PECVD（等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法）工藝中由于等離子體中高速運(yùn)動(dòng)的電子撞擊到中性的反應(yīng)氣體分子,，就會(huì)使中性反應(yīng)氣體分子變成碎片或處于激發(fā)的狀態(tài)容易發(fā)生反應(yīng),，以在襯底在300-350℃就可以得到良好的氧化硅或者氮化硅薄膜,，可以在器件當(dāng)中作為鈍化絕緣層,，來(lái)提高器件的可靠性,。氧化硅薄膜主要用到的氣體為硅烷和笑氣,，氮化硅薄膜主要用到的氣體為氨氣和硅烷,。采用PECVD鍍膜對(duì)器件有一定的要求,，因?yàn)楣に嚋囟缺容^高,，所以器件需要耐高溫,，高溫烘烤下不能變形。真空鍍膜的操作規(guī)程：易燃有毒物品要妥善保管,，以防失火中毒,。湖北P(pán)ECVD真空鍍膜

磁控濺射可改變工作氣體與氬氣比例從而進(jìn)行反應(yīng)濺射，例如使用Si靶材,，通入一定比例的N2,，氬氣作為工作氣體，而氮?dú)庾鳛榉磻?yīng)氣體,，反應(yīng)能得到SiNx薄膜,。通入氧氣與氮?dú)鈴亩@得各種材料的氧化物與氮化物薄膜，通過(guò)改變反應(yīng)氣體與工作氣體的比例也能對(duì)濺射速率進(jìn)行調(diào)整,，薄膜內(nèi)組分也能相應(yīng)調(diào)整,。但反應(yīng)氣體過(guò)量時(shí)可能會(huì)造成靶中毒。解決靶中毒主要有以下幾種方法;1.使用射頻電源進(jìn)行濺射,；2.采用閉環(huán)控制反應(yīng)氣體通入流量,；3.使用孿生靶交替濺射；4.控制鍍膜模式的變換：在鍍膜前,，采集靶中毒的遲滯效應(yīng)曲線(xiàn),，使進(jìn)氣流量控制在產(chǎn)生靶中毒的前沿，確保工藝過(guò)程始終處于沉積速率陡降前的模式,。光電器件真空鍍膜加工平臺(tái)真空鍍膜是指在真空室中,利用荷能粒子轟擊靶表面,使靶材的原子或分子從表面發(fā)射出來(lái),。

磁控濺射還可用于不同金屬合金的共濺射，同時(shí)使用多個(gè)靶電源和不同靶材,，例如TiW合金,，通過(guò)單獨(dú)調(diào)整Ti、W的濺射速率，同時(shí)開(kāi)始濺射2種材料,，則在襯底上可以形成Ti/W合計(jì),，對(duì)不同材料的速率進(jìn)行調(diào)節(jié)，即能滿(mǎn)足不同組分的要求.磁控濺射由于其內(nèi)部電場(chǎng)的存在,，還可在襯底端引入一個(gè)負(fù)偏壓,，使濺射速率和材料粒子的方向性增加。所以磁控濺射常用來(lái)沉積TSV結(jié)構(gòu)的阻擋層和種子層,，通過(guò)對(duì)相關(guān)參數(shù)的調(diào)整和引入負(fù)偏壓,，可以實(shí)現(xiàn)高深寬比的薄膜濺射，且深孔內(nèi)壁薄膜連續(xù)和良好的均勻性

真空鍍膜：技術(shù)原理：濺射鍍膜基本原理：充氬（Ar）氣的真空條件下,，使氬氣進(jìn)行輝光放電,，這時(shí)氬（Ar）原子電離成氬離子（Ar），氬離子在電場(chǎng)力的作用下,，加速轟擊以鍍料制作的陰極靶材,，靶材會(huì)被濺射出來(lái)而沉積到工件表面。濺射鍍膜中的入射離子,，一般采用輝光放電獲得,，在l0-2Pa～10Pa范圍，所以濺射出來(lái)的粒子在飛向基體過(guò)程中,，易和真空室中的氣體分子發(fā)生碰撞,，使運(yùn)動(dòng)方向隨機(jī)，沉積的膜易于均勻,。離子鍍基本原理：在真空條件下,，采用某種等離子體電離技術(shù)，使鍍料原子部分電離成離子,，同時(shí)產(chǎn)生許多高能量的中性原子,，在被鍍基體上加負(fù)偏壓。這樣在深度負(fù)偏壓的作用下,，離子沉積于基體表面形成薄膜,。真空鍍膜機(jī)的優(yōu)點(diǎn):具有較佳的金屬光澤，光反射率可達(dá)97%,。

