光刻膠行業(yè)具有極高的行業(yè)壁壘,，因此在全球范圍其行業(yè)都呈現(xiàn)寡頭壟斷的局面,。光刻膠行業(yè)長(zhǎng)年被日本和美國(guó)專業(yè)公司壟斷。目前**大廠商就占據(jù)了全球光刻膠市場(chǎng)87%的份額,，行業(yè)集中度高,。并且高分辨率的KrF和ArF半導(dǎo)體光刻膠中心技術(shù)亦基本被日本和美國(guó)企業(yè)所壟斷，產(chǎn)品絕大多數(shù)出自日本和美國(guó)公司,。整個(gè)光刻膠市場(chǎng)格局來看，日本是光刻膠行業(yè)的巨頭聚集地,。目前中國(guó)大陸對(duì)于電子材料,，特別是光刻膠方面對(duì)國(guó)外依賴較高。所以在半導(dǎo)體材料方面的國(guó)產(chǎn)代替是必然趨勢(shì),。廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所,。接觸式光刻機(jī)的掩模版包括了要復(fù)制到襯底上的所有芯片陣列圖形。低線寬光刻加工廠

每顆芯片誕生之初,，都要經(jīng)過光刻機(jī)的雕刻,，精度要達(dá)到頭發(fā)絲的千分之一，如今,，全世界能夠生產(chǎn)光刻機(jī)的國(guó)家只有四個(gè),，中國(guó)成為了其中的一員，實(shí)現(xiàn)了從無到有的突破,。光刻機(jī)又被稱為：掩模對(duì)準(zhǔn)曝光機(jī),、曝光系統(tǒng)、光刻系統(tǒng)等,。常用的光刻機(jī)是掩模對(duì)準(zhǔn)光刻,，所以它被稱為掩模對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)。它指的是通過將硅晶片表面上的膠整平,，然后將掩模上的圖案轉(zhuǎn)移到光刻膠,，將器件或電路結(jié)構(gòu)暫時(shí)“復(fù)制”到硅晶片上的過程。它不是簡(jiǎn)單的激光器,，但它的曝光系統(tǒng)基本上使用的是復(fù)雜的紫外光源,。光刻機(jī)是芯片制造的中心設(shè)備之一，根據(jù)用途可分為幾類：光刻機(jī)生產(chǎn)芯片,；有光刻機(jī)包裝,；還有一款投影光刻機(jī)用在LED制造領(lǐng)域。浙江光刻加工工廠目前中國(guó)光刻膠國(guó)產(chǎn)化水平嚴(yán)重不足,，重點(diǎn)技術(shù)差距在半導(dǎo)體光刻膠領(lǐng)域,，有2-3代差距,。

不同波長(zhǎng)的光刻光源要求截然不同的光刻設(shè)備和光刻膠材料。在20世紀(jì)80年代,，半導(dǎo)體制成的主流工藝尺寸在1.2um(1200nm)至0.8um(800nm)之間,。那時(shí)候波長(zhǎng)436nm的光刻光源被普遍使用。在90年代前半期,，隨著半導(dǎo)體制程工藝尺寸朝0.5um（500nm）和0.35um（350nm）演進(jìn),，光刻開始采用365nm波長(zhǎng)光源。436nm和365nm光源分別是高壓汞燈中能量較高,，波長(zhǎng)較短的兩個(gè)譜線,。高壓汞燈技術(shù)成熟，因此較早被用來當(dāng)作光刻光源,。使用波長(zhǎng)短,，能量高的光源進(jìn)行光刻工藝更容易激發(fā)光化學(xué)反應(yīng)、提高光刻分別率,。

顯影液：正性光刻膠的顯影液,。正膠的顯影液位堿性水溶液。KOH和NaOH因?yàn)闀?huì)帶來可動(dòng)離子污染（MIC,，MovableIonContamination）,，所以在IC制造中一般不用。較普通的正膠顯影液是四甲基氫氧化銨（TMAH）（標(biāo)準(zhǔn)當(dāng)量濃度為0.26,，溫度15～25C）,。在I線光刻膠曝光中會(huì)生成羧酸，TMAH顯影液中的堿與酸中和使曝光的光刻膠溶解于顯影液,，而未曝光的光刻膠沒有影響,；在化學(xué)放大光刻膠（CAR，ChemicalAmplifiedResist）中包含的酚醛樹脂以PHS形式存在,。CAR中的PAG產(chǎn)生的酸會(huì)去除PHS中的保護(hù)基團(tuán)（t-BOC）,，從而使PHS快速溶解于TMAH顯影液中。光刻膠又稱光致抗蝕劑,，是一種對(duì)光敏感的混合液體,。

