光刻膠國產代替是中國半導體產業(yè)的迫切需要,；自從中美貿易摩擦依賴,，中國大陸積極布局集成電路產業(yè),。在半導體材料領域，光刻膠作為是集成電路制程技術進步的“燃料”,，是國產代替重要環(huán)節(jié),，也是必將國產化的產品。光刻是半導制程的中心工藝,，對制造出更先進,，晶體管密度更大的集成電路起到決定性作用。每一代新的光刻工藝都需要新一代的光刻膠技術相匹配?，F(xiàn)在,，一塊半導體芯片在制造過程中一般需要進行10-50道光刻過程。其中不同的光刻過程對于光刻膠也有不一樣的具體需求,。表面有顆粒,、滴膠后精致時間過長，部分光刻膠固話,，解決的方法主要有更換光刻膠,。東莞光刻工藝

光刻層間對準，即套刻精度（Overlay）,，保證圖形與硅片上已經存在的圖形之間的對準,。曝光中較重要的兩個參數(shù)是：曝光能量（Energy）和焦距（Focus）。如果能量和焦距調整不好,，就不能得到要求的分辨率和大小的圖形,。表現(xiàn)為圖形的關鍵尺寸超出要求的范圍。曝光方法：a,、接觸式曝光（ContactPrinting）,。掩膜板直接與光刻膠層接觸。曝光出來的圖形與掩膜板上的圖形分辨率相當,，設備簡單,。缺點：光刻膠污染掩膜板；掩膜板的磨損,，壽命很低（只能使用5～25次）,；1970前使用，分辨率〉0.5μm,。b,、接近式曝光（ProximityPrinting）。湖南微納光刻光刻版就是在蘇打材料通過光刻,、刻蝕等工藝在表面使用鉻金屬做出我們所需要的圖形,。

光刻膠的技術壁壘包括配方技術，質量控制技術和原材料技術,。配方技術是光刻膠實現(xiàn)功能的中心,，質量控制技術能夠保證光刻膠性能的穩(wěn)定性而***的原材料則是光刻膠性能的基礎,。配方技術：由于光刻膠的下游用戶是半導體制造商，不同的客戶會有不同的應用需求,，同一個客戶也有不同的光刻應用需求,。一般一塊半導體芯片在制造過程中需要進行10-50道光刻過程，由于基板不同,、分辨率要求不同,、蝕刻方式不同等，不同的光刻過程對光刻膠的具體要求也不一樣,，即使類似的光刻過程,，不同的廠商也會有不同的要求。針對以上不同的應用需求,，光刻膠的品種非常多,，這些差異主要通過調整光刻膠的配方來實現(xiàn)。

對于國產光刻膠來說,，今年的九月是極為特殊的一個月份,。9月23日，發(fā)改委聯(lián)合工信部,、科技部,、財政部共同發(fā)布了《關于擴大戰(zhàn)略性新興產業(yè)投資培育壯大新增長點增長極的指導意見》，《意見》提出,，加快新材料產業(yè)強弱項,，具體涉及加快在光刻膠、大尺寸硅片,、電子封裝材料等領域實現(xiàn)突破,。而在《意見》還未發(fā)布之前，部分企業(yè)已經聞聲先動了,。除了幾家企業(yè)加大投資,、研發(fā)國產光刻膠之外，還有兩家企業(yè)通過購買光刻機的方式,，開展光刻膠的研發(fā),。光刻膠產業(yè)，尤其是較優(yōu)光刻膠一直是日本企業(yè)所把持,，這已不是什么鮮為人知的信息了,。光刻版材質主要是兩種，一個是石英材質一個是蘇打材質,，石英材料的透光率會比蘇打的透光率要高,。

光刻膠行業(yè)具有極高的行業(yè)壁壘，因此在全球范圍其行業(yè)都呈現(xiàn)寡頭壟斷的局面,。光刻膠行業(yè)長年被日本和美國專業(yè)公司壟斷,。目前**大廠商就占據了全球光刻膠市場87%的份額,，行業(yè)集中度高。并且高分辨率的KrF和ArF半導體光刻膠中心技術亦基本被日本和美國企業(yè)所壟斷,，產品絕大多數(shù)出自日本和美國公司。整個光刻膠市場格局來看,，日本是光刻膠行業(yè)的巨頭聚集地,。目前中國大陸對于電子材料，特別是光刻膠方面對國外依賴較高,。所以在半導體材料方面的國產代替是必然趨勢,。廣東省科學院半導體研究所。光刻膠又稱光致抗蝕劑,，是一種對光敏感的混合液體,。佛山光刻價格

接近式光刻機，光刻版與光刻膠有一個很小的縫隙,，避免晶圓片與光刻版直接接觸,，缺陷少。東莞光刻工藝

光刻曝光系統(tǒng)：接觸式曝光和非接觸式曝光的區(qū)別,，在于曝光時掩模與晶片間相對關系是貼緊還是分開,。接觸式曝光具有分辨率高、復印面積大,、復印精度好,、曝光設備簡單、操作方便和生產效率高等特點,。但容易損傷和沾污掩模版和晶片上的感光膠涂層,影響成品率和掩模版壽命,對準精度的提高也受到較多的限制,。一般認為，接觸式曝光只適于分立元件和中,、小規(guī)模集成電路的生產,。非接觸式曝光主要指投影曝光。在投影曝光系統(tǒng)中,，掩膜圖形經光學系統(tǒng)成像在感光層上,，掩模與晶片上的感光膠層不接觸,不會引起損傷和沾污,成品率較高，對準精度也高,，能滿足高集成度器件和電路生產的要求,。但投影曝光設備復雜，技術難度高,，因而不適于低檔產品的生產?，F(xiàn)代應用較廣的是 1:1倍的全反射掃描曝光系統(tǒng)和x:1倍的在硅片上直接分步重復曝光系統(tǒng)。東莞光刻工藝

廣東省科學院半導體研究所是以提供微納加工技術服務,，真空鍍膜技術服務,，紫外光刻技術服務,，材料刻蝕技術服務為主的****，公司成立于2016-04-07,，旗下芯辰實驗室,微納加工,，已經具有一定的業(yè)內水平。廣東省半導體所致力于構建電子元器件自主創(chuàng)新的競爭力,，產品已銷往多個國家和地區(qū),，被國內外眾多企業(yè)和客戶所認可。