真空磁控濺射鍍膜技術(shù)的特點：1,、沉積速率大。由于采用高速磁控電極,，可獲得的離子流很大,，有效提高了此工藝鍍膜過程的沉積速率和濺射速率。與其它濺射鍍膜工藝相比,，磁控濺射的產(chǎn)能高,、產(chǎn)量大、于各類工業(yè)生產(chǎn)中得到普遍應(yīng)用,。2,、功率效率高。磁控濺射靶一般選擇200V-1000V范圍之內(nèi)的電壓,，通常為600V,，因為600V的電壓剛好處在功率效率的較高有效范圍之內(nèi)。3,、濺射能量低,。磁控靶電壓施加較低，磁場將等離子體約束在陰極附近,，可防止較高能量的帶電粒子入射到基材上。物相沉積技術(shù)工藝過程簡單,，對環(huán)境改善,，無污染，耗材少,，成膜均勻致密,，與基體的結(jié)合力強。吉林金屬磁控濺射平臺

PVD技術(shù)特征：過濾陰極弧,。過濾陰極電弧配有高效的電磁過濾系統(tǒng),，可將弧源產(chǎn)生的等離子體中的宏觀大顆粒過濾掉，因此制備的薄膜非常致密和平整光滑,，具有抗腐蝕性能好,，與機體的結(jié)合力很強。離子束：離子束加工是在真空條件下,，先由電子槍產(chǎn)生電子束,，再引入已抽成真空且充滿惰性氣體之電離室中，使低壓惰性氣體離子化,。由負(fù)極引出陽離子又經(jīng)加速,、集束等步驟，獲得具有一定速度的離子投射到材料表面,，產(chǎn)生濺射效應(yīng)和注入效應(yīng),。由于離子帶正電荷,，其質(zhì)量比電子大數(shù)千、數(shù)萬倍,，所以離子束比電子束具有更大的撞擊動能,，是靠微觀的機械撞擊能量來加工的。江西多層磁控濺射分類磁控濺射的優(yōu)點如下：操作易控,。

高速率磁控濺射的一個固有的性質(zhì)是產(chǎn)生大量的濺射粒子而獲得高的薄膜沉積速率,，高的沉積速率意味著高的粒子流飛向基片，導(dǎo)致沉積過程中大量粒子的能量被轉(zhuǎn)移到生長薄膜上,，引起沉積溫度明顯增加,。由于濺射離子的能量大約70%需要從陰極冷卻水中帶走，薄膜的較大濺射速率將受到濺射靶冷卻的限制,。冷卻不但靠足夠的冷卻水循環(huán),，還要求良好的靶材導(dǎo)熱率及較薄膜的靶厚度。同時高速率磁控濺射中典型的靶材利用率只有20%～30%,，因而提高靶材利用率也是有待于解決的一個問題,。

磁控濺射是物理的氣相沉積的一種，也是物理的氣相沉積中技術(shù)較為成熟的,。磁控濺射的工作原理是電子在電場的作用下,，在飛向基材過程中與氬原子發(fā)生碰撞，電離出氬正離子和新的電子,；新電子飛向基材,，氬正離子在電場作用下加速飛向陰極靶，并以高能量轟擊靶表面,，使靶材發(fā)生濺射,；在濺射粒子中，中性的靶原子或分子沉積在基材上形成薄膜,。磁控濺射技術(shù)制備的薄膜具有硬度高,、強度大、耐磨性好,、摩擦系數(shù)低,、穩(wěn)定性好等優(yōu)點。磁控濺射鍍膜工藝過程簡單,，對環(huán)境無污染,，耗材少，成膜均勻致密,，與基材的結(jié)合力強,。這種技術(shù)廣泛應(yīng)用于航空航天、電子、光學(xué),、機械,、建筑、輕工,、冶金,、材料等領(lǐng)域，是太陽選擇性吸收涂層更理想的制備方法,。真空磁控濺射涂層技術(shù)與真空蒸發(fā)涂層技術(shù)相比有許多優(yōu)點,。

