真空鍍膜：可鍍材料普遍：離子鍍由于是利用高能離子轟擊工件表面，使大量的電能在工件表面轉(zhuǎn)換成熱能，從而促進(jìn)了表層組織的擴(kuò)散作用和化學(xué)反應(yīng),。然而，整個工件，特別是工件心部并未受到高溫的影響,。因此這種鍍膜工藝的應(yīng)用范圍較廣,，受到的局限性則較小。通常,，各種金屬,、合金以及某些合成材料、絕緣材料,、熱敏材料和高熔點(diǎn)材料等均可鍍復(fù),。即可在金屬工件上鍍非金屬或金屬，也可在非金屬上鍍金屬或非金屬,，甚至可鍍塑料,、橡膠、石英,、陶瓷等,。真空鍍膜技術(shù)有真空束流沉積鍍膜。馬鞍山真空鍍膜儀

真空鍍膜技術(shù)一般分為兩大類,，即物理的氣相沉積技術(shù)和化學(xué)氣相沉積技術(shù),。物理的氣相沉積技術(shù)是指在真空條件下，利用各種物理方法,，將鍍料氣化成原子,、分子或使其離化為離子，直接沉積到基體表面上的方法,。制備硬質(zhì)反應(yīng)膜大多以物理的氣相沉積方法制得,，它利用某種物理過程，如物質(zhì)的熱蒸發(fā),，或受到離子轟擊時物質(zhì)表面原子的濺射等現(xiàn)象,，實現(xiàn)物質(zhì)原子從源物質(zhì)到薄膜的可控轉(zhuǎn)移過程。物理的氣相沉積技術(shù)具有膜/基結(jié)合力好,、薄膜均勻致密,、薄膜厚度可控性好、應(yīng)用的靶材普遍,、濺射范圍寬,、可沉積厚膜、可制取成分穩(wěn)定的合金膜和重復(fù)性好等優(yōu)點(diǎn),。同時,，物理的氣相沉積技術(shù)由于其工藝處理溫度可控制在500℃以下。化學(xué)氣相沉積技術(shù)是把含有構(gòu)成薄膜元素的單質(zhì)氣體或化合物供給基體,，借助氣相作用或基體表面上的化學(xué)反應(yīng),，在基體上制出金屬或化合物薄膜的方法，主要包括常壓化學(xué)氣相沉積,、低壓化學(xué)氣相沉積和兼有CVD和PVD兩者特點(diǎn)的等離子化學(xué)氣相沉積等,。馬鞍山真空鍍膜儀真空鍍膜中離子鍍的鍍層厚度均勻。

真空鍍膜的方法：真空蒸鍍法：激光束蒸發(fā)源蒸鍍技術(shù)是一種比較理想的薄膜制備方法,利用激光器發(fā)出高能量的激光束,經(jīng)聚焦照射到鍍料上,使之受熱氣化,。激光器可置于真空室外,避免了蒸發(fā)器對鍍材的污染,使膜層更純潔,。同時聚焦后的激光束功率很高,可使鍍料達(dá)到極高的溫度,從而蒸發(fā)任何高熔點(diǎn)的材料,甚至可以使某些合金和化合物瞬時蒸發(fā),從而獲得成分均勻的薄膜。真空蒸鍍法具有設(shè)備簡單,節(jié)約金屬原材料,沉積Ti金屬及其氧化物,、合金鍍層等,表面附著均勻,生產(chǎn)周期短,對環(huán)境友好,可大規(guī)模生產(chǎn)等突出優(yōu)點(diǎn),。

磁控濺射可改變工作氣體與氬氣比例從而進(jìn)行反應(yīng)濺射，例如使用Si靶材,，通入一定比例的N2,，氬氣作為工作氣體，而氮?dú)庾鳛榉磻?yīng)氣體,，反應(yīng)能得到SiNx薄膜,。通入氧氣與氮?dú)鈴亩@得各種材料的氧化物與氮化物薄膜，通過改變反應(yīng)氣體與工作氣體的比例也能對濺射速率進(jìn)行調(diào)整,，薄膜內(nèi)組分也能相應(yīng)調(diào)整,。但反應(yīng)氣體過量時可能會造成靶中毒。解決靶中毒主要有以下幾種方法;1.使用射頻電源進(jìn)行濺射,；2.采用閉環(huán)控制反應(yīng)氣體通入流量,；3.使用孿生靶交替濺射；4.控制鍍膜模式的變換：在鍍膜前,，采集靶中毒的遲滯效應(yīng)曲線,，使進(jìn)氣流量控制在產(chǎn)生靶中毒的前沿，確保工藝過程始終處于沉積速率陡降前的模式,。真空鍍膜機(jī)的優(yōu)點(diǎn):對印刷,、復(fù)合等后加工具有良好的適應(yīng)性。

