磁控濺射方法可用于制備多種材料,，如金屬、半導體,、絕緣子等,。它具有設備簡單、易于控制,、涂覆面積大,、附著力強等優(yōu)點。磁控濺射發(fā)展至今,，除了上述一般濺射方法的優(yōu)點外,，還實現(xiàn)了高速、低溫,、低損傷,。磁控濺射鍍膜常見領域應用：1、各種功能薄膜,。如具有吸收,、透射、反射,、折射,、偏振等功能。例如,，在低溫下沉積氮化硅減反射膜以提高太陽能電池的光電轉換效率,。2、微電子,?？勺鳛榉菬徨兡ぜ夹g，主要用于化學氣相沉積,。3,、裝飾領域的應用：如各種全反射膜和半透明膜,；比如手機殼、鼠標等,。直流磁控濺射法要求靶材能夠?qū)碾x子轟擊過程中得到的正電荷傳遞給與其緊密接觸的陰極,。貴州金屬磁控濺射特點

磁控濺射的工藝研究：1、磁場,。用來捕獲二次電子的磁場必須在整個靶面上保持一致,，而且磁場強度應當合適。磁場不均勻就會產(chǎn)生不均勻的膜層,。磁場強度如果不適當,，那么即使磁場強度一致也會導致膜層沉積速率低下，而且可能在螺栓頭處發(fā)生濺射,。這就會使膜層受到污染,。如果磁場強度過高，可能在開始的時候沉積速率會非常高,，但是由于刻蝕區(qū)的關系,，這個速率會迅速下降到一個非常低的水平。同樣,，這個刻蝕區(qū)也會造成靶的利用率比較低,。2、可變參數(shù),。在濺射過程中,，通過改變改變這些參數(shù)可以進行工藝的動態(tài)控制。這些可變參數(shù)包括：功率,、速度,、氣體的種類和壓強。射頻磁控濺射優(yōu)點濺射可連續(xù)工作,，鍍膜過程容易自動控制,，工業(yè)上流水線作業(yè)。

磁控濺射的工藝研究：1,、傳動速度,。玻璃基片在陰極下的移動是通過傳動來進行的。低傳動速度使玻璃在陰極范圍內(nèi)經(jīng)過的時間更長,，這樣就可以沉積出更厚的膜層,。不過，為了保證膜層的均勻性,，傳動速度必須保持恒定。鍍膜區(qū)內(nèi)一般的傳動速度范圍為每分鐘0~600英寸之間,。根據(jù)鍍膜材料,、功率,、陰極的數(shù)量以及膜層的種類的不同，通常的運行范圍是每分鐘90~400英寸之間,。2,、距離與速度及附著力。為了得到較大的沉積速率并提高膜層的附著力,，在保證不會破壞輝光放電自身的前提下,，基片應當盡可能放置在離陰極較近的地方。濺射粒子和氣體分子的平均自由程也會在其中發(fā)揮作用,。當增加基片與陰極之間的距離,，碰撞的幾率也會增加，這樣濺射粒子到達基片時所具有的能力就會減少,。所以,，為了得到較大的沉積速率和較好的附著力，基片必須盡可能地放置在靠近陰極的位置上,。

反應磁控濺射特點：(1)采用雙靶中頻電源解決反應磁控濺射過程中因陽極被絕緣介質(zhì)膜覆蓋而造成的等離子體不穩(wěn)定現(xiàn)象,，同時還解決了電荷積累放電的問題。(2)利用等離子發(fā)射譜監(jiān)測等離子體中的金屬粒子含量,，調(diào)節(jié)反應氣體流量使等離子體放電電壓穩(wěn)定,，從而使沉積速率穩(wěn)定。(3)使用圓柱形旋轉靶減小絕緣介質(zhì)膜的覆蓋面積,。(4)降低輸入功率,，并使用能夠在放電時自動切斷輸出功率的智能電源抑制電弧。(5)反應過程與沉積過程分室進行,，既能有效提高薄膜沉積速率,，又能使反應氣體與薄膜表面充分反應生成化合物薄膜。直流濺射方法用于被濺射材料為導電材料的濺射和反應濺射鍍膜中,，其工藝設備簡單,，有較高的濺射速率。

磁控濺射是物理的氣相沉積的一種,，也是物理的氣相沉積中技術較為成熟的,。磁控濺射的工作原理是電子在電場的作用下，在飛向基材過程中與氬原子發(fā)生碰撞,，電離出氬正離子和新的電子,；新電子飛向基材，氬正離子在電場作用下加速飛向陰極靶,，并以高能量轟擊靶表面,，使靶材發(fā)生濺射；在濺射粒子中,，中性的靶原子或分子沉積在基材上形成薄膜,。磁控濺射技術制備的薄膜具有硬度高,、強度大、耐磨性好,、摩擦系數(shù)低,、穩(wěn)定性好等優(yōu)點。磁控濺射鍍膜工藝過程簡單,，對環(huán)境無污染,，耗材少，成膜均勻致密,，與基材的結合力強,。這種技術廣泛應用于航空航天、電子,、光學,、機械、建筑,、輕工,、冶金、材料等領域,，是太陽選擇性吸收涂層更理想的制備方法,。相應的真空鍍膜設備包括真空蒸發(fā)鍍膜機、真空濺射鍍膜機和真空離子鍍膜機,。湖北磁控濺射價格

磁控濺射技術廣泛應用于航空航天,、電子、光學,、機械,、建筑、輕工,、冶金,、材料等領域。貴州金屬磁控濺射特點

磁控濺射的工藝研究：濺射變量,。電壓和功率：在氣體可以電離的壓強范圍內(nèi)如果改變施加的電壓,，電路中等離子體的阻抗會隨之改變，引起氣體中的電流發(fā)生變化,。改變氣體中的電流可以產(chǎn)生更多或更少的離子,，這些離子碰撞靶體就可以控制濺射速率。一般來說,，提高電壓可以提高離化率,。這樣電流會增加，所以會引起阻抗的下降。提高電壓時,，阻抗的降低會大幅度地提高電流,，即大幅度提高了功率。如果氣體壓強不變,，濺射源下的基片的移動速度也是恒定的，那么沉積到基片上的材料的量則決定于施加在電路上的功率,。在VONARDENNE鍍膜產(chǎn)品中所采用的范圍內(nèi),，功率的提高與濺射速率的提高是一種線性的關系。貴州金屬磁控濺射特點

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