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天津磁控濺射實(shí)驗(yàn)室

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2023-06-26

磁控濺射包括很多種類,。各有不同工作原理和應(yīng)用對(duì)象,。但有一共同點(diǎn):利用磁場(chǎng)與電場(chǎng)交互作用,使電子在靶表面附近成螺旋狀運(yùn)行,,從而增大電子撞擊氬氣產(chǎn)生離子的概率,。所產(chǎn)生的離子在電場(chǎng)作用下撞向靶面從而濺射出靶材,。靶源分平衡式和非平衡式,,平衡式靶源鍍膜均勻,非平衡式靶源鍍膜膜層和基體結(jié)合力強(qiáng),。平衡靶源多用于半導(dǎo)體光學(xué)膜,,非平衡多用于磨損裝飾膜。磁控陰極按照磁場(chǎng)位形分布不同,,大致可分為平衡態(tài)磁控陰極和非平衡態(tài)磁控陰極,。平衡態(tài)磁控陰極內(nèi)外磁鋼的磁通量大致相等,兩極磁力線閉合于靶面,,很好地將電子/等離子體約束在靶面附近,,增加了碰撞幾率,提高了離化效率,,因而在較低的工作氣壓和電壓下就能起輝并維持輝光放電,,靶材利用率相對(duì)較高,。但由于電子沿磁力線運(yùn)動(dòng)主要閉合于靶面,,基片區(qū)域所受離子轟擊較小。非平衡磁控濺射技術(shù),,即讓磁控陰極外磁極磁通大于內(nèi)磁極,,兩極磁力線在靶面不完全閉合,部分磁力線可沿靶的邊緣延伸到基片區(qū)域,,從而部分電子可以沿著磁力線擴(kuò)展到基片,,增加基片區(qū)域的等離子體密度和氣體電離率。磁控濺射鍍膜的應(yīng)用領(lǐng)域:建材及民用工業(yè)中,。天津磁控濺射實(shí)驗(yàn)室

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反應(yīng)磁控濺射特點(diǎn):(1)采用雙靶中頻電源解決反應(yīng)磁控濺射過(guò)程中因陽(yáng)極被絕緣介質(zhì)膜覆蓋而造成的等離子體不穩(wěn)定現(xiàn)象,,同時(shí)還解決了電荷積累放電的問(wèn)題。(2)利用等離子發(fā)射譜監(jiān)測(cè)等離子體中的金屬粒子含量,,調(diào)節(jié)反應(yīng)氣體流量使等離子體放電電壓穩(wěn)定,,從而使沉積速率穩(wěn)定。(3)使用圓柱形旋轉(zhuǎn)靶減小絕緣介質(zhì)膜的覆蓋面積,。(4)降低輸入功率,,并使用能夠在放電時(shí)自動(dòng)切斷輸出功率的智能電源抑制電弧。(5)反應(yīng)過(guò)程與沉積過(guò)程分室進(jìn)行,,既能有效提高薄膜沉積速率,,又能使反應(yīng)氣體與薄膜表面充分反應(yīng)生成化合物薄膜。貴州單靶磁控濺射步驟磁控濺射靶材的制備方法:熔融鑄造法,。

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濺射技術(shù)是指使得具有一定能量的粒子轟擊材料表面,,使得固體材料表面的原子或分子分離,飛濺落于另一物體表面形成鍍膜的技術(shù),。被粒子轟擊的材料稱為靶材,,而被鍍膜的固體材料稱為基片,。首先由極板發(fā)射出粒子,這些粒子一般是電子,,接著使它們?cè)谕怆妶?chǎng)加速下與惰性氣體分子一般是氬氣分子(即Ar原子)碰撞,,使得其電離成Ar離子和二次電子。Ar離子會(huì)受到電場(chǎng)的作用,,以高速轟擊靶材,,使靶材表面原子或分子飛濺出去,落于基片表面沉積下來(lái)形成薄膜,。

高能脈沖磁控濺射技術(shù)是利用較高的脈沖峰值功率和較低的脈沖占空比來(lái)產(chǎn)生高濺射金屬離化率的一種磁控濺射技術(shù),。電源與等離子體淹沒(méi)離子注入沉積方法相結(jié)合,形成一種新穎的成膜過(guò)程與質(zhì)量調(diào)控技術(shù),,是可應(yīng)用于大型矩形靶的離化率可控磁控濺射新技術(shù),,填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)在該方向的研究空白。將高能沖擊磁控濺射與高壓脈沖偏壓技術(shù)復(fù)合,,利用其高離化率和淹沒(méi)性的特點(diǎn),,通過(guò)成膜過(guò)程中入射粒子能量與分布的有效操控,實(shí)現(xiàn)高膜基結(jié)合力,、高質(zhì)量,、高均勻性薄膜的制備。同時(shí)結(jié)合全新的粒子能量與成膜過(guò)程反饋控制系統(tǒng),,開(kāi)展高離化率等離子體發(fā)生,、等離子體的時(shí)空演變及荷能粒子成膜物理過(guò)程控制等方面的研究與工程應(yīng)用。其中心技術(shù)具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán),,已申請(qǐng)相關(guān)發(fā)明專利兩項(xiàng),。該項(xiàng)技術(shù)對(duì)實(shí)現(xiàn)PVD沉積關(guān)鍵瓶頸問(wèn)題的突破具有重大意義,有助于提升我國(guó)在表面工程加工領(lǐng)域的國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力,。如在交通領(lǐng)域,,該技術(shù)用于汽車發(fā)動(dòng)機(jī)三部件,可降低摩擦25%,,減少油耗3%,;機(jī)械加工領(lǐng)域,沉積先進(jìn)鍍層可使刀具壽命提高2~10倍,,加工速度提高30-70%,。磁控濺射的優(yōu)點(diǎn)如下:膜的牢固性好。

