磁控濺射鍍膜常見領(lǐng)域應(yīng)用:1.一些不適合化學(xué)氣相沉積(MOCVD)的材料可以通過磁控濺射沉積,這種方法可以獲得均勻的大面積薄膜,。2.機(jī)械工業(yè):如表面功能膜,、超硬膜、自潤滑膜等.這些膜能有效提高表面硬度、復(fù)合韌性,、耐磨性和高溫化學(xué)穩(wěn)定性,從而大幅度提高產(chǎn)品的使用壽命.3.光領(lǐng)域:閉場非平衡磁控濺射技術(shù)也已應(yīng)用于光學(xué)薄膜(如增透膜),、低輻射玻璃和透明導(dǎo)電玻璃。特別是,,透明導(dǎo)電玻璃普遍應(yīng)用于平板顯示器件,、太陽能電池、微波和射頻屏蔽器件和器件,、傳感器等,。物相沉積技術(shù)普遍應(yīng)用于航空航天,、電子,、光學(xué),、機(jī)械,、建筑、輕工,、冶金,、材料等領(lǐng)域,。山東金屬磁控濺射
磁控濺射的基本原理是利用Ar一O2混合氣體中的等離子體在電場和交變磁場的作用下,被加速的高能粒子轟擊靶材表面,,能量交換后,,靶材表面的原子脫離原晶格而逸出,,轉(zhuǎn)移到基體表面而成膜。磁控濺射的特點(diǎn)是成膜速率高,基片溫度低,,膜的粘附性好,可實(shí)現(xiàn)大面積鍍膜,。該技術(shù)可以分為直流磁控濺射法和射頻磁控濺射法,。磁控濺射設(shè)備一般根據(jù)所采用的電源的不同又可分為直流濺射和射頻濺射兩種。直流磁控濺射的特點(diǎn)是在陽極基片和陰極靶之間加一個直流電壓,陽離子在電場的作用下轟擊靶材,,它的濺射速率一般都比較大。直流磁控濺射過程磁控濺射的優(yōu)點(diǎn)如下:基板有低溫性。相對于二級濺射和熱蒸發(fā)來說,,磁控濺射加熱少。
磁控濺射方法可用于制備多種材料,如金屬,、半導(dǎo)體、絕緣子等,。它具有設(shè)備簡單、易于控制,、涂覆面積大、附著力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn),。磁控濺射發(fā)展至今,,除了上述一般濺射方法的優(yōu)點(diǎn)外,還實(shí)現(xiàn)了高速,、低溫,、低損傷,。磁控濺射鍍膜常見領(lǐng)域應(yīng)用:1、各種功能薄膜。如具有吸收,、透射,、反射、折射,、偏振等功能,。例如,在低溫下沉積氮化硅減反射膜以提高太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率,。2,、微電子??勺鳛榉菬徨兡ぜ夹g(shù),,主要用于化學(xué)氣相沉積,。3、裝飾領(lǐng)域的應(yīng)用:如各種全反射膜和半透明膜,;比如手機(jī)殼、鼠標(biāo)等,。
磁控濺射是由二極濺射基礎(chǔ)上發(fā)展而來,,在靶材表面建立與電場正交磁場,,解決了二極濺射沉積速率低,等離子體離化率低等問題,,成為鍍膜工業(yè)主要方法之一,。磁控濺射與其它鍍膜技術(shù)相比具有以下特點(diǎn):可制備成靶的材料廣,幾乎所有金屬,,合金和陶瓷材料都可以制成靶材,;在適當(dāng)條件下多元靶材共濺射方式,,可沉積配比精確恒定的合金,;在濺射的放電氣氛中加入氧,、氮或其它活性氣體,,可沉積形成靶材物質(zhì)與氣體分子的化合物薄膜,;通過精確地控制濺射鍍膜過程,容易獲得均勻的高精度的膜厚,;通過離子濺射靶材料物質(zhì)由固態(tài)直接轉(zhuǎn)變?yōu)榈入x子態(tài),濺射靶的安裝不受限制,,適合于大容積鍍膜室多靶布置設(shè)計,;濺射鍍膜速度快,膜層致密,,附著性好等特點(diǎn),很適合于大批量,,高效率工業(yè)生產(chǎn),。磁控濺射鍍膜產(chǎn)品優(yōu)點(diǎn):可以沉積合金和化合物的薄膜,,同時保持與原始材料相似的組成。
