每顆芯片誕生之初,，都要經(jīng)過(guò)光刻機(jī)的雕刻，精度要達(dá)到頭發(fā)絲的千分之一,，如今，全世界能夠生產(chǎn)光刻機(jī)的國(guó)家只有四個(gè),，中國(guó)成為了其中的一員,，實(shí)現(xiàn)了從無(wú)到有的突破,。光刻機(jī)又被稱(chēng)為：掩模對(duì)準(zhǔn)曝光機(jī),、曝光系統(tǒng),、光刻系統(tǒng)等。常用的光刻機(jī)是掩模對(duì)準(zhǔn)光刻,，所以它被稱(chēng)為掩模對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)。它指的是通過(guò)將硅晶片表面上的膠整平,，然后將掩模上的圖案轉(zhuǎn)移到光刻膠，將器件或電路結(jié)構(gòu)暫時(shí)“復(fù)制”到硅晶片上的過(guò)程,。它不是簡(jiǎn)單的激光器，但它的曝光系統(tǒng)基本上使用的是復(fù)雜的紫外光源,。光刻機(jī)是芯片制造的中心設(shè)備之一，根據(jù)用途可分為幾類(lèi)：光刻機(jī)生產(chǎn)芯片,；有光刻機(jī)包裝,；還有一款投影光刻機(jī)用在LED制造領(lǐng)域,。光刻是將掩模版上的圖形轉(zhuǎn)移到涂有光致抗蝕劑（或稱(chēng)光刻膠）的襯底上,。天津接觸式光刻

光刻噴嘴噴霧模式和硅片旋轉(zhuǎn)速度是實(shí)現(xiàn)硅片間溶解率和均勻性的可重復(fù)性的關(guān)鍵調(diào)節(jié)參數(shù),。水坑（旋覆浸沒(méi)）式顯影（PuddleDevelopment）。噴覆足夠（不能太多,，較小化背面濕度）的顯影液到硅片表面，并形成水坑形狀（顯影液的流動(dòng)保持較低,，以減少邊緣顯影速率的變化）。硅片固定或慢慢旋轉(zhuǎn),。一般采用多次旋覆顯影液：首先次涂覆、保持10～30秒,、去除；第二次涂覆,、保持,、去除。然后用去離子水沖洗（去除硅片兩面的所有化學(xué)品）并旋轉(zhuǎn)甩干,。優(yōu)點(diǎn)：顯影液用量少；硅片顯影均勻,；較小化了溫度梯度。天津接觸式光刻接觸式光刻曝光主要優(yōu)點(diǎn)是可以使用價(jià)格較低的設(shè)備制造出較小的特征尺寸,。

根據(jù)曝光方式的不同，光刻機(jī)主要分為接觸式，接近式以及投影式三種,。接觸式光刻機(jī),，曝光時(shí)，光刻版壓在涂有光刻膠的襯底上,，優(yōu)點(diǎn)是設(shè)備簡(jiǎn)單,，分辨率高,，沒(méi)有衍射效應(yīng)，缺點(diǎn)是光刻版與涂有光刻膠的晶圓片直接接觸,，每次接觸都會(huì)在晶圓片和光刻版上產(chǎn)生缺陷，降低光刻版使用壽命,，成品率低,。接近式光刻機(jī),，光刻版與光刻膠有一個(gè)很小的縫隙,，因?yàn)楣饪贪媾c襯底沒(méi)有接觸,，缺陷減少,，優(yōu)點(diǎn)是避免晶圓片與光刻版直接接觸,，缺陷少，缺點(diǎn)是分辨率低,，存在衍射效應(yīng),。投影式曝光,，一般光學(xué)系統(tǒng)將掩模版上的圖像縮小4x或5x倍,，聚焦并與硅片上已有的圖形對(duì)準(zhǔn)后曝光,，每次曝光一小部分,，曝完一個(gè)圖形后,，硅片移動(dòng)到下一個(gè)曝光位置繼續(xù)對(duì)準(zhǔn)曝光,，這種曝光方式分辨率比較高,，但不產(chǎn)生缺陷,。

光刻膠若性能不達(dá)標(biāo)會(huì)對(duì)芯片成品率造成重大影響,。目前中國(guó)光刻膠國(guó)產(chǎn)化水平嚴(yán)重不足，重點(diǎn)技術(shù)差距在半導(dǎo)體光刻膠領(lǐng)域,，有2-3代差距，隨著下游半導(dǎo)體行業(yè),、LED及平板顯示行業(yè)的快速發(fā)展,，未來(lái)國(guó)內(nèi)光刻膠產(chǎn)品國(guó)產(chǎn)化替代空間巨大。同時(shí),，國(guó)內(nèi)光刻膠企業(yè)積極抓住中國(guó)晶圓制造擴(kuò)產(chǎn)的百年機(jī)遇,，發(fā)展光刻膠業(yè)務(wù)，力爭(zhēng)早日追上國(guó)際先進(jìn)水平，打進(jìn)國(guó)內(nèi)新建晶圓廠的供應(yīng)鏈,。光刻膠的國(guó)產(chǎn)化公關(guān)正在各方面展開(kāi),，在面板屏顯光刻膠領(lǐng)域，中國(guó)已經(jīng)出現(xiàn)了一批有競(jìng)爭(zhēng)力的本土企業(yè),。在半導(dǎo)體和面板光刻膠領(lǐng)域,，盡管?chē)?guó)產(chǎn)光刻膠距離國(guó)際先進(jìn)水平仍然有差距，但是在政策的支持和自身的不懈努力之下,，中國(guó)已經(jīng)有一批光刻膠企業(yè)陸續(xù)實(shí)現(xiàn)了技術(shù)突破。光刻膠涂覆后,，在硅片邊緣的正反兩面都會(huì)有光刻膠的堆積,。

