PECVD（等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法）工藝中由于等離子體中高速運(yùn)動(dòng)的電子撞擊到中性的反應(yīng)氣體分子,，就會(huì)使中性反應(yīng)氣體分子變成碎片或處于激發(fā)的狀態(tài)容易發(fā)生反應(yīng)，以在襯底在300-350℃就可以得到良好的氧化硅或者氮化硅薄膜,，可以在器件當(dāng)中作為鈍化絕緣層,，來提高器件的可靠性。氧化硅薄膜主要用到的氣體為硅烷和笑氣,，氮化硅薄膜主要用到的氣體為氨氣和硅烷,。采用PECVD鍍膜對(duì)器件有一定的要求，因?yàn)楣に嚋囟缺容^高,，所以器件需要耐高溫,，高溫烘烤下不能變形。真空鍍膜在鋼材,、鎳,、鈾、金剛石表面鍍鈦金屬薄膜,提高了鋼材,、鈾,、金剛石等材料的耐腐蝕性能。PVD真空鍍膜機(jī)

真空鍍膜：電子束蒸發(fā)是真空蒸鍍的一種方式,，它是在鎢絲蒸發(fā)的基礎(chǔ)上發(fā)展起來的,。電子束是一種高速的電子流。電子束蒸發(fā)是真空鍍膜技術(shù)中一種成熟且主要的鍍膜方法，它解決了電阻加熱方式中膜料與蒸鍍?cè)床牧现苯咏佑|容易互混的問題,。電子束蒸發(fā)法是真空蒸發(fā)鍍膜的一種,，是在真空條件下利用電子束進(jìn)行直接加熱蒸發(fā)材料，使蒸發(fā)材料氣化并向基板輸運(yùn),，在基底上凝結(jié)形成薄膜的方法,。在電子束加熱裝置中，被加熱的物質(zhì)放置于水冷的坩堝中,，可避免蒸發(fā)材料與坩堝壁發(fā)生反應(yīng)影響薄膜的質(zhì)量,，因此，電子束蒸發(fā)沉積法可以制備高純薄膜,，同時(shí)在同一蒸發(fā)沉積裝置中可以安置多個(gè)坩堝,，實(shí)現(xiàn)同時(shí)或分別蒸發(fā)，沉積多種不同的物質(zhì),。通過電子束蒸發(fā),，任何材料都可以被蒸發(fā)。福州鈦金真空鍍膜真空鍍膜技術(shù)是利用物理,、化學(xué)手段將固體表面涂覆一層特殊性能的鍍膜,。

真空鍍膜：磁控濺射法：濺射鍍膜較初出現(xiàn)的是簡(jiǎn)單的直流二極濺射，它的優(yōu)點(diǎn)是裝置簡(jiǎn)單,，但是直流二極濺射沉積速率低,；為了保持自持放電，不能在低氣壓(<0,。1Pa)下進(jìn)行,；不能濺射絕緣材料等缺點(diǎn)限制了其應(yīng)用,。磁控濺射是由二極濺射基礎(chǔ)上發(fā)展而來,，在靶材表面建立與電場(chǎng)正交磁場(chǎng)，解決了二極濺射沉積速率低,，等離子體離化率低等問題,，成為目前鍍膜工業(yè)主要方法之一。磁控濺射與其它鍍膜技術(shù)相比具有如下特點(diǎn)：可制備成靶的材料廣,，幾乎所有金屬,，合金和陶瓷材料都可以制成靶材；在適當(dāng)條件下多元靶材共濺射方式,，可沉積配比精確恒定的合金,；在濺射的放電氣氛中加入氧、氮或其它活性氣體,，可沉積形成靶材物質(zhì)與氣體分子的化合物薄膜,；通過精確地控制濺射鍍膜過程，容易獲得均勻的高精度的膜厚；通過離子濺射靶材料物質(zhì)由固態(tài)直接轉(zhuǎn)變?yōu)榈入x子態(tài),，濺射靶的安裝不受限制,，適合于大容積鍍膜室多靶布置設(shè)計(jì)；濺射鍍膜速度快,，膜層致密,，附著性好等特點(diǎn)，很適合于大批量,，高效率工業(yè)生產(chǎn),。近年來磁控濺射技術(shù)發(fā)展很快，具有代表性的方法有射頻濺射,、反應(yīng)磁控濺射,、非平衡磁控濺射、脈沖磁控濺射,、高速濺射等,。