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磁控濺射的工藝研究:1,、功率,。每一個(gè)陰極都具有自己的電源。根據(jù)陰極的尺寸和系統(tǒng)設(shè)計(jì),,功率可以在0~150KW之間變化,。電源是一個(gè)恒流源,。在功率控制模式下,功率固定同時(shí)監(jiān)控電壓,,通過(guò)改變輸出電流來(lái)維持恒定的功率,。在電流控制模式下,固定并監(jiān)控輸出電流,,這時(shí)可以調(diào)節(jié)電壓,。施加的功率越高,沉積速率就越大,。2,、速度。另一個(gè)變量是速度,。對(duì)于單端鍍膜機(jī),,鍍膜區(qū)的傳動(dòng)速度可以在每分鐘0~600英寸之間選擇。對(duì)于雙端鍍膜機(jī),,鍍膜區(qū)的傳動(dòng)速度可以在每分鐘0~200英寸之間選擇,。在給定的濺射速率下,傳動(dòng)速度越低則表示沉積的膜層越厚,。3,、氣體。較后一個(gè)變量是氣體,,可以在三種氣體中選擇兩種作為主氣體和輔氣體來(lái)進(jìn)行使用。磁控濺射是在低氣壓下進(jìn)行高速濺射,,為此需要提高氣體的離化率,。天津磁控濺射實(shí)驗(yàn)室

磁控濺射靶材根據(jù)材料的成分不同,可分為金屬靶材,、合金靶材,、無(wú)機(jī)非金屬靶材等。天津磁控濺射實(shí)驗(yàn)室

真空磁控濺射鍍膜技術(shù)的特點(diǎn):1,、沉積速率大,。由于采用高速磁控電極,可獲得的離子流很大,,有效提高了此工藝鍍膜過(guò)程的沉積速率和濺射速率,。與其它濺射鍍膜工藝相比,磁控濺射的產(chǎn)能高,、產(chǎn)量大,、于各類工業(yè)生產(chǎn)中得到普遍應(yīng)用。2,、功率效率高,。磁控濺射靶一般選擇200V-1000V范圍之內(nèi)的電壓,,通常為600V,因?yàn)?00V的電壓剛好處在功率效率的較高有效范圍之內(nèi),。3,、濺射能量低。磁控靶電壓施加較低,,磁場(chǎng)將等離子體約束在陰極附近,,可防止較高能量的帶電粒子入射到基材上。天津磁控濺射實(shí)驗(yàn)室

廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所是國(guó)內(nèi)一家多年來(lái)專注從事微納加工技術(shù)服務(wù),,真空鍍膜技術(shù)服務(wù),,紫外光刻技術(shù)服務(wù),材料刻蝕技術(shù)服務(wù)的老牌企業(yè),。公司位于長(zhǎng)興路363號(hào),,成立于2016-04-07。公司的產(chǎn)品營(yíng)銷網(wǎng)絡(luò)遍布國(guó)內(nèi)各大市場(chǎng),。公司主要經(jīng)營(yíng)微納加工技術(shù)服務(wù),,真空鍍膜技術(shù)服務(wù),紫外光刻技術(shù)服務(wù),,材料刻蝕技術(shù)服務(wù)等產(chǎn)品,,我們依托高素質(zhì)的技術(shù)人員和銷售隊(duì)伍,本著誠(chéng)信經(jīng)營(yíng),、理解客戶需求為經(jīng)營(yíng)原則,,公司通過(guò)良好的信譽(yù)和周到的售前、售后服務(wù),,贏得用戶的信賴和支持,。公司會(huì)針對(duì)不同客戶的要求,不斷研發(fā)和開(kāi)發(fā)適合市場(chǎng)需求,、客戶需求的產(chǎn)品,。公司產(chǎn)品應(yīng)用領(lǐng)域廣,實(shí)用性強(qiáng),,得到微納加工技術(shù)服務(wù),,真空鍍膜技術(shù)服務(wù),紫外光刻技術(shù)服務(wù),,材料刻蝕技術(shù)服務(wù)客戶支持和信賴,。在市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)日趨激烈的現(xiàn)在,我們承諾保證微納加工技術(shù)服務(wù),,真空鍍膜技術(shù)服務(wù),,紫外光刻技術(shù)服務(wù),材料刻蝕技術(shù)服務(wù)質(zhì)量和服務(wù),,再創(chuàng)佳績(jī)是我們一直的追求,,我們真誠(chéng)的為客戶提供真誠(chéng)的服務(wù),,歡迎各位新老客戶來(lái)我公司參觀指導(dǎo)。