磁控濺射靶材鍍膜過程中,，影響靶材鍍膜沉積速率的因素：濺射電流,。磁控靶的濺射電流與濺射靶材表面的離子電流成正比,，因此也是影響濺射速率的重要因素,。磁控濺射有一個普遍規(guī)律,，即在較佳氣壓下沉積速度較快。因此,，在不影響薄膜質(zhì)量和滿足客戶要求的前提下,，從濺射良率考慮氣體壓力的較佳值是合適的。改變?yōu)R射電流有兩種方法：改變工作電壓或改變工作氣體壓力,。濺射功率：濺射功率對沉積速率的影響類似于濺射電壓,。一般來說，提高磁控靶材的濺射功率可以提高成膜率,。然而,，這并不是一個普遍的規(guī)則。在磁控靶材的濺射電壓低,，濺射電流大的情況下,，雖然平均濺射功率不低，但離子不能被濺射,，也不能沉積,。前提是要求施加在磁控靶材上的濺射電壓足夠高，使工作氣體離子在陰極和陽極之間的電場中的能量足夠大于靶材的"濺射能量閾值",。磁控濺射鍍膜產(chǎn)品優(yōu)點：幾乎所有材料都可以通過磁控濺射沉積,，而不論其熔化溫度如何。北京射頻磁控濺射步驟

磁控濺射技術(shù)原理如下：電子在電場的作用下加速飛向基片的過程中與氬原子發(fā)生碰撞,，電離出大量的氬離子和電子,，電子飛向基片。氬離子在電場的作用下加速轟擊靶材,，濺射出大量的靶材原子,，呈中性的靶原子沉積在基片上成膜。二次電子在加速飛向基片的過程中受到磁場洛倫茲力的影響,，被束縛在靠近靶面的等離子體區(qū)域內(nèi),，該區(qū)域內(nèi)等離子體密度很高，二次電子在磁場的作用下圍繞靶面作圓周運動,，該電子的運動路徑很長,。在運動過程中不斷的與氬原子發(fā)生碰撞電離出大量的氬離子轟擊靶材,，經(jīng)過多次碰撞后電子的能量逐漸降低,，擺脫磁力線的束縛，遠(yuǎn)離靶材,，較終沉積在基片上,。磁控濺射就是以磁場束縛和延長電子的運動路徑，改變電子的運動方向,，提高工作氣體的電離率和有效利用電子的能量,。電子的歸宿不只只是基片,，真空室內(nèi)壁及靶源陽極也是電子歸宿。但一般基片與真空室及陽極在同一電勢,。浙江真空磁控濺射用處射頻磁控濺射是一種制備薄膜的工藝,。

磁控濺射靶材的應(yīng)用領(lǐng)域如下：眾所周知，靶材材料的技術(shù)發(fā)展趨勢與下游應(yīng)用產(chǎn)業(yè)的薄膜技術(shù)發(fā)展趨勢息息相關(guān),，隨著應(yīng)用產(chǎn)業(yè)在薄膜產(chǎn)品或元件上的技術(shù)改進,，靶材技術(shù)也應(yīng)隨之變化。如Ic制造商．近段時間致力于低電阻率銅布線的開發(fā),，預(yù)計未來幾年將大幅度取代原來的鋁膜,，這樣銅靶及其所需阻擋層靶材的開發(fā)將刻不容緩。另外,，近年來平面顯示器大幅度取代原以陰極射線管為主的電腦顯示器及電視機市場,。亦將大幅增加ITO靶材的技術(shù)與市場需求。此外在存儲技術(shù)方面,。高密度,、大容量硬盤，高密度的可擦寫光盤的需求持續(xù)增加．這些均導(dǎo)致應(yīng)用產(chǎn)業(yè)對靶材的需求發(fā)生變化,。

磁控濺射靶材的原理如下：在被濺射的靶極與陽極之間加一個正交磁場和電場,，在高真空室中充入所需要的惰性氣體，永久磁鐵在靶材料表面形成250～350高斯的磁場,，同高壓電場組成正交電磁場,。在電場的作用下，Ar氣電離成正離子和電子,，靶上加有一定的負(fù)高壓，從靶極發(fā)出的電子受磁場的作用與工作氣體的電離幾率增大,，在陰極附近形成高密度的等離子體,，Ar離子在洛侖茲力的作用下加速飛向靶面，以很高的速度轟擊靶面,，使靶上被濺射出來的原子遵循動量轉(zhuǎn)換原理以較高的動能脫離靶面飛向基片淀積成膜,。磁控濺射一般分為二種：直流濺射和射頻濺射，其中直流濺射設(shè)備原理簡單,，在濺射金屬時,，其速率也快。而射頻濺射的使用范圍更為普遍,，除可濺射導(dǎo)電材料外,，也可濺射非導(dǎo)電的材料，同時還可進行反應(yīng)濺射制備氧化物,、氮化物和碳化物等化合物材料,。若射頻的頻率提高后就成為微波等離子體濺射,，如今，常用的有電子回旋共振型微波等離子體濺射,。磁控濺射鍍膜的應(yīng)用領(lǐng)域：建材及民用工業(yè)中,。

反應(yīng)磁控濺射是以金屬、合金,、低價金屬化合物或半導(dǎo)體材料作為靶陰極,，在濺射過程中或在基片表面沉積成膜過程中與氣體粒子反應(yīng)生成化合物薄膜，這就是反應(yīng)磁控濺射,。反應(yīng)磁控濺射普遍應(yīng)用于化合物薄膜的大批量生產(chǎn),，這是因為：1、反應(yīng)磁控濺射所用的靶材料和反應(yīng)氣體純度很高,，因而有利于制備高純度的化合物薄膜,。2、通過調(diào)節(jié)反應(yīng)磁控濺射中的工藝參數(shù),，可以制備化學(xué)配比或非化學(xué)配比的化合物薄膜,，通過調(diào)節(jié)薄膜的組成來調(diào)控薄膜特性。3,、反應(yīng)磁控濺射沉積過程中基板升溫較小,，而且制膜過程中通常也不要求對基板進行高溫加熱，因此對基板材料的限制較少,。4,、反應(yīng)磁控濺射適于制備大面積均勻薄膜，并能實現(xiàn)單機年產(chǎn)上百萬平方米鍍膜的工業(yè)化生產(chǎn),。磁控濺射技術(shù)得以普遍的應(yīng)用是由該技術(shù)有別于其它鍍膜方法的特點所決定的,。廣東單靶磁控濺射用處

磁控濺射解決了二極濺射沉積速率低，等離子體離化率低等問題,。北京射頻磁控濺射步驟

磁控濺射的優(yōu)點如下：1,、沉積速度快、基材溫升低,、對膜層的損傷?。?,、對于大部分材料,，只要能制成靶材，就可以實現(xiàn)濺射,；3,、濺射所獲得的薄膜與基片結(jié)合較好；4、濺射所獲得的薄膜純度高,、致密度好,、成膜均勻性好；5,、濺射工藝可重復(fù)性好,，可以在大面積基片上獲得厚度均勻的薄膜；6,、能夠控制鍍層的厚度,，同時可通過改變參數(shù)條件控制組成薄膜的顆粒大小,；7,、不同的金屬、合金,、氧化物能夠進行混合,，同時濺射于基材上；8,、易于實現(xiàn)工業(yè)化,。北京射頻磁控濺射步驟