GaN材料系列具有低的熱產(chǎn)生率和高的擊穿電場(chǎng),，是研制高溫大功率電子器件和高頻微波器件的重要材料。目前，隨著MBE技術(shù)在GaN材料應(yīng)用中的進(jìn)展和關(guān)鍵薄膜生長(zhǎng)技術(shù)的突破,，成功地生長(zhǎng)出了GaN多種異質(zhì)結(jié)構(gòu),。用GaN材料制備出了金屬場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MESFET）,、異質(zhì)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(HFET),、調(diào)制摻雜場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MODFET）等新型器件。調(diào)制摻雜的AlGaN/GaN結(jié)構(gòu)具有高的電子遷移率(2000cm2/v·s),、高的飽和速度(1×107cm/s),、較低的介電常數(shù)，是制作微波器件的優(yōu)先材料,；GaN較寬的禁帶寬度(3.4eV)及藍(lán)寶石等材料作襯底,，散熱性能好，有利于器件在大功率條件下工作,。晶圓制造是指在硅晶圓上制作電路與電子元件如電晶體,、電容體、邏輯閘等,，整個(gè)流程工藝復(fù)雜。MEMS半導(dǎo)體器件加工設(shè)備

清洗是半導(dǎo)體制程的重要環(huán)節(jié),，也是影響半導(dǎo)體器件良率的較重要的因素之一,。清洗是晶圓加工制造過(guò)程中的重要一環(huán)，為了較大限度降低雜質(zhì)對(duì)芯片良率的影響,，在實(shí)際生產(chǎn)過(guò)程中不只需要確保高效的單次清洗,，還需要在幾乎所有的制程前后都進(jìn)行頻繁的清洗，在單晶硅片制造,、光刻,、刻蝕、沉積等關(guān)鍵制程工藝中均為必要環(huán)節(jié),。1.硅片制造過(guò)程中,，經(jīng)過(guò)拋光處理后的硅片，需要通過(guò)清洗過(guò)程來(lái)確保其表面的平整度和性能,，進(jìn)而提升在后續(xù)工藝中的良率,。2.晶圓制造過(guò)程中,，晶圓經(jīng)過(guò)光刻、刻蝕,、離子注入,、去膠、成膜以及機(jī)械拋光等關(guān)鍵工序前后都需要進(jìn)行清洗,，以去除晶圓沾染的化學(xué)雜質(zhì),，減少缺陷率，提高良率,。3.芯片封裝過(guò)程中,，芯片需要根據(jù)封裝工藝進(jìn)行TSV(硅穿孔)清洗、UBM/RDL(凸點(diǎn)底層金屬/薄膜再分布技術(shù))清洗以及健合清洗等,。MEMS半導(dǎo)體器件加工設(shè)備MEMS器件以硅為主要材料,。

刻蝕是半導(dǎo)體制造工藝以及微納制造工藝中的重要步驟?？涛g狹義理解就是光刻腐蝕,，先通過(guò)光刻將光刻膠進(jìn)行光刻曝光處理，然后通過(guò)其它方式實(shí)現(xiàn)腐蝕處理掉所需除去的部分,?？涛g是用化學(xué)或物理方法有選擇地從硅片表面去除不需要的材料的過(guò)程，其基本目標(biāo)是在涂膠的硅片上正確地復(fù)制掩模圖形,。隨著微制造工藝的發(fā)展,，廣義上來(lái)講，刻蝕成了通過(guò)溶液,、反應(yīng)離子或其它機(jī)械方式來(lái)剝離,、去除材料的一種統(tǒng)稱，成為微加工制造的一種普適叫法,。

