光刻膠國產(chǎn)代替是中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的迫切需要,；自從中美貿(mào)易摩擦依賴,，中國大陸積極布局集成電路產(chǎn)業(yè),。在半導(dǎo)體材料領(lǐng)域,，光刻膠作為是集成電路制程技術(shù)進(jìn)步的“燃料”,，是國產(chǎn)代替重要環(huán)節(jié),，也是必將國產(chǎn)化的產(chǎn)品。光刻是半導(dǎo)制程的中心工藝,，對制造出更先進(jìn),，晶體管密度更大的集成電路起到?jīng)Q定性作用。每一代新的光刻工藝都需要新一代的光刻膠技術(shù)相匹配?，F(xiàn)在,，一塊半導(dǎo)體芯片在制造過程中一般需要進(jìn)行10-50道光刻過程。其中不同的光刻過程對于光刻膠也有不一樣的具體需求,。表面有顆粒,、滴膠后精致時(shí)間過長，部分光刻膠固話,，解決的方法主要有更換光刻膠,。東莞光刻工藝

光刻層間對準(zhǔn)，即套刻精度（Overlay）,，保證圖形與硅片上已經(jīng)存在的圖形之間的對準(zhǔn),。曝光中較重要的兩個(gè)參數(shù)是：曝光能量（Energy）和焦距（Focus）。如果能量和焦距調(diào)整不好,，就不能得到要求的分辨率和大小的圖形,。表現(xiàn)為圖形的關(guān)鍵尺寸超出要求的范圍。曝光方法：a,、接觸式曝光（ContactPrinting）,。掩膜板直接與光刻膠層接觸。曝光出來的圖形與掩膜板上的圖形分辨率相當(dāng),，設(shè)備簡單,。缺點(diǎn)：光刻膠污染掩膜板；掩膜板的磨損,，壽命很低（只能使用5～25次）,；1970前使用，分辨率〉0.5μm,。b,、接近式曝光（ProximityPrinting）。湖南微納光刻光刻版就是在蘇打材料通過光刻,、刻蝕等工藝在表面使用鉻金屬做出我們所需要的圖形,。

光刻膠的技術(shù)壁壘包括配方技術(shù)，質(zhì)量控制技術(shù)和原材料技術(shù),。配方技術(shù)是光刻膠實(shí)現(xiàn)功能的中心,，質(zhì)量控制技術(shù)能夠保證光刻膠性能的穩(wěn)定性而***的原材料則是光刻膠性能的基礎(chǔ),。配方技術(shù)：由于光刻膠的下游用戶是半導(dǎo)體制造商，不同的客戶會(huì)有不同的應(yīng)用需求,，同一個(gè)客戶也有不同的光刻應(yīng)用需求,。一般一塊半導(dǎo)體芯片在制造過程中需要進(jìn)行10-50道光刻過程，由于基板不同,、分辨率要求不同,、蝕刻方式不同等，不同的光刻過程對光刻膠的具體要求也不一樣,，即使類似的光刻過程,，不同的廠商也會(huì)有不同的要求。針對以上不同的應(yīng)用需求,，光刻膠的品種非常多,，這些差異主要通過調(diào)整光刻膠的配方來實(shí)現(xiàn)。

對于國產(chǎn)光刻膠來說,，今年的九月是極為特殊的一個(gè)月份,。9月23日，發(fā)改委聯(lián)合工信部,、科技部,、財(cái)政部共同發(fā)布了《關(guān)于擴(kuò)大戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)投資培育壯大新增長點(diǎn)增長極的指導(dǎo)意見》，《意見》提出,，加快新材料產(chǎn)業(yè)強(qiáng)弱項(xiàng),，具體涉及加快在光刻膠、大尺寸硅片,、電子封裝材料等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)突破,。而在《意見》還未發(fā)布之前，部分企業(yè)已經(jīng)聞聲先動(dòng)了,。除了幾家企業(yè)加大投資,、研發(fā)國產(chǎn)光刻膠之外，還有兩家企業(yè)通過購買光刻機(jī)的方式,，開展光刻膠的研發(fā),。光刻膠產(chǎn)業(yè)，尤其是較優(yōu)光刻膠一直是日本企業(yè)所把持,，這已不是什么鮮為人知的信息了,。光刻版材質(zhì)主要是兩種，一個(gè)是石英材質(zhì)一個(gè)是蘇打材質(zhì),，石英材料的透光率會(huì)比蘇打的透光率要高,。

光刻膠行業(yè)具有極高的行業(yè)壁壘，因此在全球范圍其行業(yè)都呈現(xiàn)寡頭壟斷的局面,。光刻膠行業(yè)長年被日本和美國專業(yè)公司壟斷,。目前**大廠商就占據(jù)了全球光刻膠市場87%的份額,，行業(yè)集中度高,。并且高分辨率的KrF和ArF半導(dǎo)體光刻膠中心技術(shù)亦基本被日本和美國企業(yè)所壟斷,，產(chǎn)品絕大多數(shù)出自日本和美國公司。整個(gè)光刻膠市場格局來看,，日本是光刻膠行業(yè)的巨頭聚集地,。目前中國大陸對于電子材料，特別是光刻膠方面對國外依賴較高,。所以在半導(dǎo)體材料方面的國產(chǎn)代替是必然趨勢,。廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所。光刻膠又稱光致抗蝕劑,，是一種對光敏感的混合液體,。佛山光刻價(jià)格

接近式光刻機(jī)，光刻版與光刻膠有一個(gè)很小的縫隙,，避免晶圓片與光刻版直接接觸,，缺陷少。東莞光刻工藝

光刻曝光系統(tǒng)：接觸式曝光和非接觸式曝光的區(qū)別,，在于曝光時(shí)掩模與晶片間相對關(guān)系是貼緊還是分開,。接觸式曝光具有分辨率高、復(fù)印面積大,、復(fù)印精度好,、曝光設(shè)備簡單、操作方便和生產(chǎn)效率高等特點(diǎn),。但容易損傷和沾污掩模版和晶片上的感光膠涂層,影響成品率和掩模版壽命,對準(zhǔn)精度的提高也受到較多的限制,。一般認(rèn)為，接觸式曝光只適于分立元件和中,、小規(guī)模集成電路的生產(chǎn),。非接觸式曝光主要指投影曝光。在投影曝光系統(tǒng)中,，掩膜圖形經(jīng)光學(xué)系統(tǒng)成像在感光層上,，掩模與晶片上的感光膠層不接觸,不會(huì)引起損傷和沾污,成品率較高，對準(zhǔn)精度也高,，能滿足高集成度器件和電路生產(chǎn)的要求,。但投影曝光設(shè)備復(fù)雜，技術(shù)難度高,，因而不適于低檔產(chǎn)品的生產(chǎn)?，F(xiàn)代應(yīng)用較廣的是 1:1倍的全反射掃描曝光系統(tǒng)和x:1倍的在硅片上直接分步重復(fù)曝光系統(tǒng)。東莞光刻工藝

廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所是以提供微納加工技術(shù)服務(wù),，真空鍍膜技術(shù)服務(wù),，紫外光刻技術(shù)服務(wù),，材料刻蝕技術(shù)服務(wù)為主的****，公司成立于2016-04-07,，旗下芯辰實(shí)驗(yàn)室,微納加工,，已經(jīng)具有一定的業(yè)內(nèi)水平。廣東省半導(dǎo)體所致力于構(gòu)建電子元器件自主創(chuàng)新的競爭力,，產(chǎn)品已銷往多個(gè)國家和地區(qū),，被國內(nèi)外眾多企業(yè)和客戶所認(rèn)可。