二氧化硅的干法刻蝕是：刻蝕原理氧化物的等離子體刻蝕工藝大多采用含有氟碳化合物的氣體進(jìn)行刻蝕,。使用的氣體有四氟化碳(CF),、八氟丙烷(C,，F(xiàn)8)、三氟甲烷(CHF3)等,，常用的是CF和CHFCF的刻蝕速率比較高但對(duì)多晶硅的選擇比不好,，CHF3的聚合物生產(chǎn)速率較高，非等離子體狀態(tài)下的氟碳化合物化學(xué)穩(wěn)定性較高,，且其化學(xué)鍵比SiF的化學(xué)鍵強(qiáng),，不會(huì)與硅或硅的氧化物反應(yīng)。選擇比的改變?cè)诋?dāng)今半導(dǎo)體工藝中,，Si02的干法刻蝕主要用于接觸孔與金屬間介電層連接洞的非等向性刻蝕方面,。前者在S102下方的材料是Si，后者則是金屬層,，通常是TiN（氮化鈦）,，因此在Si02的刻蝕中，Si07與Si或TiN的刻蝕選擇比是一個(gè)比較重要的因素,。刻蝕也可以分成有圖形刻蝕和無(wú)圖形刻蝕,。在平板顯示行業(yè),；主要使用的光刻膠有彩色及黑色光刻膠、LCD觸摸屏用光刻膠,、TFT-LCD正性光刻膠等,。莆田刻蝕設(shè)備

介質(zhì)刻蝕是用于介質(zhì)材料的刻蝕，如二氧化硅,。干法刻蝕優(yōu)點(diǎn)是：各向異性好,，選擇比高，可控性,、靈活性,、重復(fù)性好,，細(xì)線條操作安全，易實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化,，無(wú)化學(xué)廢液,，處理過(guò)程未引入污染，潔凈度高,。缺點(diǎn)是：成本高,，設(shè)備復(fù)雜。干法刻蝕主要形式有純化學(xué)過(guò)程（如屏蔽式,，下游式,，桶式），純物理過(guò)程（如離子銑）,，物理化學(xué)過(guò)程,，常用的有反應(yīng)離子刻蝕RIE，離子束輔助自由基刻蝕ICP等,。干法刻蝕方式比較多,，一般有：濺射與離子束銑蝕，等離子刻蝕（PlasmaEtching）,，高壓等離子刻蝕,，高密度等離子體（HDP）刻蝕，反應(yīng)離子刻蝕（RIE）,。另外,，化學(xué)機(jī)械拋光CMP，剝離技術(shù)等等也可看成是廣義刻蝕的一些技術(shù),。莆田刻蝕設(shè)備物理和化學(xué)綜合作用機(jī)理中,，離子轟擊的物理過(guò)程可以通過(guò)濺射去除表面材料，具有比較強(qiáng)的方向性,。

等離子刻蝕是將電磁能量（通常為射頻（RF））施加到含有化學(xué)反應(yīng)成分（如氟或氯）的氣體中實(shí)現(xiàn),。等離子會(huì)釋放帶正電的離子來(lái)撞擊晶圓以去除（刻蝕）材料，并和活性自由基產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng),，與刻蝕的材料反應(yīng)形成揮發(fā)性或非揮發(fā)性的殘留物,。離子電荷會(huì)以垂直方向射入晶圓表面。這樣會(huì)形成近乎垂直的刻蝕形貌,，這種形貌是現(xiàn)今密集封裝芯片設(shè)計(jì)中制作細(xì)微特征所必需的,。一般而言，高蝕速率（在一定時(shí)間內(nèi)去除的材料量）都會(huì)受到歡迎,。反應(yīng)離子刻蝕（RIE）的目標(biāo)是在物理刻蝕和化學(xué)刻蝕之間達(dá)到較佳平衡,，使物理撞擊（刻蝕率）強(qiáng)度足以去除必要的材料，同時(shí)適當(dāng)?shù)幕瘜W(xué)反應(yīng)能形成易于排出的揮發(fā)性殘留物或在剩余物上形成保護(hù)性沉積（選擇比和形貌控制）,。采用磁場(chǎng)增強(qiáng)的RIE工藝,，通過(guò)增加離子密度而不增加離子能量（可能會(huì)損失晶圓）的方式,，改進(jìn)了處理過(guò)程。物理上,，等離子體刻蝕劑由反應(yīng)室,、真空系統(tǒng)、氣體供應(yīng),、終點(diǎn)檢測(cè)和電源組成,。