微機(jī)械是指利用半導(dǎo)體技術(shù)（特別是平板印制術(shù),，蝕刻技術(shù)）設(shè)計(jì)和制造微米領(lǐng)域的三維力學(xué)系統(tǒng)，以及微米尺度的力學(xué)元件的技術(shù),。它開辟了制造集成到硅片上的微米傳感器和微米電機(jī)的嶄新可能性,。微機(jī)械加工技術(shù)的迅速發(fā)展導(dǎo)致了微執(zhí)行器的誕生。人們?cè)趯?shí)踐中認(rèn)識(shí)到,，硅材料不只有優(yōu)異的電學(xué)和光學(xué)性質(zhì),。微機(jī)械加工技術(shù)的出現(xiàn)，使得制作硅微機(jī)械部件成為可能,。MEMS器件芯片制造與封裝統(tǒng)一考慮,。MEMS器件與集成電路芯片的主要不同在于：MEMS器件芯片一般都有活動(dòng)部件，比較脆弱,，在封裝前不利于運(yùn)輸,。所以,，MEMS器件芯片制造與封裝應(yīng)統(tǒng)一考慮。封裝技術(shù)是MEMS的一個(gè)重要研究領(lǐng)域,，幾乎每次MEMS國(guó)際會(huì)議都對(duì)封裝技術(shù)進(jìn)行專題討論,。光刻的優(yōu)點(diǎn)是它可以精確地控制形成圖形的形狀、大小,，此外它可以同時(shí)在整個(gè)芯片表面產(chǎn)生外形輪廓,。

光刻過(guò)程：首先，通過(guò)金屬化過(guò)程,，在硅襯底上布置一層只數(shù)納米厚的金屬層,。然后在這層金屬上覆上一層光刻膠。這層光阻劑在曝光（一般是紫外線）后可以被特定溶液（顯影液）溶解,。使特定的光波穿過(guò)光掩膜照射在光刻膠上,，可以對(duì)光刻膠進(jìn)行選擇性照射（曝光）。然后使用前面提到的顯影液,，溶解掉被照射的區(qū)域,，這樣，光掩模上的圖形就呈現(xiàn)在光刻膠上,。通常還將通過(guò)烘干措施,，改善剩余部分光刻膠的一些性質(zhì)。上述步驟完成后,，就可以對(duì)襯底進(jìn)行選擇性的刻蝕或離子注入過(guò)程,，未被溶解的光刻膠將保護(hù)襯底在這些過(guò)程中不被改變?？涛g或離子注入完成后,，將進(jìn)行光刻的較后一步，即將光刻膠去除,，以方便進(jìn)行半導(dǎo)體器件制造的其他步驟,。通常，半導(dǎo)體器件制造整個(gè)過(guò)程中,，會(huì)進(jìn)行很多次光刻流程。生產(chǎn)復(fù)雜集成電路的工藝過(guò)程中可能需要進(jìn)行多達(dá)50步光刻,，而生產(chǎn)薄膜所需的光刻次數(shù)會(huì)少一些,。氧化是將硅片放置于氧氣或水汽等氧化劑的氛圍中進(jìn)行高溫?zé)崽幚恚诠杵砻姘l(fā)生化學(xué)反應(yīng)形成氧化膜的過(guò)程,。MEMS半導(dǎo)體器件加工設(shè)備

表面硅MEMS加工技術(shù)利用硅平面上不同材料的順序淀積和選擇腐蝕來(lái)形成各種微結(jié)構(gòu),。MEMS半導(dǎo)體器件加工設(shè)備

半導(dǎo)體設(shè)備泛指用于生產(chǎn)各類半導(dǎo)體產(chǎn)品所需的生產(chǎn)設(shè)備，屬于半導(dǎo)體行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈的關(guān)鍵支撐環(huán)節(jié),。半導(dǎo)體設(shè)備是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的技術(shù)先導(dǎo)者,，芯片設(shè)計(jì),、晶圓制造和封裝測(cè)試等需在設(shè)備技術(shù)允許的范圍內(nèi)設(shè)計(jì)和制造，設(shè)備的技術(shù)進(jìn)步又反過(guò)來(lái)推動(dòng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,。以半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中技術(shù)難度較高,、附加值較大、工藝較為復(fù)雜的集成電路為例,，應(yīng)用于集成電路領(lǐng)域的設(shè)備通?？煞譃榍暗拦に囋O(shè)備（晶圓制造）和后道工藝設(shè)備（封裝測(cè)試）兩大類。其中的前道晶圓制造中的七大步驟分別為氧化／擴(kuò)散,，光刻,，刻蝕，清洗,，離子注入,，薄膜生長(zhǎng)，拋光,。每個(gè)步驟用到的半導(dǎo)體設(shè)備具體如下：MEMS半導(dǎo)體器件加工設(shè)備