光聚合型，可形成正性光刻膠,，是通過采用了烯類單體,，在光作用下生成自由基從而進一步引發(fā)單體聚合,，較后生成聚合物的過程,；光分解型光刻膠可以制成正性膠,，通過采用含有疊氮醌類化合物的材料在經(jīng)過光照后,發(fā)生光分解反應的過程。光交聯(lián)型,，即采用聚乙烯醇月桂酸酯等作為光敏材料,，在光的作用下,，其分子中的雙鍵被打開,，并使鏈與鏈之間發(fā)生交聯(lián),，形成一種不溶性的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu),，從而起到抗蝕作用,，是一種典型的負性光刻膠。按照應用領域的不同,，光刻膠又可以分為印刷電路板（PCB）用光刻膠、液晶顯示(LCD）用光刻膠,、半導體用光刻膠和其他用途光刻膠。PCB 光刻膠技術壁壘相對其他兩類較低,，而半導體光刻膠表示著光刻膠技術較先進水平,。在完成圖形的曝光后，用激光曝光硅片邊緣,，然后在顯影或特殊溶劑中溶解。接觸式光刻加工平臺

光刻膠行業(yè)具有極高的行業(yè)壁壘，因此在全球范圍其行業(yè)都呈現(xiàn)寡頭壟斷的局面,。光刻膠行業(yè)長年被日本和美國專業(yè)公司壟斷,。目前**大廠商就占據(jù)了全球光刻膠市場87%的份額,，行業(yè)集中度高,。并且高分辨率的KrF和ArF半導體光刻膠中心技術亦基本被日本和美國企業(yè)所壟斷，產(chǎn)品絕大多數(shù)出自日本和美國公司,。整個光刻膠市場格局來看,，日本是光刻膠行業(yè)的巨頭聚集地,。目前中國大陸對于電子材料，特別是光刻膠方面對國外依賴較高,。所以在半導體材料方面的國產(chǎn)代替是必然趨勢,。廣東省科學院半導體研究所。接觸式光刻加工平臺光刻其實就是一個圖形化轉(zhuǎn)印的過程,。

光刻涂底方法：氣相成底膜的熱板涂底,。HMDS蒸氣淀積，200～250C,30秒鐘,；優(yōu)點：涂底均勻、避免顆粒污染,；旋轉(zhuǎn)涂底,。缺點：顆粒污染,、涂底不均勻、HMDS用量大,。目的：使表面具有疏水性,，增強基底表面與光刻膠的黏附性旋轉(zhuǎn)涂膠方法：a,、靜態(tài)涂膠（Static）,。硅片靜止時,，滴膠,、加速旋轉(zhuǎn)、甩膠,、揮發(fā)溶劑（原光刻膠的溶劑約占65～85%,旋涂后約占10～20%）；b,、動態(tài)（Dynamic）。低速旋轉(zhuǎn)（500rpm_rotationperminute）,、滴膠、加速旋轉(zhuǎn)（3000rpm）,、甩膠,、揮發(fā)溶劑。決定光刻膠涂膠厚度的關鍵參數(shù)：光刻膠的黏度（Viscosity）,，黏度越低,，光刻膠的厚度越??；

光刻（Photolithography)是一種圖形轉(zhuǎn)移的方法,，在微納加工當中不可或缺的技術,。光刻是一個比較大的概念,，其實它是有多步工序所組成的,。1.清洗：清洗襯底表面的有機物,。2.旋涂：將光刻膠旋涂在襯底表面,。3.曝光,。將光刻版與襯底對準,，在紫外光下曝光一定的時間,。4.顯影：將曝光后的襯底在顯影液下顯影一定的時間，受過紫外線曝光的地方會溶解在顯影液當中,。5.后烘。將顯影后的襯底放置熱板上后烘,，以增強光刻膠與襯底之前的粘附力,。光刻是將掩模版上的圖形轉(zhuǎn)移到涂有光致抗蝕劑（或稱光刻膠）的襯底上,，通過一系列生產(chǎn)步驟將硅片表面薄膜的特定部分除去的一種圖形轉(zhuǎn)移技術。光刻技術是借用照相技術,、平板印刷技術的基礎上發(fā)展起來的半導體關鍵工藝技術,。表面有顆粒、滴膠后精致時間過長,，部分光刻膠固話，解決的方法主要有更換光刻膠,。