一般微電子化學(xué)品具有一定的腐蝕性,，對(duì)生產(chǎn)設(shè)備有較高的要求,，且生產(chǎn)環(huán)境需要進(jìn)行無(wú)塵或微塵處理。制備較優(yōu)微電子化學(xué)品還需要全封閉,、自動(dòng)化的工藝流程,，以避免污染，提高質(zhì)量,。因此,，光刻膠等微電子化學(xué)品生產(chǎn)在安全生產(chǎn)、環(huán)保設(shè)備,、生產(chǎn)工藝系統(tǒng),、過(guò)程控制體系以及研發(fā)投資等方面要求較高。如果沒(méi)有強(qiáng)大的資金實(shí)力,，企業(yè)就難以在設(shè)備,、研發(fā)和技術(shù)服務(wù)上取得競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)，以提升可持續(xù)發(fā)展能力,。因此,，光刻膠這樣的微電子化學(xué)品行業(yè)具備較高的資金壁壘。廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所,。深紫外線堅(jiān)膜使正性光刻膠樹(shù)脂發(fā)生交聯(lián)形成一層薄的表面硬殼,，增加光刻膠的熱穩(wěn)定性。MEMS光刻

非接觸式曝光,，掩膜板與光刻膠層的略微分開(kāi),，可以避免與光刻膠直接接觸而引起的掩膜板損傷,。天津接觸式光刻

光刻膠是光刻工藝中較關(guān)鍵材料，國(guó)產(chǎn)替代需求緊迫,。光刻工藝是指在光照作用下,，借助光刻膠將掩膜版上的圖形轉(zhuǎn)移到基片上的技術(shù)，在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,，隨著集成電路線寬縮小,、集成度大為提升，光刻工藝技術(shù)難度大幅提升,，成為延續(xù)摩爾定律的關(guān)鍵技術(shù)之一,。同時(shí)，器件和走線的復(fù)雜度和密集度大幅度提升,，較好制程關(guān)鍵層次需要兩次甚至多次曝光來(lái)實(shí)現(xiàn),。其中，光刻膠的質(zhì)量和性能是影響集成電路性能,、成品率及可靠性的關(guān)鍵因素,。光刻膠經(jīng)過(guò)幾十年不斷的發(fā)展和進(jìn)步，應(yīng)用領(lǐng)域不斷擴(kuò)大,，衍生出非常多的種類(lèi),。不同用途的光刻膠曝光光源、反應(yīng)機(jī)理,、制造工藝,、成膜特性、加工圖形線路的精度等性能要求不同,，導(dǎo)致對(duì)于材料的溶解性,、耐蝕刻性、感光性能,、耐熱性等要求不同,。因此每一類(lèi)光刻膠使用的原料在化學(xué)結(jié)構(gòu)、性能上都比較特殊,，要求使用不同品質(zhì)等級(jí)的光刻膠**化學(xué)品,。天津接觸式光刻

廣東省半導(dǎo)體所，2016-04-07正式啟動(dòng),，成立了微納加工技術(shù)服務(wù),，真空鍍膜技術(shù)服務(wù)，紫外光刻技術(shù)服務(wù),，材料刻蝕技術(shù)服務(wù)等幾大市場(chǎng)布局,，應(yīng)對(duì)行業(yè)變化，順應(yīng)市場(chǎng)趨勢(shì)發(fā)展,，在創(chuàng)新中尋求突破,，進(jìn)而提升芯辰實(shí)驗(yàn)室,微納加工的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力，把握市場(chǎng)機(jī)遇,，推動(dòng)電子元器件產(chǎn)業(yè)的進(jìn)步,。旗下芯辰實(shí)驗(yàn)室,微納加工在電子元器件行業(yè)擁有一定的地位，品牌價(jià)值持續(xù)增長(zhǎng),，有望成為行業(yè)中的佼佼者,。我們?cè)诎l(fā)展業(yè)務(wù)的同時(shí)，進(jìn)一步推動(dòng)了品牌價(jià)值完善,。隨著業(yè)務(wù)能力的增長(zhǎng),，以及品牌價(jià)值的提升，也逐漸形成電子元器件綜合一體化能力,。廣東省半導(dǎo)體所始終保持在電子元器件領(lǐng)域優(yōu)先的前提下,，不斷優(yōu)化業(yè)務(wù)結(jié)構(gòu)。在微納加工技術(shù)服務(wù),，真空鍍膜技術(shù)服務(wù),，紫外光刻技術(shù)服務(wù)，材料刻蝕技術(shù)服務(wù)等領(lǐng)域承攬了一大批高精尖項(xiàng)目,，積極為更多電子元器件企業(yè)提供服務(wù),。