(duì)沉積速率的影響類似于濺射電壓。一般來(lái)說(shuō),，提高磁控靶材的濺射功率可以提高成膜率,。然而,這并不是一個(gè)普遍的規(guī)則,。在磁控靶材的濺射電壓低，濺射電流大的情況下,，雖然平均濺射功率不低,，但離子不能被濺射，也不能沉積,。前提是要求施加在磁控靶材上的濺射電壓足夠高,，使工作氣體離子在陰極和陽(yáng)極之間的電場(chǎng)中的能量足夠大于靶材的"濺射能量閾值"。磁控濺射具有設(shè)備簡(jiǎn)單,、易于控制,、涂覆面積大、附著力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn),。雙靶材磁控濺射原理

空磁控濺射技術(shù)是指一種利用陰極表面配合的磁場(chǎng)形成電子陷阱,，使E×B的作用下電子緊貼陰極表面飄移。四川反應(yīng)磁控濺射用途

磁控濺射的濺射技術(shù)：直流濺射法：直流濺射法要求靶材能夠?qū)碾x子轟擊過(guò)程中得到的正電荷傳遞給與其緊密接觸的陰極,，從而該方法只能濺射導(dǎo)體材料,。因?yàn)檗Z擊絕緣靶材時(shí)，表面的離子電荷無(wú)法中和,，這將導(dǎo)致靶面電位升高,，外加電壓幾乎都加在靶上，兩極間的離子加速與電離的機(jī)會(huì)將變小,，甚至不能電離,，導(dǎo)致不能連續(xù)放電甚至放電停止，濺射停止,。故對(duì)于絕緣靶材或?qū)щ娦院懿畹姆墙饘侔胁?，須用射頻濺射法。濺射過(guò)程中涉及到復(fù)雜的散射過(guò)程和多種能量傳遞過(guò)程：入射粒子與靶材原子發(fā)生彈性碰撞,，入射粒子的一部分動(dòng)能會(huì)傳給靶材原子,；某些靶材原子的動(dòng)能超過(guò)由其周圍存在的其它原子所形成的勢(shì)壘，從而從晶格點(diǎn)陣中被碰撞出來(lái),，產(chǎn)生離位原子,；這些離位原子進(jìn)一步和附近的原子依次反復(fù)碰撞，產(chǎn)生碰撞級(jí)聯(lián),；當(dāng)這種碰撞級(jí)聯(lián)到達(dá)靶材表面時(shí),，如果靠近靶材表面的原子的動(dòng)能大于表面結(jié)合能，這些原子就會(huì)從靶材表面脫離從而進(jìn)入真空,。四川反應(yīng)磁控濺射用途