接觸式光刻曝光時掩模壓在光刻膠的襯底晶片上,，其主要優(yōu)點是可以使用價格較低的設備制造出較小的特征尺寸,。接觸式光刻和深亞微米光源已經(jīng)達到了小于0.1μm的特征尺寸，常用的光源分辨率為0.5μm左右,。接觸式光刻機的掩模版包括了要復制到襯底上的所有芯片陣列圖形。在襯底上涂上光刻膠,，并被安裝到一個由手動控制的臺子上，臺子可以進行X,、y方向及旋轉(zhuǎn)的定位控制。掩模版和襯底晶片需要通過分立視場的顯微鏡同時觀察,，這樣操作者用手動控制定位臺子就能把掩模版圖形和襯底晶片上的圖形對準了,。經(jīng)過紫外光曝光,，光線通過掩模版透明的部分，圖形就轉(zhuǎn)移到了光刻膠上,。堅膜，以提高光刻膠在離子注入或刻蝕中保護下表面的能力,。接觸式光刻加工平臺

光刻是將掩模版上的圖形轉(zhuǎn)移到涂有光致抗蝕劑（或稱光刻膠）的襯底上,。接觸式光刻加工平臺

當光刻膠曝光后,，曝光區(qū)域的光致酸劑（PAG）將會產(chǎn)生一種酸。這種酸在后熱烘培工序期間作為催化劑,，將會移除樹脂的保護基團從而使得樹脂變得易于溶解,?；瘜W放大光刻膠曝光速遞是DQN光刻膠的10倍,，對深紫外光源具有良好的光學敏感性,，同時具有高對比度，對高分辨率等優(yōu)點,。按照曝光波長分類,；光刻膠可分為紫外光刻膠（300~450nm）、深紫外光刻膠（160~280nm）,、極紫外光刻膠（EUV,，13.5nm）、電子束光刻膠,、離子束光刻膠,、X射線光刻膠等。不同曝光波長的光刻膠,，其適用的光刻極限分辨率不同,。接觸式光刻加工平臺

廣東省科學院半導體研究所成立于2016-04-07，是一家專注于微納加工技術服務,，真空鍍膜技術服務,，紫外光刻技術服務，材料刻蝕技術服務的****,，公司位于長興路363號,。公司經(jīng)常與行業(yè)內(nèi)技術**交流學習，研發(fā)出更好的產(chǎn)品給用戶使用,。公司業(yè)務不斷豐富,，主要經(jīng)營的業(yè)務包括：微納加工技術服務，真空鍍膜技術服務,，紫外光刻技術服務,，材料刻蝕技術服務等多系列產(chǎn)品和服務?？梢愿鶕?jù)客戶需求開發(fā)出多種不同功能的產(chǎn)品,，深受客戶的好評。公司秉承以人為本,，科技創(chuàng)新,，市場先導，和諧共贏的理念,，建立一支由微納加工技術服務,，真空鍍膜技術服務，紫外光刻技術服務,，材料刻蝕技術服務專家組成的顧問團隊,，由經(jīng)驗豐富的技術人員組成的研發(fā)和應用團隊,。在市場競爭日趨激烈的現(xiàn)在，我們承諾保證微納加工技術服務,，真空鍍膜技術服務,，紫外光刻技術服務，材料刻蝕技術服務質(zhì)量和服務,，再創(chuàng)佳績是我們一直的追求,，我們真誠的為客戶提供真誠的服務，歡迎各位新老客戶來我公司參觀指導,。