磁控濺射技術(shù)有：直流濺射法。直流濺射法要求靶材能夠?qū)碾x子轟擊過(guò)程中得到的正電荷傳遞給與其緊密接觸的陰極,，從而該方法只能濺射導(dǎo)體材料。因?yàn)檗Z擊絕緣靶材時(shí),，表面的離子電荷無(wú)法中和,，這將導(dǎo)致靶面電位升高，外加電壓幾乎都加在靶上,，兩極間的離子加速與電離的機(jī)會(huì)將變小,，甚至不能電離，導(dǎo)致不能連續(xù)放電甚至放電停止,，濺射停止,。故對(duì)于絕緣靶材或?qū)щ娦院懿畹姆墙饘侔胁模氂蒙漕l濺射法,。濺射過(guò)程中涉及到復(fù)雜的散射過(guò)程和多種能量傳遞過(guò)程：入射粒子與靶材原子發(fā)生彈性碰撞,，入射粒子的一部分動(dòng)能會(huì)傳給靶材原子；某些靶材原子的動(dòng)能超過(guò)由其周?chē)嬖诘钠渌铀纬傻膭?shì)壘,，從而從晶格點(diǎn)陣中被碰撞出來(lái),，產(chǎn)生離位原子,；這些離位原子進(jìn)一步和附近的原子依次反復(fù)碰撞，產(chǎn)生碰撞級(jí)聯(lián),；當(dāng)這種碰撞級(jí)聯(lián)到達(dá)靶材表面時(shí),，如果靠近靶材表面的原子的動(dòng)能大于表面結(jié)合能，這些原子就會(huì)從靶材表面脫離從而進(jìn)入真空,?？沾趴貫R射技術(shù)是指一種利用陰極表面配合的磁場(chǎng)形成電子陷阱，使E×B的作用下電子緊貼陰極表面飄移,。江西多層磁控濺射儀器

磁控濺射又稱(chēng)為高速低溫濺射,，在磁場(chǎng)約束及增強(qiáng)下的等離子體中的工作氣體離子，在靶陰極電場(chǎng)的加速下,，轟擊陰極材料,，使材料表面的原子或分子飛離靶面，穿越等離子體區(qū)以后在基片表面淀積,、遷移較終形成薄膜,。與二極濺射相比較，磁控濺射的沉積速率高,，基片升溫低,，膜層質(zhì)量好，可重復(fù)性好,，便于產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn),。它的發(fā)展引起了薄膜制備工藝的巨大變革。磁控濺射源在結(jié)構(gòu)上必須具備兩個(gè)基本條件：(1)建立與電場(chǎng)垂直的磁場(chǎng),；(2)磁場(chǎng)方向與陰極表面平行,，并組成環(huán)形磁場(chǎng)。山東金屬磁控濺射處理磁控濺射又稱(chēng)為高速低溫濺射,。

高速率磁控濺射的一個(gè)固有的性質(zhì)是產(chǎn)生大量的濺射粒子而獲得高的薄膜沉積速率,，高的沉積速率意味著高的粒子流飛向基片，導(dǎo)致沉積過(guò)程中大量粒子的能量被轉(zhuǎn)移到生長(zhǎng)薄膜上,，引起沉積溫度明顯增加,。由于濺射離子的能量大約70%需要從陰極冷卻水中帶走，薄膜的較大濺射速率將受到濺射靶冷卻的限制,。冷卻不但靠足夠的冷卻水循環(huán),，還要求良好的靶材導(dǎo)熱率及較薄膜的靶厚度。同時(shí)高速率磁控濺射中典型的靶材利用率只有20%～30%,，因而提高靶材利用率也是有待于解決的一個(gè)問(wèn)題,。

磁控濺射是由二極濺射基礎(chǔ)上發(fā)展而來(lái)，在靶材表面建立與電場(chǎng)正交磁場(chǎng),，解決了二極濺射沉積速率低,，等離子體離化率低等問(wèn)題,，成為鍍膜工業(yè)主要方法之一。磁控濺射與其它鍍膜技術(shù)相比具有以下特點(diǎn)：可制備成靶的材料廣,，幾乎所有金屬,，合金和陶瓷材料都可以制成靶材；在適當(dāng)條件下多元靶材共濺射方式,，可沉積配比精確恒定的合金,；在濺射的放電氣氛中加入氧、氮或其它活性氣體,，可沉積形成靶材物質(zhì)與氣體分子的化合物薄膜,；通過(guò)精確地控制濺射鍍膜過(guò)程，容易獲得均勻的高精度的膜厚,；通過(guò)離子濺射靶材料物質(zhì)由固態(tài)直接轉(zhuǎn)變?yōu)榈入x子態(tài),，濺射靶的安裝不受限制，適合于大容積鍍膜室多靶布置設(shè)計(jì),；濺射鍍膜速度快,，膜層致密，附著性好等特點(diǎn),，很適合于大批量,，高效率工業(yè)生產(chǎn)。濺射的金屬膜通常能獲得良好的光學(xué)性能,、電學(xué)性能及某些特殊性能,。

磁控濺射鍍膜常見(jiàn)領(lǐng)域應(yīng)用：1.一些不適合化學(xué)氣相沉積(MOCVD)的材料可以通過(guò)磁控濺射沉積，這種方法可以獲得均勻的大面積薄膜,。2.機(jī)械工業(yè)：如表面功能膜、超硬膜,、自潤(rùn)滑膜等.這些膜能有效提高表面硬度,、復(fù)合韌性、耐磨性和高溫化學(xué)穩(wěn)定性,，從而大幅度提高產(chǎn)品的使用壽命.3.光領(lǐng)域：閉場(chǎng)非平衡磁控濺射技術(shù)也已應(yīng)用于光學(xué)薄膜(如增透膜),、低輻射玻璃和透明導(dǎo)電玻璃。特別是,，透明導(dǎo)電玻璃普遍應(yīng)用于平板顯示器件,、太陽(yáng)能電池、微波和射頻屏蔽器件和器件,、傳感器等,。磁控濺射的優(yōu)點(diǎn)如下：操作易控。山東金屬磁控濺射處理

磁控濺射技術(shù)在光學(xué)薄膜,、低輻射玻璃和透明導(dǎo)電玻璃等方面也得到應(yīng)用,。江西多層磁控濺射儀器

磁控濺射靶材鍍膜過(guò)程中,，影響靶材鍍膜沉積速率的因素：濺射電流。磁控靶的濺射電流與濺射靶材表面的離子電流成正比,，因此也是影響濺射速率的重要因素,。磁控濺射有一個(gè)普遍規(guī)律，即在較佳氣壓下沉積速度較快,。因此,，在不影響薄膜質(zhì)量和滿足客戶要求的前提下，從濺射良率考慮氣體壓力的較佳值是合適的,。改變?yōu)R射電流有兩種方法：改變工作電壓或改變工作氣體壓力,。濺射功率：濺射功率對(duì)沉積速率的影響類(lèi)似于濺射電壓。一般來(lái)說(shuō),，提高磁控靶材的濺射功率可以提高成膜率,。然而，這并不是一個(gè)普遍的規(guī)則,。在磁控靶材的濺射電壓低,，濺射電流大的情況下，雖然平均濺射功率不低,，但離子不能被濺射,，也不能沉積。前提是要求施加在磁控靶材上的濺射電壓足夠高,，使工作氣體離子在陰極和陽(yáng)極之間的電場(chǎng)中的能量足夠大于靶材的"濺射能量閾值",。江西多層磁控濺射儀器