真空鍍膜：隨著沉積方法和技術(shù)的提升，物理的氣相沉積技術(shù)不僅可沉積金屬膜,、合金膜,、還可以沉積化合物、陶瓷,、半導(dǎo)體,、聚合物膜等。物理的氣相沉積技術(shù)早在20世紀(jì)初已有些應(yīng)用，但30年迅速發(fā)展成為一門(mén)極具廣闊應(yīng)用前景的新技術(shù),，并向著環(huán)保型,、清潔型趨勢(shì)發(fā)展。在鐘表行業(yè),，尤其是較好手表金屬外觀(guān)件的表面處理方面達(dá)到越來(lái)越為普遍的應(yīng)用,。物理的氣相沉積技術(shù)基本原理可分三個(gè)工藝步驟：鍍料的氣化：即使鍍料蒸發(fā)，升華或被濺射,，也就是通過(guò)鍍料的氣化源,。鍍料原子、分子或離子的遷移：由氣化源供出原子,、分子或離子經(jīng)過(guò)碰撞后,，產(chǎn)生多種反應(yīng)。鍍料原子,、分子或離子在基體上沉積,。真空鍍膜鍍層附著性能好。光電器件真空鍍膜加工平臺(tái)

真空鍍膜中離子鍍的鍍層無(wú)氣泡,。湖北P(pán)ECVD真空鍍膜

在二極濺射中增加一個(gè)平行于靶表面的封閉磁場(chǎng),，借助于靶表面上形成的正交電磁場(chǎng)，把二次電子束縛在靶表面特定區(qū)域來(lái)增強(qiáng)電離效率,，增加離子密度和能量,，從而實(shí)現(xiàn)高速率濺射的過(guò)程。隨著碰撞次數(shù)的增加,，二次電子的能量消耗殆盡,，逐漸遠(yuǎn)離靶表面，并在電場(chǎng)E的作用下沉積在基片上,。由于該電子的能量很低,，傳遞給基片的能量很小，致使基片溫升較低,。磁控濺射是入射粒子和靶的碰撞過(guò)程,。入射粒子在靶中經(jīng)歷復(fù)雜的散射過(guò)程，和靶原子碰撞,，把部分動(dòng)量傳給靶原子,，此靶原子又和其他靶原子碰撞，形成級(jí)聯(lián)過(guò)程,。在這種級(jí)聯(lián)過(guò)程中某些表面附近的靶原子獲得向外運(yùn)動(dòng)的足夠動(dòng)量,，離開(kāi)靶被濺射出來(lái)。湖北P(pán)ECVD真空鍍膜

廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所是以提供微納加工技術(shù)服務(wù),，真空鍍膜技術(shù)服務(wù),，紫外光刻技術(shù)服務(wù),，材料刻蝕技術(shù)服務(wù)為主的****，公司始建于2016-04-07,，在全國(guó)各個(gè)地區(qū)建立了良好的商貿(mào)渠道和技術(shù)協(xié)作關(guān)系,。公司主要提供面向半導(dǎo)體光電子器件、功率電子器件,、MEMS,、生物芯片等前沿領(lǐng)域，致力于打造***的公益性,、開(kāi)放性,、支撐性樞紐中心。平臺(tái)擁有半導(dǎo)體制備工藝所需的整套儀器設(shè)備,，建立了一條實(shí)驗(yàn)室研發(fā)線(xiàn)和一條中試線(xiàn),，加工尺寸覆蓋2-6英寸（部分8英寸），同時(shí)形成了一支與硬件有機(jī)結(jié)合的專(zhuān)業(yè)人才隊(duì)伍,。平臺(tái)當(dāng)前緊抓技術(shù)創(chuàng)新和公共服務(wù),，面向國(guó)內(nèi)外高校、科研院所以及企業(yè)提供開(kāi)放共享,，為技術(shù)咨詢(xún),、創(chuàng)新研發(fā)、技術(shù)驗(yàn)證以及產(chǎn)品中試提供支持,。等領(lǐng)域內(nèi)的業(yè)務(wù),，產(chǎn)品滿(mǎn)意，服務(wù)可高,，能夠滿(mǎn)足多方位人群或公司的需要,。產(chǎn)品已銷(xiāo)往多個(gè)國(guó)家和地區(qū)，被國(guó)內(nèi)外眾多企業(yè)和客戶(hù)所認(rèn)可,。