磁控濺射包括很多種類。各有不同工作原理和應(yīng)用對象,。但有一共同點：利用磁場與電場交互作用,，使電子在靶表面附近成螺旋狀運行，從而增大電子撞擊氬氣產(chǎn)生離子的概率,。所產(chǎn)生的離子在電場作用下撞向靶面從而濺射出靶材,。靶源分平衡式和非平衡式，平衡式靶源鍍膜均勻,，非平衡式靶源鍍膜膜層和基體結(jié)合力強,。平衡靶源多用于半導(dǎo)體光學(xué)膜，非平衡多用于磨損裝飾膜,。磁控陰極按照磁場位形分布不同,，大致可分為平衡態(tài)磁控陰極和非平衡態(tài)磁控陰極。平衡態(tài)磁控陰極內(nèi)外磁鋼的磁通量大致相等,，兩極磁力線閉合于靶面,，很好地將電子/等離子體約束在靶面附近，增加了碰撞幾率,，提高了離化效率，因而在較低的工作氣壓和電壓下就能起輝并維持輝光放電,，靶材利用率相對較高,。但由于電子沿磁力線運動主要閉合于靶面，基片區(qū)域所受離子轟擊較小,。非平衡磁控濺射技術(shù),，即讓磁控陰極外磁極磁通大于內(nèi)磁極，兩極磁力線在靶面不完全閉合,，部分磁力線可沿靶的邊緣延伸到基片區(qū)域,，從而部分電子可以沿著磁力線擴(kuò)展到基片，增加基片區(qū)域的等離子體密度和氣體電離率,。這提高了薄膜工藝的效率,，使它們能夠在較低的壓力下更快地生長。江西多層磁控濺射分類

有些鍍膜要用到射頻電源，如功率大,，需做好屏蔽處理,。吉林金屬磁控濺射平臺

磁控濺射靶材的原理如下：在被濺射的靶極與陽極之間加一個正交磁場和電場，在高真空室中充入所需要的惰性氣體,，永久磁鐵在靶材料表面形成250～350高斯的磁場,，同高壓電場組成正交電磁場。在電場的作用下,，Ar氣電離成正離子和電子,，靶上加有一定的負(fù)高壓，從靶極發(fā)出的電子受磁場的作用與工作氣體的電離幾率增大,，在陰極附近形成高密度的等離子體,，Ar離子在洛侖茲力的作用下加速飛向靶面，以很高的速度轟擊靶面,，使靶上被濺射出來的原子遵循動量轉(zhuǎn)換原理以較高的動能脫離靶面飛向基片淀積成膜,。磁控濺射一般分為二種：直流濺射和射頻濺射，其中直流濺射設(shè)備原理簡單,，在濺射金屬時,，其速率也快。而射頻濺射的使用范圍更為普遍,，除可濺射導(dǎo)電材料外,，也可濺射非導(dǎo)電的材料，同時還可進(jìn)行反應(yīng)濺射制備氧化物,、氮化物和碳化物等化合物材料,。若射頻的頻率提高后就成為微波等離子體濺射，如今,，常用的有電子回旋共振型微波等離子體濺射,。吉林金屬磁控濺射平臺

廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所坐落于長興路363號，是集設(shè)計,、開發(fā),、生產(chǎn)、銷售,、售后服務(wù)于一體,，電子元器件的服務(wù)型企業(yè)。公司在行業(yè)內(nèi)發(fā)展多年,，持續(xù)為用戶提供整套微納加工技術(shù)服務(wù),，真空鍍膜技術(shù)服務(wù)，紫外光刻技術(shù)服務(wù),，材料刻蝕技術(shù)服務(wù)的解決方案,。公司具有微納加工技術(shù)服務(wù),，真空鍍膜技術(shù)服務(wù)，紫外光刻技術(shù)服務(wù),，材料刻蝕技術(shù)服務(wù)等多種產(chǎn)品,，根據(jù)客戶不同的需求，提供不同類型的產(chǎn)品,。公司擁有一批熱情敬業(yè),、經(jīng)驗豐富的服務(wù)團(tuán)隊，為客戶提供服務(wù),。芯辰實驗室,微納加工集中了一批經(jīng)驗豐富的技術(shù)及管理專業(yè)人才,，能為客戶提供良好的售前、售中及售后服務(wù),，并能根據(jù)用戶需求,，定制產(chǎn)品和配套整體解決方案。我們本著客戶滿意的原則為客戶提供微納加工技術(shù)服務(wù),，真空鍍膜技術(shù)服務(wù),，紫外光刻技術(shù)服務(wù)，材料刻蝕技術(shù)服務(wù)產(chǎn)品售前服務(wù),，為客戶提供周到的售后服務(wù),。價格低廉優(yōu)惠，服務(wù)周到,，歡迎您的來電,！