通過調(diào)整光刻膠的配方，滿足差異化的應(yīng)用需求,，是光刻膠制造商較中心的技術(shù),。質(zhì)量控制技術(shù)：由于用戶對(duì)光刻膠的穩(wěn)定性、一致性要求高,，包括不同批次間的一致性,，通常希望對(duì)感光靈敏度、膜厚的一致性保持在較高水平,，因此,，光刻膠生產(chǎn)商不僅*要配臵齊全的測(cè)試儀器,，還需要建立一套嚴(yán)格的QA體系以保證產(chǎn)品的質(zhì)量穩(wěn)定。原材料技術(shù)：光刻膠是一種經(jīng)過嚴(yán)格設(shè)計(jì)的復(fù)雜,、精密的配方產(chǎn)品,，由成膜劑、光敏劑,、溶劑和添加劑等不同性質(zhì)的原料,，通過不同的排列組合，經(jīng)過復(fù)雜,、精密的加工工藝而制成,。因此，光刻膠原材料的品質(zhì)對(duì)光刻膠的質(zhì)量起著關(guān)鍵作用,。對(duì)于半導(dǎo)體化學(xué)化學(xué)試劑的純度,，際半導(dǎo)體設(shè)備和材料組織（SEMI）制定了國(guó)際統(tǒng)一標(biāo)準(zhǔn)，接觸式曝光和非接觸式曝光的區(qū)別,，在于曝光時(shí)掩模與晶片間相對(duì)關(guān)系是貼緊還是分開。廣州激光直寫光刻

深紫外線堅(jiān)膜使正性光刻膠樹脂發(fā)生交聯(lián)形成一層薄的表面硬殼,，增加光刻膠的熱穩(wěn)定性,。低線寬光刻加工廠

對(duì)于國(guó)產(chǎn)光刻膠來說，今年的九月是極為特殊的一個(gè)月份,。9月23日,，發(fā)改委聯(lián)合工信部、科技部,、財(cái)政部共同發(fā)布了《關(guān)于擴(kuò)大戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)投資培育壯大新增長(zhǎng)點(diǎn)增長(zhǎng)極的指導(dǎo)意見》,，《意見》提出，加快新材料產(chǎn)業(yè)強(qiáng)弱項(xiàng),，具體涉及加快在光刻膠,、大尺寸硅片、電子封裝材料等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)突破,。而在《意見》還未發(fā)布之前,，部分企業(yè)已經(jīng)聞聲先動(dòng)了。除了幾家企業(yè)加大投資,、研發(fā)國(guó)產(chǎn)光刻膠之外,，還有兩家企業(yè)通過購買光刻機(jī)的方式，開展光刻膠的研發(fā),。光刻膠產(chǎn)業(yè),，尤其是較優(yōu)光刻膠一直是日本企業(yè)所把持，這已不是什么鮮為人知的信息了,。廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所,。低線寬光刻加工廠

廣東省半導(dǎo)體所,，2016-04-07正式啟動(dòng)，成立了微納加工技術(shù)服務(wù),，真空鍍膜技術(shù)服務(wù),，紫外光刻技術(shù)服務(wù)，材料刻蝕技術(shù)服務(wù)等幾大市場(chǎng)布局,，應(yīng)對(duì)行業(yè)變化,，順應(yīng)市場(chǎng)趨勢(shì)發(fā)展，在創(chuàng)新中尋求突破,，進(jìn)而提升芯辰實(shí)驗(yàn)室,微納加工的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力,，把握市場(chǎng)機(jī)遇，推動(dòng)電子元器件產(chǎn)業(yè)的進(jìn)步,。是具有一定實(shí)力的電子元器件企業(yè)之一,，主要提供微納加工技術(shù)服務(wù)，真空鍍膜技術(shù)服務(wù),，紫外光刻技術(shù)服務(wù),，材料刻蝕技術(shù)服務(wù)等領(lǐng)域內(nèi)的產(chǎn)品或服務(wù)。我們?cè)诎l(fā)展業(yè)務(wù)的同時(shí),，進(jìn)一步推動(dòng)了品牌價(jià)值完善,。隨著業(yè)務(wù)能力的增長(zhǎng)，以及品牌價(jià)值的提升,，也逐漸形成電子元器件綜合一體化能力,。廣東省半導(dǎo)體所始終保持在電子元器件領(lǐng)域優(yōu)先的前提下，不斷優(yōu)化業(yè)務(wù)結(jié)構(gòu),。在微納加工技術(shù)服務(wù),，真空鍍膜技術(shù)服務(wù)，紫外光刻技術(shù)服務(wù),，材料刻蝕技術(shù)服務(wù)等領(lǐng)域承攬了一大批高精尖項(xiàng)目,，積極為更多電子元器件企業(yè)提供服務(wù)。