光刻膠國產代替是中國半導體產業(yè)的迫切需要；自從中美貿易摩擦依賴,，中國大陸積極布局集成電路產業(yè),。在半導體材料領域，光刻膠作為是集成電路制程技術進步的“燃料”,，是國產代替重要環(huán)節(jié),，也是必將國產化的產品。光刻是半導制程的中心工藝,，對制造出更先進,，晶體管密度更大的集成電路起到決定性作用。每一代新的光刻工藝都需要新一代的光刻膠技術相匹配?，F在,，一塊半導體芯片在制造過程中一般需要進行10-50道光刻過程。其中不同的光刻過程對于光刻膠也有不一樣的具體需求,。廣東省科學院半導體研究所,。光刻技術是借用照相技術、平板印刷技術的基礎上發(fā)展起來的半導體關鍵工藝技術。東莞功率器件光刻

整個光刻顯影過程中,，TMAH沒有同PHS發(fā)生反應,。負性光刻膠的顯影液。二甲苯,。清洗液為乙酸丁脂或乙醇,、三氯乙烯。顯影中的常見問題：a,、顯影不完全（IncompleteDevelopment）,。表面還殘留有光刻膠。顯影液不足造成,；b,、顯影不夠（UnderDevelopment）。顯影的側壁不垂直,，由顯影時間不足造成,；c、過度顯影（OverDevelopment）,?？拷砻娴墓饪棠z被顯影液過度溶解，形成臺階,。顯影時間太長,。硬烘方法：熱板，100～130C（略高于玻璃化溫度Tg）,，1～2分鐘,。目的：完全蒸發(fā)掉光刻膠里面的溶劑（以免在污染后續(xù)的離子注入環(huán)境，例如DNQ酚醛樹脂光刻膠中的氮會引起光刻膠局部爆裂）,；河南光刻服務價格接觸式曝光的曝光精度大概只有1微米左右,，能夠滿足大部分的單立器件的使用。

在光刻圖案化工藝中,，首先將光刻膠涂在硅片上形成一層薄膜,。接著在復雜的曝光裝置中，光線通過一個具有特定圖案的掩模投射到光刻膠上,。曝光區(qū)域的光刻膠發(fā)生化學變化,，在隨后的化學顯影過程中被去除。較后掩模的圖案就被轉移到了光刻膠膜上,。而在隨后的蝕刻 或離子注入工藝中,，會對沒有光刻膠保護的硅片部分進行刻蝕，較后洗去剩余光刻膠,。這時光刻膠的圖案就被轉移到下層的薄膜上,，這種薄膜圖案化的過程經過多次迭代,，聯(lián)同其他多個物理過程，便產生集成電路,。

敏感度決定了光刻膠上產生一個良好的圖形所需一定波長光的較小能量值,。抗蝕性決定了光刻膠作為覆蓋物在后續(xù)刻蝕或離子注入工藝中,，不被刻蝕或抗擊離子轟擊,，從而保護被覆蓋的襯底。光刻膠依據不同的產品標準進行分類：按照化學反應和顯影的原理,，光刻膠可分為正性光刻膠和負性光刻膠,。如果顯影時未曝光部分溶解于顯影液，形成的圖形與掩膜版相反,，稱為負性光刻膠；如果顯影時曝光部分溶解于顯影液,，形成的圖形與掩膜版相同,，稱為正性光刻膠。根據感光樹脂的化學結構來分類,，光刻膠可以分為光聚合型,、光分解型和光交聯(lián)型三種類別。光刻是將掩模版上的圖形轉移到涂有光致抗蝕劑（或稱光刻膠）的襯底上,。

光刻膠行業(yè)具有極高的行業(yè)壁壘,，因此在全球范圍其行業(yè)都呈現寡頭壟斷的局面。光刻膠行業(yè)長年被日本和美國專業(yè)公司壟斷,。目前**大廠商就占據了全球光刻膠市場87%的份額,，行業(yè)集中度高。并且高分辨率的KrF和ArF半導體光刻膠中心技術亦基本被日本和美國企業(yè)所壟斷,，產品絕大多數出自日本和美國公司,。整個光刻膠市場格局來看，日本是光刻膠行業(yè)的巨頭聚集地,。目前中國大陸對于電子材料,，特別是光刻膠方面對國外依賴較高。所以在半導體材料方面的國產代替是必然趨勢,。廣東省科學院半導體研究所,。一般的光刻工藝要經歷硅片表面清洗烘干、涂底,、旋涂光刻膠,、軟烘、對準曝光,、后烘,、顯影、硬烘等工序。河北硅片光刻

光刻機又被稱為：掩模對準曝光機,、曝光系統(tǒng),、光刻系統(tǒng)等。東莞功率器件光刻

光聚合型光刻膠采用烯類單體,，在光作用下生成自由基,，進一步引發(fā)單體聚合，較后生成聚合物,；光分解型光刻膠,，采用含有重氮醌類化合物(DQN)材料作為感光劑，其經光照后,發(fā)生光分解反應,，可以制成正性光刻膠,；光交聯(lián)型光刻膠采用聚乙烯醇月桂酸酯等作為光敏材料，在光的作用下,，形成一種不溶性的網狀結構,，而起到抗蝕作用，可以制成負性光刻膠,。動態(tài)噴灑法：隨著硅片尺寸越來越大,，靜態(tài)涂膠已經不能滿足較新的硅片加工需求。廣東省科學院半導體研究所,。東莞功率器件光刻

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