光刻是微納加工技術(shù)中關(guān)鍵的工藝步驟,，光刻的工藝水平?jīng)Q定產(chǎn)品的制程水平和性能水平,。光刻的原理是在基底表面覆蓋一層具有高度光敏感性光刻膠，再用光線（一般是紫外光,、深紫外光,、極紫外光）透過光刻板照射在基底表面，被光線照射到的光刻膠會發(fā)生反應,。此后用顯影液洗去被照射/未被照射的光刻膠,， 就實現(xiàn)了圖形從光刻板到基底的轉(zhuǎn)移。光刻膠分為正性光刻和負性光刻兩種基本工藝,，區(qū)別在于兩者使用的光刻膠的類型不同,。負性光刻使用的光刻膠在曝光后會因為交聯(lián)而變得不可溶解，并會固化,，不會被溶劑洗掉，從而該部分硅片不會在后續(xù)流程中被腐蝕掉,，負性光刻光刻膠上的圖形與掩模版上圖形相反,。在我國，微納制造技術(shù)同樣是重點發(fā)展方向之一,。泉州微納加工平臺

在光刻圖案化工藝中,，需要優(yōu)先將光刻膠涂在硅片上形成一層薄膜。接著在復雜的曝光裝置中,，光線通過一個具有特定圖案的掩模投射到光刻膠上,。曝光區(qū)域的光刻膠發(fā)生化學變化，在隨后的化學顯影過程中被去除,。較后掩模的圖案就被轉(zhuǎn)移到了光刻膠膜上,。而在隨后的蝕刻或離子注入工藝中，會對沒有光刻膠保護的硅片部分進行刻蝕,，較后洗去剩余光刻膠,。這時光刻膠的圖案就被轉(zhuǎn)移到下層的薄膜上，這種薄膜圖案化的過程經(jīng)過多次迭代,，聯(lián)同其他多個物理過程,，便產(chǎn)生集成電路。陜西微納加工設(shè)備應用于MEMS制作的襯底可以說是各種各樣的,，如硅晶圓,、玻璃晶圓、塑料,、還其他的材料,！

目前微納制造領(lǐng)域較常用的一種微細加工技術(shù)是LIGA。這項技術(shù)由于可加工尺寸小,、精度高,，適合加工半導體材料,，因而在半導體產(chǎn)業(yè)中得到普遍的應用，其較基礎(chǔ)的中心技術(shù)是光刻,，即曝光和刻蝕工藝,。隨著LIGA技術(shù)的發(fā)展，人們開發(fā)出了比較多種不同的曝光,、刻蝕工藝,，以滿足不同精度尺寸、生產(chǎn)效率等的需求,。LIGA技術(shù)經(jīng)過多年的發(fā)展,，工藝已經(jīng)相當成熟，但是這項技術(shù)的基本原理決定了它必然會存在的一些缺陷,，比如工藝過程復雜,、制備環(huán)境要求高、設(shè)備投入大,、生產(chǎn)成本高等,。

    高精度的微細結(jié)構(gòu)可以通過電子束直寫或激光直寫制作，這類光刻技術(shù),，像“寫字”一樣,，通過控制聚焦電子束（光束）移動書寫圖案進行曝光，具有很高的曝光精度,，但這兩種方法制作效率極低,，尤其在大面積制作方面捉襟見肘，目前直寫光刻技術(shù)適用于小面積的微納結(jié)構(gòu)制作,。近年來,，三維浮雕微納結(jié)構(gòu)的需求越來越大，如閃耀光柵,、菲涅爾透鏡,、多臺階微光學元件等。據(jù)悉,，蘋果公司新上市的手機產(chǎn)品中人臉識別模塊就采用了多臺階微光學元件,，以及當下如火如荼的無人駕駛技術(shù)中激光雷達光學系統(tǒng)也用到了復雜的微光學元件。這類精密的微納結(jié)構(gòu)光學元件需采用灰度光刻技術(shù)進行制作,。直寫技術(shù),，通過在光束移動過程中進行相應的曝光能量調(diào)節(jié)，可以實現(xiàn)良好的灰度光刻能力,。 機械微加工是微納制造中較方便,，也較接近傳統(tǒng)材料加工方式的微成型技術(shù)。

