干法刻蝕是芯片制造領(lǐng)域較主要的表面材料去除方法,，擁有更好的剖面控制。干刻蝕法按作用機(jī)理分為：物理刻蝕,、化學(xué)刻蝕和物理化學(xué)綜合作用刻蝕,。物理和化學(xué)綜合作用機(jī)理中，離子轟擊的物理過程可以通過濺射去除表面材料,，具有比較強(qiáng)的方向性,。離子轟擊可以改善化學(xué)刻蝕作用，使反應(yīng)元素與硅表面物質(zhì)反應(yīng)效率更高,。綜合型干刻蝕法綜合離子濺射與表面反應(yīng)的優(yōu)點(diǎn),，使刻蝕具有較好的選擇比和線寬控制。在集成電路制造過程中需要多種類型的干法刻蝕工藝,，應(yīng)用涉及硅片上各種材料,。被刻蝕材料主要包括介質(zhì)，氮化硅材料刻蝕外協(xié),、硅和金屬等,，氮化硅材料刻蝕外協(xié)，通過與光刻,、沉積等工藝多次配合可以形成完整的底層電路,、柵極，氮化硅材料刻蝕外協(xié),、絕緣層以及金屬通路等,。刻蝕是用化學(xué)或物理方法有選擇地從硅片表面去除不需要的材料的過程,。光刻膠又稱光致抗蝕劑,，是一種對(duì)光敏感的混合液體,。常州ICP刻蝕

刻蝕可以分成有圖形刻蝕和無圖形刻蝕。有圖形刻蝕采用掩蔽層（有圖形的光刻膠）來定義要刻蝕掉的表面材料區(qū)域,，只有硅片上被選擇的這一部分在刻蝕過程中刻掉,。有圖形刻蝕可用來在硅片上制作多種不同的特征圖形，包括柵,、金屬互連線,、通孔、接觸孔和溝槽,。無圖形刻蝕,、反刻或剝離是在整個(gè)硅片沒有掩模的情況下進(jìn)行的，這種刻蝕工藝用于剝離掩模層,。反刻是在想要把某一層膜的總的厚度減小時(shí)采用的（如當(dāng)平坦化硅片表面時(shí)需要減小形貌特征）,。廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所。同樣的刻蝕條件,，針對(duì)不同的刻蝕暴露面積,，刻蝕的速率會(huì)有所不一樣。常州離子刻蝕被刻蝕材料主要包括介質(zhì),，安徽氮化硅材料刻蝕外協(xié),、硅和金屬等。

理想情況下,，晶圓所有點(diǎn)的刻蝕速率都一致（均勻）,。晶圓不同點(diǎn)刻蝕速率不同的情況稱為非均勻性（或者稱為微負(fù)載），通常以百分比表示,。減少非均勻性和微負(fù)載是刻蝕的重要目標(biāo),。應(yīng)用材料公司一直以來不斷開發(fā)具有成本效益的創(chuàng)新解決方案，來應(yīng)對(duì)不斷變化的蝕刻難題,。這些難題可能源自于器件尺寸的不斷縮?。凰貌牧系淖兓ɡ绺遦薄膜或多孔較低k介電薄膜）,；器件架構(gòu)多樣化（例如FinFET和三維NAND晶體管）,；以及新的封裝方式（例如硅穿孔（TSV）技術(shù)）。

在Si片上形成具有垂直側(cè)壁的高深寬比溝槽結(jié)構(gòu)是制備先進(jìn)MEMS器件的關(guān)鍵工藝,，其各向異性刻蝕要求非常嚴(yán)格,。高深寬比的干法刻蝕技術(shù)以其刻蝕速率快、各向異性較強(qiáng),、污染少等優(yōu)點(diǎn)脫穎而出,，成為MEMS器件加工的關(guān)鍵技術(shù)之一。BOSCH工藝,又名TMDE(TimeMultiplexedDeepEtching)工藝,，是一個(gè)刻蝕一鈍化一刻蝕的循環(huán)過程,，以達(dá)到對(duì)硅材料進(jìn)行高深寬比,、各向異性刻蝕的目的。BOSCH工藝的原理是在反應(yīng)腔室中輪流通入鈍化氣體C4F8與刻蝕氣體SF6與樣品進(jìn)行反應(yīng),，工藝的整個(gè)過程是淀積鈍化層步驟與刻蝕步驟的反復(fù)交替,。其中保護(hù)氣體C4F8在高密度等離子體的作用下分解生成碳氟聚合物保護(hù)層，沉積在已經(jīng)做好圖形的樣品表面,。干法刻蝕優(yōu)點(diǎn)是：重復(fù)性好,。