高能脈沖磁控濺射技術(shù)是利用較高的脈沖峰值功率和較低的脈沖占空比來產(chǎn)生高濺射金屬離化率的一種磁控濺射技術(shù),。電源與等離子體淹沒離子注入沉積方法相結(jié)合,,形成一種新穎的成膜過程與質(zhì)量調(diào)控技術(shù),是可應(yīng)用于大型矩形靶的離化率可控磁控濺射新技術(shù),,填補(bǔ)了國內(nèi)在該方向的研究空白,。將高能沖擊磁控濺射與高壓脈沖偏壓技術(shù)復(fù)合,,利用其高離化率和淹沒性的特點(diǎn),,通過成膜過程中入射粒子能量與分布的有效操控,實(shí)現(xiàn)高膜基結(jié)合力,、高質(zhì)量,、高均勻性薄膜的制備。同時結(jié)合全新的粒子能量與成膜過程反饋控制系統(tǒng),,開展高離化率等離子體發(fā)生,、等離子體的時空演變及荷能粒子成膜物理過程控制等方面的研究與工程應(yīng)用。其中心技術(shù)具有自主知識產(chǎn)權(quán),,已申請相關(guān)發(fā)明專利兩項(xiàng),。該項(xiàng)技術(shù)對實(shí)現(xiàn)PVD沉積關(guān)鍵瓶頸問題的突破具有重大意義,,有助于提升我國在表面工程加工領(lǐng)域的國際競爭力。如在交通領(lǐng)域,,該技術(shù)用于汽車發(fā)動機(jī)三部件,,可降低摩擦25%,減少油耗3%,;機(jī)械加工領(lǐng)域,,沉積先進(jìn)鍍層可使刀具壽命提高2~10倍,加工速度提高30-70%,。磁控濺射鍍膜常見領(lǐng)域應(yīng)用:各種功能薄膜,。如具有吸收、透射,、反射,、折射、偏振等功能,。河南磁控濺射實(shí)驗(yàn)室
磁控濺射靶的非平衡磁場不只有通過改變內(nèi)外磁體的大小和強(qiáng)度的永磁體獲得,,也有由兩組電磁線圈產(chǎn)生。山東金屬磁控濺射
磁控濺射是一種基于等離子體的沉積過程,,其中高能離子向目標(biāo)加速,。離子撞擊目標(biāo),原子從表面噴射,。這些原子向基板移動并結(jié)合到正在生長的薄膜中,。磁控濺射是一種涉及氣態(tài)等離子體的沉積技術(shù),該等離子體產(chǎn)生并限制在包含要沉積的材料的空間內(nèi),。靶材表面被等離子體中的高能離子侵蝕,,釋放出的原子穿過真空環(huán)境并沉積到基板上形成薄膜。在典型的濺射沉積工藝中,,腔室首先被抽真空至高真空,,以較小化所有背景氣體和潛在污染物的分壓。達(dá)到基本壓力后,,包含等離子體的濺射氣體流入腔室,,并使用壓力控制系統(tǒng)調(diào)節(jié)總壓力-通常在毫托范圍內(nèi)。山東金屬磁控濺射
廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所是以提供微納加工技術(shù)服務(wù),,真空鍍膜技術(shù)服務(wù),,紫外光刻技術(shù)服務(wù),材料刻蝕技術(shù)服務(wù)內(nèi)的多項(xiàng)綜合服務(wù),,為消費(fèi)者多方位提供微納加工技術(shù)服務(wù),,真空鍍膜技術(shù)服務(wù),紫外光刻技術(shù)服務(wù),,材料刻蝕技術(shù)服務(wù),,公司始建于2016-04-07,,在全國各個地區(qū)建立了良好的商貿(mào)渠道和技術(shù)協(xié)作關(guān)系。廣東省半導(dǎo)體所致力于構(gòu)建電子元器件自主創(chuàng)新的競爭力,,廣東省半導(dǎo)體所將以精良的技術(shù),、優(yōu)異的產(chǎn)品性能和完善的售后服務(wù),滿足國內(nèi)外廣大客戶的需求,。