在微細(xì)加工中，刻蝕和清洗處理過(guò)程包括許多內(nèi)容,。對(duì)于適當(dāng)取向的半導(dǎo)體薄片的鋸痕首先要機(jī)械拋光,，除去全部的機(jī)械損傷，之后進(jìn)行化學(xué)刻蝕和拋光,，以獲得無(wú)損傷的光學(xué)平面,。這種工藝往往能去除以微米級(jí)計(jì)算的材料表層。對(duì)薄片進(jìn)行化學(xué)清洗和洗滌,，可以除去因操作和貯存而產(chǎn)生的污染,，然后用熱處理的方法生長(zhǎng)Si0(對(duì)于硅基集成電路)，或者沉積氮化硅(對(duì)于砷化鎵電路),，以形成初始保護(hù)層,。刻蝕過(guò)程和圖案的形成相配合,。廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所,。半導(dǎo)體材料刻蝕加工廠等離子體刻蝕機(jī)要求相同的元素：化學(xué)刻蝕劑和能量源。干法刻蝕優(yōu)點(diǎn)是：處理過(guò)程未引入污染,。

介質(zhì)刻蝕是用于介質(zhì)材料的刻蝕,，例如二氧化硅。干法刻蝕優(yōu)點(diǎn)是：各向異性好,，選擇比高,，可控性、靈活性,、重復(fù)性好,，細(xì)線條操作安全，易實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化,，無(wú)化學(xué)廢液，處理過(guò)程未引入污染,，潔凈度高,。缺點(diǎn)是：成本高，設(shè)備復(fù)雜,。干法刻蝕主要形式有純化學(xué)過(guò)程（如屏蔽式,，下游式,，桶式），純物理過(guò)程（如離子銑）,，物理化學(xué)過(guò)程,，常用的有反應(yīng)離子刻蝕RIE，離子束輔助自由基刻蝕ICP等,。干法刻蝕方式比較多,，一般有：濺射與離子束銑蝕，等離子刻蝕（PlasmaEtching）,，高壓等離子刻蝕,，高密度等離子體（HDP）刻蝕，反應(yīng)離子刻蝕（RIE）,。另外,，化學(xué)機(jī)械拋光CMP，剝離技術(shù)等等也可看成是廣義刻蝕的一些技術(shù),?？涛g基本目標(biāo)是在涂膠的硅片上正確地復(fù)制掩模圖形。在微細(xì)加工中,，刻蝕和清洗處理過(guò)程包括許多內(nèi)容,。天津激光刻蝕

濕法刻蝕在半導(dǎo)體工藝中有著普遍應(yīng)用：磨片、拋光,、清洗,、腐蝕。莆田刻蝕設(shè)備

“刻蝕”指的是用化學(xué)和物理方法有選擇地從硅片表面去除不需要的材料,，主要是晶圓制造中不可或缺的關(guān)鍵步驟,。刻蝕技術(shù)按工藝可以分為濕法刻蝕與干法刻蝕,，其中干法刻蝕是目前8英寸,、12英寸先進(jìn)制程中的主要刻蝕手段，干法刻蝕又多以“等離子體刻蝕”為主導(dǎo),。在刻蝕環(huán)節(jié)中,，硅電極產(chǎn)生高電壓，令刻蝕氣體形成電離狀態(tài),，其與芯片同時(shí)處于刻蝕設(shè)備的同一腔體中,，并隨著刻蝕進(jìn)程而逐步被消耗，因此刻蝕電極也需要達(dá)到與晶圓一樣的半導(dǎo)體級(jí)的純度（11個(gè)9）,。莆田刻蝕設(shè)備

廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所是我國(guó)微納加工技術(shù)服務(wù),，真空鍍膜技術(shù)服務(wù)，紫外光刻技術(shù)服務(wù)，材料刻蝕技術(shù)服務(wù)專(zhuān)業(yè)化較早的****之一,，廣東省半導(dǎo)體所是我國(guó)電子元器件技術(shù)的研究和標(biāo)準(zhǔn)制定的重要參與者和貢獻(xiàn)者,。廣東省半導(dǎo)體所致力于構(gòu)建電子元器件自主創(chuàng)新的競(jìng)爭(zhēng)力，廣東省半導(dǎo)體所將以精良的技術(shù),、優(yōu)異的產(chǎn)品性能和完善的售后服務(wù),，滿足國(guó)內(nèi)外廣大客戶的需求。