在刻蝕環(huán)節(jié)中，硅電極產(chǎn)生高電壓,，令刻蝕氣體形成電離狀態(tài),，其與芯片同時(shí)處于刻蝕設(shè)備的同一腔體中,，并隨著刻蝕進(jìn)程而逐步被消耗，因此刻蝕電極也需要達(dá)到與晶圓一樣的半導(dǎo)體級(jí)的純度（11個(gè)9）,。芯片工藝的迭代發(fā)展,，離不開上游產(chǎn)業(yè)的制造水平提升。在刻蝕過程中,，為了讓晶圓表面面向刻蝕的深度均勻一致,，硅單晶電極的面積必須要大于被加工的晶圓面積，所以,，目前主流的先進(jìn)刻蝕機(jī),，硅電極的直徑趨于向更大尺寸發(fā)展,，一般來說,，45nm至7nm線寬的12英寸的晶圓,，對(duì)應(yīng)的刻蝕用單晶硅材料尺寸通常在14英寸以上，較大直徑要求達(dá)到19英寸,。并且,，越是先進(jìn)制程,，越追求刻蝕的極限線寬,，這樣，對(duì)硅電極的材料內(nèi)在缺陷,、面向均勻性的要求,，也提高了許多,。干法刻蝕優(yōu)點(diǎn)是：潔凈度高。廣州黃埔刻蝕公司

在物理上,，等離子體刻蝕劑由反應(yīng)室,、真空系統(tǒng)、氣體供應(yīng),、終點(diǎn)檢測(cè)和電源組成,。常州ICP刻蝕

鋁膜濕法刻蝕：對(duì)于鋁和鋁合金層有選擇性的刻蝕溶液是居于磷酸的。遺憾的是,，鋁和磷酸反應(yīng)的副產(chǎn)物是微小的氫氣泡,。這些氣泡附著在晶圓表面,，并阻礙刻蝕反應(yīng)。結(jié)果既可能產(chǎn)生導(dǎo)致相鄰引線短路的鋁橋連,，又可能在表面形成不希望出現(xiàn)的雪球的鋁點(diǎn),。特殊配方鋁刻蝕溶液的使用緩解了這個(gè)問題。典型的活性溶液成分配比是：16：1：1：2,。除了特殊配方外，典型的鋁刻蝕工藝還會(huì)包含以攪拌或上下移動(dòng)晶圓舟的攪動(dòng),。有時(shí)超聲波或兆頻超聲波也用來去除氣泡。常州ICP刻蝕

廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所依托可靠的品質(zhì)，旗下品牌芯辰實(shí)驗(yàn)室,微納加工以高質(zhì)量的服務(wù)獲得廣大受眾的青睞,。業(yè)務(wù)涵蓋了微納加工技術(shù)服務(wù)，真空鍍膜技術(shù)服務(wù),，紫外光刻技術(shù)服務(wù),，材料刻蝕技術(shù)服務(wù)等諸多領(lǐng)域，尤其微納加工技術(shù)服務(wù),，真空鍍膜技術(shù)服務(wù),，紫外光刻技術(shù)服務(wù),，材料刻蝕技術(shù)服務(wù)中具有強(qiáng)勁優(yōu)勢(shì),，完成了一大批具特色和時(shí)代特征的電子元器件項(xiàng)目,；同時(shí)在設(shè)計(jì)原創(chuàng),、科技創(chuàng)新、標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范等方面推動(dòng)行業(yè)發(fā)展,。我們強(qiáng)化內(nèi)部資源整合與業(yè)務(wù)協(xié)同，致力于微納加工技術(shù)服務(wù)，真空鍍膜技術(shù)服務(wù),，紫外光刻技術(shù)服務(wù),，材料刻蝕技術(shù)服務(wù)等實(shí)現(xiàn)一體化,，建立了成熟的微納加工技術(shù)服務(wù)，真空鍍膜技術(shù)服務(wù),，紫外光刻技術(shù)服務(wù),，材料刻蝕技術(shù)服務(wù)運(yùn)營及風(fēng)險(xiǎn)管理體系,，累積了豐富的電子元器件行業(yè)管理經(jīng)驗(yàn),，擁有一大批專業(yè)人才。廣東省半導(dǎo)體所始終保持在電子元器件領(lǐng)域優(yōu)先的前提下,，不斷優(yōu)化業(yè)務(wù)結(jié)構(gòu),。在微納加工技術(shù)服務(wù)，真空鍍膜技術(shù)服務(wù),，紫外光刻技術(shù)服務(wù),，材料刻蝕技術(shù)服務(wù)等領(lǐng)域承攬了一大批高精尖項(xiàng)目，積極為更多電子元器件企業(yè)提供服務(wù),。