等離子體化學(xué)氣相沉積法,，利用了等離子體的活性來促進(jìn)反應(yīng),，使化學(xué)反應(yīng)能在較低的溫度下進(jìn)行。優(yōu)點(diǎn)是：反應(yīng)溫度降低,，沉積速率較快，成膜質(zhì)量好,，不容易破裂,。缺點(diǎn)是：設(shè)備投資大、對氣管有特殊要求,。PECVD,，等離子體化學(xué)氣相沉積法是借助微波或射頻等使含有薄膜組成原子的氣體電離,，使局部形成等離子體，而等離子體化學(xué)活性很強(qiáng),，兩種或多種氣體很容易發(fā)生反應(yīng),，在襯底上沉積出所期待的薄膜。為了使化學(xué)反應(yīng)能在較低的溫度下進(jìn)行,，利用了等離子體的活性來促進(jìn)反應(yīng),，因此，這種CVD稱為等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積,。真空鍍膜有離子鍍形式,。馬鞍山真空鍍膜儀

真空鍍膜機(jī)、真空鍍膜設(shè)備多弧離子鍍膜產(chǎn)品質(zhì)量的高低是針對某種加工對象和滿足其要求的,。馬鞍山真空鍍膜儀

真空鍍膜：離子鍍：離子鍍基本原理是在真空條件下,，采用某種等離子體電離技術(shù)，使鍍料原子部分電離成離子,，同時產(chǎn)生許多高能量的中性原子,，在被鍍基體上加負(fù)偏壓。這樣在深度負(fù)偏壓的作用下,，離子沉積于基體表面形成薄膜,。離子鍍借助于惰性氣體輝光放電，使鍍料（如金屬鈦）氣化蒸發(fā)離子化,，離子經(jīng)電場加速,，以較高能量轟擊工件表面，此時如通入二氧化碳,、氮?dú)獾确磻?yīng)氣體,，便可在工件表面獲得TiC、TiN覆蓋層,，硬度高達(dá)2000HV,。離子鍍技術(shù)較早在1963年由D。M,。Mattox提出,。1972年，Bunshah&Juntz推出活性反應(yīng)蒸發(fā)離子鍍(AREIP),，該方法可以沉積TiN,、TiC等超硬膜。1972年Moley&Smith發(fā)展完善了空心熱陰極離子鍍,，1973年又發(fā)展出射頻離子鍍(RFIP),。20世紀(jì)80年代又發(fā)展出磁控濺射離子鍍(MSIP)和多弧離子鍍(MAIP)。離子鍍是物理的氣相沉積方法中應(yīng)用較普遍的一種鍍膜工藝。馬鞍山真空鍍膜儀

廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所是以提供微納加工技術(shù)服務(wù),，真空鍍膜技術(shù)服務(wù),，紫外光刻技術(shù)服務(wù)，材料刻蝕技術(shù)服務(wù)為主的****,，廣東省半導(dǎo)體所是我國電子元器件技術(shù)的研究和標(biāo)準(zhǔn)制定的重要參與者和貢獻(xiàn)者,。公司主要提供面向半導(dǎo)體光電子器件、功率電子器件,、MEMS,、生物芯片等前沿領(lǐng)域，致力于打造***的公益性,、開放性,、支撐性樞紐中心。平臺擁有半導(dǎo)體制備工藝所需的整套儀器設(shè)備,，建立了一條實驗室研發(fā)線和一條中試線,，加工尺寸覆蓋2-6英寸（部分8英寸），同時形成了一支與硬件有機(jī)結(jié)合的專業(yè)人才隊伍,。平臺當(dāng)前緊抓技術(shù)創(chuàng)新和公共服務(wù),，面向國內(nèi)外高校、科研院所以及企業(yè)提供開放共享,，為技術(shù)咨詢,、創(chuàng)新研發(fā)、技術(shù)驗證以及產(chǎn)品中試提供支持,。等領(lǐng)域內(nèi)的業(yè)務(wù),，產(chǎn)品滿意，服務(wù)可高,，能夠滿足多方位人群或公司的需要,。產(chǎn)品已銷往多個國家和地區(qū)，被國內(nèi)外眾多企業(yè)和客戶所認(rèn)可,。