磁控濺射靶材的應(yīng)用領(lǐng)域如下：眾所周知,，靶材材料的技術(shù)發(fā)展趨勢與下游應(yīng)用產(chǎn)業(yè)的薄膜技術(shù)發(fā)展趨勢息息相關(guān)，隨著應(yīng)用產(chǎn)業(yè)在薄膜產(chǎn)品或元件上的技術(shù)改進,，靶材技術(shù)也應(yīng)隨之變化,。如Ic制造商．近段時間致力于低電阻率銅布線的開發(fā)，預(yù)計未來幾年將大幅度取代原來的鋁膜,，這樣銅靶及其所需阻擋層靶材的開發(fā)將刻不容緩,。另外，近年來平面顯示器大幅度取代原以陰極射線管為主的電腦顯示器及電視機市場,。亦將大幅增加ITO靶材的技術(shù)與市場需求,。此外在存儲技術(shù)方面。高密度、大容量硬盤,，高密度的可擦寫光盤的需求持續(xù)增加．這些均導(dǎo)致應(yīng)用產(chǎn)業(yè)對靶材的需求發(fā)生變化,。磁控濺射適用于制備大面積均勻薄膜，并能實現(xiàn)單機年產(chǎn)上百萬平方米鍍膜的工業(yè)化生產(chǎn),。山東單靶磁控濺射平臺

磁控濺射的優(yōu)點如下：1,、沉積速度快、基材溫升低,、對膜層的損傷?。?,、對于大部分材料,，只要能制成靶材，就可以實現(xiàn)濺射,；3,、濺射所獲得的薄膜與基片結(jié)合較好；4,、濺射所獲得的薄膜純度高,、致密度好、成膜均勻性好,；5,、濺射工藝可重復(fù)性好，可以在大面積基片上獲得厚度均勻的薄膜,；6,、能夠控制鍍層的厚度，同時可通過改變參數(shù)條件控制組成薄膜的顆粒大??；7、不同的金屬,、合金,、氧化物能夠進行混合，同時濺射于基材上,；8,、易于實現(xiàn)工業(yè)化,。云南金屬磁控濺射設(shè)備在直流二極濺射裝置中增加一個熱陰極和陽極,，就構(gòu)成直流三極濺射。

真空磁控濺射為什么必須在真空環(huán)境,？濺射過程是通過電能,，使氣體的離子轟擊靶材，就像磚頭砸土墻,，土墻的部分原子濺射出來,，落在所要鍍膜的基體上的過程,。如果氣體太多,，氣體離子在運行到靶材的過程中，很容易跟路程中的其他氣體離子或分子碰撞,，這樣就不能加速，也濺射不出靶材原子來,。所以需要真空狀態(tài)。而如果氣體太少,，氣體分子不能成為離子,，沒有很多可以轟擊靶材，所以也不行。只能選擇中間值,，有足夠的氣體離子可以轟擊靶材,，而在轟擊過程中,，不至于因為氣體太多而相互碰撞致使失去太多的能量的氣體量，所以必須在較為恒定的真空狀態(tài)下,。此狀態(tài)根據(jù)氣體分子直徑和分子自由程計算,。一般在0.2-0.5Pa之間。

磁控濺射設(shè)備的主要用途：1,、各種功能性薄膜,。如具有吸收、透射,、反射,、折射、偏光等作用的薄膜,。例如,，低溫沉積氮化硅減反射膜，以提高太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率,。2,、裝飾領(lǐng)域的應(yīng)用，如各種全反射膜及半透明膜等,，如手機外殼,，鼠標(biāo)等。3,、在微電子領(lǐng)域作為一種非熱式鍍膜技術(shù),，主要應(yīng)用在化學(xué)氣相沉積（CVD）或金屬有機。4,、化學(xué)氣相沉積（CVD）生長困難及不適用的材料薄膜沉積,，而且可以獲得大面積非常均勻的薄膜。5,、在光學(xué)領(lǐng)域：中頻閉合場非平衡磁控濺射技術(shù)也已在光學(xué)薄膜（如增透膜）,、低輻射玻璃和透明導(dǎo)電玻璃等方面得到應(yīng)用。特別是透明導(dǎo)電玻璃普遍應(yīng)用于平板顯示器件,、太陽能電池,、微波與射頻屏蔽裝置與器件、傳感器等,。6,、在機械加工行業(yè)中，表面功能膜,、超硬膜,，自潤滑薄膜的表面沉積技術(shù)自問世以來得到長足發(fā)展，能有效的提高表面硬度,、復(fù)合韌性,、耐磨損性和抗高溫化學(xué)穩(wěn)定性能，從而大幅度地提高涂層產(chǎn)品的使用壽命,。磁控濺射是物理的氣相沉積的一種,，也是物理的氣相沉積中技術(shù)較為成熟的。

磁控濺射法是在高真空充入適量的氬氣,，在陰極和陽極之間施加幾百K直流電壓,，在鍍膜室內(nèi)產(chǎn)生磁控型異常輝光放電，使氬氣發(fā)生電離,。磁控濺射法優(yōu)勢特點：較常用的制備磁性薄膜的方法是磁控濺射法,。氬離子被陰極加速并轟擊陰極靶表面，將靶材表面原子濺射出來沉積在基底表面上形成薄膜,。通過更換不同材質(zhì)的靶和控制不同的濺射時間,，便可以獲得不同材質(zhì)和不同厚度的薄膜,。磁控濺射法具有鍍膜層與基材的結(jié)合力強、鍍膜層致密,、均勻等優(yōu)點,。射頻磁控濺射，又稱射頻磁控濺射,，是一種制備薄膜的工藝,，特別是在使用非導(dǎo)電材料時。山東單靶磁控濺射平臺

空磁控濺射技術(shù)是指一種利用陰極表面配合的磁場形成電子陷阱,，使E×B的作用下電子緊貼陰極表面飄移,。山東單靶磁控濺射平臺

磁控濺射是一種基于等離子體的沉積過程，其中高能離子向目標(biāo)加速,。離子撞擊目標(biāo),，原子從表面噴射。這些原子向基板移動并結(jié)合到正在生長的薄膜中,。磁控濺射是一種涉及氣態(tài)等離子體的沉積技術(shù),，該等離子體產(chǎn)生并限制在包含要沉積的材料的空間內(nèi)。靶材表面被等離子體中的高能離子侵蝕,，釋放出的原子穿過真空環(huán)境并沉積到基板上形成薄膜,。在典型的濺射沉積工藝中，腔室首先被抽真空至高真空,，以較小化所有背景氣體和潛在污染物的分壓,。達到基本壓力后，包含等離子體的濺射氣體流入腔室,，并使用壓力控制系統(tǒng)調(diào)節(jié)總壓力-通常在毫托范圍內(nèi),。山東單靶磁控濺射平臺

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