PVD技術(shù)常用的方法：PVD基本方法,。真空蒸發(fā),、濺射,、離子鍍,，以下介紹幾種常用的方法。電子束蒸發(fā)：電子束蒸發(fā)是利用聚焦成束的電子束來(lái)加熱蒸發(fā)源,，使其蒸發(fā)并沉積在基片表面而形成薄膜,。特征：真空環(huán)境；蒸發(fā)源材料需加熱熔化,；基底材料也在較高溫度中,；用磁場(chǎng)控制蒸發(fā)的氣體，從而控制生成鍍膜的厚度,。濺射沉積：濺射是與氣體輝光放電相聯(lián)系的一種薄膜沉積技術(shù),。濺射的方法很多，有直流濺射,、RF濺射和反應(yīng)濺射等,，而用得較多的是磁控濺射、中頻濺射,、直流濺射,、RF濺射和離子束濺射,。電離原子更容易與薄膜工藝中涉及的其他粒子相互作用,，因此更有可能在基底上沉積。福建金屬磁控濺射用處

磁控濺射的工藝研究：1,、功率,。每一個(gè)陰極都具有自己的電源。根據(jù)陰極的尺寸和系統(tǒng)設(shè)計(jì),，功率可以在0~150KW之間變化,。電源是一個(gè)恒流源。在功率控制模式下,，功率固定同時(shí)監(jiān)控電壓,，通過(guò)改變輸出電流來(lái)維持恒定的功率,。在電流控制模式下，固定并監(jiān)控輸出電流,，這時(shí)可以調(diào)節(jié)電壓,。施加的功率越高，沉積速率就越大,。2,、速度。另一個(gè)變量是速度,。對(duì)于單端鍍膜機(jī),，鍍膜區(qū)的傳動(dòng)速度可以在每分鐘0~600英寸之間選擇。對(duì)于雙端鍍膜機(jī),，鍍膜區(qū)的傳動(dòng)速度可以在每分鐘0~200英寸之間選擇,。在給定的濺射速率下，傳動(dòng)速度越低則表示沉積的膜層越厚,。3,、氣體。較后一個(gè)變量是氣體,，可以在三種氣體中選擇兩種作為主氣體和輔氣體來(lái)進(jìn)行使用,。上海射頻磁控濺射工藝玻璃基片在陰極下的移動(dòng)是通過(guò)傳動(dòng)來(lái)進(jìn)行的。

磁控濺射是物理的氣相沉積的一種,，也是物理的氣相沉積中技術(shù)較為成熟的,。磁控濺射的工作原理是電子在電場(chǎng)的作用下，在飛向基材過(guò)程中與氬原子發(fā)生碰撞,，電離出氬正離子和新的電子,；新電子飛向基材，氬正離子在電場(chǎng)作用下加速飛向陰極靶,，并以高能量轟擊靶表面,，使靶材發(fā)生濺射；在濺射粒子中,，中性的靶原子或分子沉積在基材上形成薄膜,。磁控濺射技術(shù)制備的薄膜具有硬度高、強(qiáng)度大,、耐磨性好,、摩擦系數(shù)低、穩(wěn)定性好等優(yōu)點(diǎn),。磁控濺射鍍膜工藝過(guò)程簡(jiǎn)單,，對(duì)環(huán)境無(wú)污染，耗材少,，成膜均勻致密,，與基材的結(jié)合力強(qiáng),。這種技術(shù)廣泛應(yīng)用于航空航天、電子,、光學(xué),、機(jī)械、建筑,、輕工,、冶金、材料等領(lǐng)域,，是太陽(yáng)選擇性吸收涂層更理想的制備方法,。

用磁控靶源濺射金屬和合金很容易，點(diǎn)火和濺射很方便,。這是因?yàn)榘?，等離子體和被濺零件/真空腔體可形成回路。但若濺射絕緣體,，則回路斷了,。于是人們采用高頻電源，回路中加入很強(qiáng)的電容,，這樣在絕緣回路中靶材成了一個(gè)電容,。但高頻磁控濺射電源昂貴，濺射速率很小,，同時(shí)接地技術(shù)很復(fù)雜,，因而難大規(guī)模采用。為解決此問(wèn)題,，發(fā)明了磁控反應(yīng)濺射,。就是用金屬靶，加入氬氣和反應(yīng)氣體如氮?dú)饣蜓鯕?。?dāng)金屬靶材撞向零件時(shí)由于能量轉(zhuǎn)化,，與反應(yīng)氣體化合生成氮化物或氧化物。磁控濺射技術(shù)廣泛應(yīng)用于航空航天,、電子,、光學(xué)、機(jī)械,、建筑,、輕工、冶金,、材料等領(lǐng)域。

高能脈沖磁控濺射技術(shù)是利用較高的脈沖峰值功率和較低的脈沖占空比來(lái)產(chǎn)生高濺射金屬離化率的一種磁控濺射技術(shù),。電源與等離子體淹沒(méi)離子注入沉積方法相結(jié)合,，形成一種新穎的成膜過(guò)程與質(zhì)量調(diào)控技術(shù),，是可應(yīng)用于大型矩形靶的離化率可控磁控濺射新技術(shù)，填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)在該方向的研究空白,。將高能沖擊磁控濺射與高壓脈沖偏壓技術(shù)復(fù)合,，利用其高離化率和淹沒(méi)性的特點(diǎn)，通過(guò)成膜過(guò)程中入射粒子能量與分布的有效操控,，實(shí)現(xiàn)高膜基結(jié)合力,、高質(zhì)量、高均勻性薄膜的制備,。同時(shí)結(jié)合全新的粒子能量與成膜過(guò)程反饋控制系統(tǒng),，開(kāi)展高離化率等離子體發(fā)生、等離子體的時(shí)空演變及荷能粒子成膜物理過(guò)程控制等方面的研究與工程應(yīng)用,。其中心技術(shù)具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán),，已申請(qǐng)相關(guān)發(fā)明專利兩項(xiàng)。該項(xiàng)技術(shù)對(duì)實(shí)現(xiàn)PVD沉積關(guān)鍵瓶頸問(wèn)題的突破具有重大意義,，有助于提升我國(guó)在表面工程加工領(lǐng)域的國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力,。如在交通領(lǐng)域，該技術(shù)用于汽車發(fā)動(dòng)機(jī)三部件,，可降低摩擦25%,，減少油耗3%；機(jī)械加工領(lǐng)域,，沉積先進(jìn)鍍層可使刀具壽命提高2～10倍,，加工速度提高30-70%。單向脈沖正電壓段的電壓為零!濺射發(fā)生在負(fù)電壓段,。福建金屬磁控濺射用處

磁控濺射是在低氣壓下進(jìn)行高速濺射,，為此需要提高氣體的離化率。福建金屬磁控濺射用處

直流濺射的結(jié)構(gòu)原理如下：真空室中裝有輝光放電的陰極,，靶材就裝在此極表面上,，接受離子轟擊；安裝鍍膜基片或工件的樣品臺(tái)以及真空室接地,，作為陽(yáng)極,。操作時(shí)將真空室抽至高真空后，通入氬氣,，并使其真空度維持在1.0Pa左右,，再加上2-3kV的直流電壓于兩電極之上，即可產(chǎn)生輝光放電,。此時(shí),，在靶材附近形成高密度的等離子體區(qū)，即負(fù)輝區(qū)該區(qū)中的離子在直流電壓的加速下轟擊靶材即發(fā)生濺射效應(yīng),。由靶材表面濺射出來(lái)的原子沉積在基片或工件上,，形成鍍層,。福建金屬磁控濺射用處