    微納加工-薄膜沉積與摻雜工藝,。在微納加工過程中,，薄膜的形成方法主要為物理沉積,、化學沉積和混合方法沉積。蒸發(fā)沉積（熱蒸發(fā),、電子束蒸發(fā)）和濺射沉積是典型的物理方法,，主要用于沉積金屬單質(zhì)薄膜、合金薄膜,、化合物等,。熱蒸發(fā)是在高真空下，利用電阻加熱至材料的熔化溫度,，使其蒸發(fā)至基底表面形成薄膜,，而電子束蒸發(fā)為使用電子束加熱；磁控濺射在高真空,，在電場的作用下,，Ar氣被電離為Ar離子高能量轟擊靶材，使靶材發(fā)生濺射并沉積于基底,；磁控濺射方法沉積的薄膜純度高,、致密性好，熱蒸發(fā)主要用于沉積低熔點金屬薄膜或者厚膜,；化學氣相沉積（CVD）是典型的化學方法而等離子體增強化學氣相沉積（PECVD）是物理與化學相結(jié)合的混合方法，CVD和PECVD用于生長氮化硅,、氧化硅等介質(zhì)膜,。真空蒸鍍，簡稱蒸鍍,，是指在真空條件下,，采用一定的加熱蒸發(fā)方式蒸發(fā)鍍膜材料（或稱膜料）并使之氣化，粒子飛至基片表面凝聚成膜的工藝方法,。蒸鍍是使用較早,、用途較廣的氣相沉積技術(shù)，具有成膜方法簡單,、薄膜純度和致密性高,、膜結(jié)構(gòu)和性能獨特等優(yōu)點。 在硅材料刻蝕當中,，硅針的刻蝕需要用到各向同性刻蝕,，硅柱的刻蝕需要用到各項異性刻蝕！新余高精度微納加工

在微納加工過程中,，蒸發(fā)沉積和濺射沉積是典型的物理方法,，主要用于沉積金屬單質(zhì)薄膜、合金薄膜,、化合物等,。泉州微納加工平臺

    MEMS（微機電系統(tǒng)）,，是指以微型化、系統(tǒng)化的理論為指導,，通過半導體制造等微納加工手段,，形成特征尺度為微納米量級的系統(tǒng)裝置。相對于先進的集成電路（IC）制造工藝（遵循摩爾定律）,，MEMS制造工藝不單純追求線寬而注重功能特色化,，即利用微納結(jié)構(gòu)或/和敏感材料實現(xiàn)多種傳感和執(zhí)行功能，工藝節(jié)點通常從500nm到110nm,，襯底材料也不局限硅,，還包括玻璃、聚合物,、金屬等,。由MEMS技術(shù)構(gòu)建的產(chǎn)品往往具有體積小、重量輕,、功耗低,、成本低等優(yōu)點，已廣泛應用于汽車,、手機,、工業(yè)、醫(yī)療,、**,、航空航天等領(lǐng)域。廣東省科學院半導體研究所微納加工平臺,，面向半導體光電子器件,、功率電子器件、MEMS,、生物芯片等前沿領(lǐng)域,，致力于打造的公益性、開放性,、支撐性樞紐中心,。平臺擁有半導體制備工藝所需的整套儀器設(shè)備，建立了一條實驗室研發(fā)線和一條中試線,，加工尺寸覆蓋2-6英寸（部分8英寸）,，同時形成了一支與硬件有機結(jié)合的專業(yè)人才隊伍。平臺當前緊抓技術(shù)創(chuàng)新和公共服務,，面向國內(nèi)外高校,、科研院所以及企業(yè)提供開放共享，為技術(shù)咨詢,、創(chuàng)新研發(fā),、技術(shù)驗證以及產(chǎn)品中試提供技術(shù)支持,。 泉州微納加工平臺

廣東省科學院半導體研究所是國內(nèi)一家多年來專注從事微納加工技術(shù)服務，真空鍍膜技術(shù)服務,，紫外光刻技術(shù)服務,，材料刻蝕技術(shù)服務的老牌企業(yè)。公司位于長興路363號,，成立于2016-04-07,。公司的產(chǎn)品營銷網(wǎng)絡(luò)遍布國內(nèi)各大市場。公司主要經(jīng)營微納加工技術(shù)服務,，真空鍍膜技術(shù)服務,，紫外光刻技術(shù)服務，材料刻蝕技術(shù)服務等產(chǎn)品,，我們依托高素質(zhì)的技術(shù)人員和銷售隊伍,，本著誠信經(jīng)營、理解客戶需求為經(jīng)營原則,，公司通過良好的信譽和周到的售前,、售后服務，贏得用戶的信賴和支持,。公司與行業(yè)上下游之間建立了長久親密的合作關(guān)系,，確保微納加工技術(shù)服務，真空鍍膜技術(shù)服務,，紫外光刻技術(shù)服務,，材料刻蝕技術(shù)服務在技術(shù)上與行業(yè)內(nèi)保持同步。產(chǎn)品質(zhì)量按照行業(yè)標準進行研發(fā)生產(chǎn),，絕不因價格而放棄質(zhì)量和聲譽,。芯辰實驗室,微納加工秉承著誠信服務,、產(chǎn)品求新的經(jīng)營原則,，對于員工素質(zhì)有嚴格的把控和要求，為微納加工技術(shù)服務,，真空鍍膜技術(shù)服務,，紫外光刻技術(shù)服務，材料刻蝕技術(shù)服務行業(yè)用戶提供完善的售前和售后服務,。