PVD技術(shù)特征如下：在真空室內(nèi)充入放電所需要的惰性氣體,，在高壓電場作用下氣體分子因電離而產(chǎn)生大量正離子,。帶電離子被強(qiáng)電場加速,，便形成高能量的離子流轟擊蒸發(fā)源材料。在離子轟擊下,，蒸發(fā)源材料的原子將離開固體表面，以高速度濺射到基片上并沉積成薄膜,。RF濺射：RF濺射使用的頻率約為13.56MHz,，它不需要熱陰極，能在較低的氣壓和較低的電壓下進(jìn)行濺射,。RF濺射不只可以沉積金屬膜,，而且可以沉積多種材料的絕緣介質(zhì)膜，因而使用范圍較廣,。電弧離子鍍：陰極弧技術(shù)是在真空條件下,，通過低電壓和高電流將靶材離化成離子狀態(tài)，從而完成薄膜材料的沉積,，該技術(shù)材料的離化率更高,，薄膜性能更加優(yōu)異,。磁控陰極按照磁場位形分布不同，大致可分為平衡態(tài)磁控陰極和非平衡態(tài)磁控陰極,。北京智能磁控濺射儀器

磁控濺射是以磁場束縛和延長電子的運動路徑,，改變電子的運動方向，提高工作氣體的電離率和有效利用電子的能量,。電子的歸宿不只是基片,，真空室內(nèi)壁及靶源陽極也是電子歸宿。但一般基片與真空室及陽極在同一電勢,。磁場與電場的交互作用使單個電子軌跡呈三維螺旋狀,，而不是只在靶面圓周運動。至于靶面圓周型的濺射輪廓,，那是靶源磁場磁力線呈圓周形狀分布,。磁力線分布方向不同會對成膜有很大關(guān)系。在EXBshift機(jī)理下工作的除磁控濺射外,，還有多弧鍍靶源,，離子源，等離子源等都在此原理下工作,。所不同的是電場方向,，電壓電流大小等因素。湖南脈沖磁控濺射原理在氣體可以電離的壓強(qiáng)范圍內(nèi)如果改變施加的電壓,，電路中等離子體的阻抗會隨之改變,。

磁控濺射的工藝研究：1、磁場,。用來捕獲二次電子的磁場必須在整個靶面上保持一致,，而且磁場強(qiáng)度應(yīng)當(dāng)合適。磁場不均勻就會產(chǎn)生不均勻的膜層,。磁場強(qiáng)度如果不適當(dāng),，那么即使磁場強(qiáng)度一致也會導(dǎo)致膜層沉積速率低下，而且可能在螺栓頭處發(fā)生濺射,。這就會使膜層受到污染,。如果磁場強(qiáng)度過高，可能在開始的時候沉積速率會非常高,，但是由于刻蝕區(qū)的關(guān)系,，這個速率會迅速下降到一個非常低的水平。同樣,，這個刻蝕區(qū)也會造成靶的利用率比較低,。2、可變參數(shù)。在濺射過程中,，通過改變改變這些參數(shù)可以進(jìn)行工藝的動態(tài)控制,。這些可變參數(shù)包括：功率、速度,、氣體的種類和壓強(qiáng),。

磁控濺射的優(yōu)點如下：1、沉積速度快,、基材溫升低,、對膜層的損傷小,；2,、對于大部分材料，只要能制成靶材,，就可以實現(xiàn)濺射,；3、濺射所獲得的薄膜與基片結(jié)合較好,；4,、濺射所獲得的薄膜純度高、致密度好,、成膜均勻性好；5,、濺射工藝可重復(fù)性好,，可以在大面積基片上獲得厚度均勻的薄膜；6,、能夠控制鍍層的厚度,，同時可通過改變參數(shù)條件控制組成薄膜的顆粒大小,；7,、不同的金屬、合金,、氧化物能夠進(jìn)行混合,，同時濺射于基材上；8,、易于實現(xiàn)工業(yè)化,。電離原子更容易與薄膜工藝中涉及的其他粒子相互作用，因此更有可能在基底上沉積,。

反應(yīng)磁控濺射特點：(1)采用雙靶中頻電源解決反應(yīng)磁控濺射過程中因陽極被絕緣介質(zhì)膜覆蓋而造成的等離子體不穩(wěn)定現(xiàn)象,，同時還解決了電荷積累放電的問題。(2)利用等離子發(fā)射譜監(jiān)測等離子體中的金屬粒子含量，調(diào)節(jié)反應(yīng)氣體流量使等離子體放電電壓穩(wěn)定,，從而使沉積速率穩(wěn)定,。(3)使用圓柱形旋轉(zhuǎn)靶減小絕緣介質(zhì)膜的覆蓋面積。(4)降低輸入功率,，并使用能夠在放電時自動切斷輸出功率的智能電源抑制電弧,。(5)反應(yīng)過程與沉積過程分室進(jìn)行，既能有效提高薄膜沉積速率,，又能使反應(yīng)氣體與薄膜表面充分反應(yīng)生成化合物薄膜,。磁控濺射是物理的氣相沉積的一種，也是物理的氣相沉積中技術(shù)較為成熟的,。上海射頻磁控濺射優(yōu)點

射頻磁控濺射,，又稱射頻磁控濺射，是一種制備薄膜的工藝,，特別是在使用非導(dǎo)電材料時,。北京智能磁控濺射儀器

磁控濺射方法可用于制備多種材料，如金屬,、半導(dǎo)體,、絕緣子等。它具有設(shè)備簡單,、易于控制,、涂覆面積大、附著力強(qiáng)等優(yōu)點,。磁控濺射發(fā)展至今,，除了上述一般濺射方法的優(yōu)點外，還實現(xiàn)了高速,、低溫,、低損傷。磁控濺射鍍膜常見領(lǐng)域應(yīng)用：1,、各種功能薄膜,。如具有吸收、透射,、反射,、折射、偏振等功能,。例如,，在低溫下沉積氮化硅減反射膜以提高太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率。2,、微電子,。可作為非熱鍍膜技術(shù),，主要用于化學(xué)氣相沉積,。3、裝飾領(lǐng)域的應(yīng)用：如各種全反射膜和半透明膜,；比如手機(jī)殼,、鼠標(biāo)等。北京智能磁控濺射儀器

廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所是以提供微納加工技術(shù)服務(wù),，真空鍍膜技術(shù)服務(wù),，紫外光刻技術(shù)服務(wù)，材料刻蝕技術(shù)服務(wù)內(nèi)的多項綜合服務(wù),，為消費者多方位提供微納加工技術(shù)服務(wù),，真空鍍膜技術(shù)服務(wù)，紫外光刻技術(shù)服務(wù),，材料刻蝕技術(shù)服務(wù),，公司位于長興路363號，成立于2016-04-07,，迄今已經(jīng)成長為電子元器件行業(yè)內(nèi)同類型企業(yè)的佼佼者,。廣東省半導(dǎo)體所致力于構(gòu)建電子元器件自主創(chuàng)新的競爭力，產(chǎn)品已銷往多個國家和地區(qū),，被國內(nèi)外眾多企業(yè)和客戶所認(rèn)可,。