真空鍍膜：真空濺射法：真空濺射法是物理的氣相沉積法中的后起之秀。隨著高純靶材料和高純氣體制備技術(shù)的發(fā)展,，濺射鍍膜技術(shù)飛速發(fā)展,，在多元合金薄膜的制備方面顯示出獨(dú)到之處。其原理為：稀薄的空氣在異常輝光放電產(chǎn)生的等離子體在電場(chǎng)的作用下,，對(duì)陰極靶材料表面進(jìn)行轟擊,，把靶材料表面的分子、原子,、離子及電子等濺射出來,，被濺射出來的粒子帶有一定的動(dòng)能，沿一定的方法射向基體表面,，在基體表面形成鍍層,。特點(diǎn)為：鍍膜層與基材的結(jié)合力強(qiáng)；鍍膜層致密,、均勻,；設(shè)備簡(jiǎn)單，操作方便,，容易控制,。主要的濺射方法有直流濺射、射頻濺射,、磁控濺射等,。目前應(yīng)用較多的是磁控濺射法。真空鍍膜是指在高真空的條件下加熱金屬或非金屬材料,，使其蒸發(fā)并凝結(jié)于鍍件表面而形成薄膜的一種方法,。

真空鍍膜的方法：真空蒸鍍法：真空蒸鍍是將裝有基片的真空室抽成真空,然后加熱被蒸發(fā)的鍍料,使其原子或分子從表面氣化逸出,形成蒸氣流,入射到基片表面,凝結(jié)形成固體薄膜的技術(shù),。根據(jù)蒸發(fā)源的不同可以將真空蒸鍍分為電阻加熱蒸發(fā)源、電子束蒸發(fā)源,、高頻感應(yīng)蒸發(fā)源及激光束蒸發(fā)源蒸鍍法,。電阻蒸發(fā)源是用低電壓大電流加熱燈絲和蒸發(fā)舟,利用電流的焦耳熱是鍍料熔化、蒸發(fā)或升華,。這種方式結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,造價(jià)低廉,使用相當(dāng)普遍,。采用真空蒸鍍法在純棉織物表面制備負(fù)載TiO2織物,紫外線透過率都比未負(fù)載的純棉織物的低,具有好的抗紫外線性能,制備TiO2薄膜時(shí),膜層較均勻,當(dāng)在玻璃表面蒸鍍一層鉻鈦、鎳鈦合金等裝飾薄膜,裝飾效果,光學(xué),、耐磨,、耐蝕性能良好。真空鍍膜機(jī)的優(yōu)點(diǎn):具有優(yōu)良的耐折性和良好的韌性,，比較少出現(xiàn)小孔和裂口,。福州鈦金真空鍍膜

真空鍍膜中離子鍍的鍍層無氣泡。PVD真空鍍膜機(jī)

真空鍍膜的方法：化學(xué)氣相沉積：在等離子化學(xué)氣相沉積法中,等離子體中電子溫度高達(dá)104K,電子與氣相分子的碰撞可以促進(jìn)氣體分子的分解,、化合,、激發(fā)和電離過程,生成活性很高的各種化學(xué)基團(tuán),產(chǎn)生大量反應(yīng)活性物種而使整個(gè)反應(yīng)體系卻保持較低溫度。而普通的CVD法沉積溫度高(一般為1100℃),當(dāng)在鋼材表面沉積氮化鈦薄膜時(shí),由于溫度很高,致使膜層與基體間常有脆性相出現(xiàn),致使刀具的切削壽命降低,。利用直流等離子化學(xué)氣相沉積法,在硬質(zhì)臺(tái)金上沉積TiN膜結(jié)構(gòu)與性能均勻,。PVD真空鍍膜機(jī)

廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所在微納加工技術(shù)服務(wù)，真空鍍膜技術(shù)服務(wù),，紫外光刻技術(shù)服務(wù),，材料刻蝕技術(shù)服務(wù)一直在同行業(yè)中處于較強(qiáng)地位，無論是產(chǎn)品還是服務(wù),，其高水平的能力始終貫穿于其中,。公司始建于2016-04-07，在全國(guó)各個(gè)地區(qū)建立了良好的商貿(mào)渠道和技術(shù)協(xié)作關(guān)系,。廣東省半導(dǎo)體所致力于構(gòu)建電子元器件自主創(chuàng)新的競(jìng)爭(zhēng)力,，多年來，已經(jīng)為我國(guó)電子元器件行業(yè)生產(chǎn),、經(jīng)濟(jì)等的發(fā)展做出了重要貢獻(xiàn),。