影響靶中毒的因素主要是反應(yīng)氣體和濺射氣體的比例，反應(yīng)氣體過量就會導(dǎo)致靶中毒。反應(yīng)濺射工藝進行過程中靶表面濺射區(qū)域內(nèi)出現(xiàn)被反應(yīng)生成物覆蓋或反應(yīng)生成物被剝離而重新暴露金屬表面此消彼長的過程,。如果化合物的生成速率大于化合物被剝離的速率,，化合物覆蓋面積增加,。在一定功率的情況下,，參與化合物生成的反應(yīng)氣體量增加，化合物生成率增加,。如果反應(yīng)氣體量增加過度,，化合物覆蓋面積增加，如果不能及時調(diào)整反應(yīng)氣體流量,，化合物覆蓋面積增加的速率得不到抑制,，濺射溝道將進一步被化合物覆蓋，當(dāng)濺射靶被化合物全部覆蓋的時候,，靶完全中毒，不能繼續(xù)濺射真空鍍膜中真空濺射法是物理的氣相沉積法中的后起之秀,。潮州真空鍍膜廠

針對PVD制備薄膜應(yīng)力的解決辦法主要有：1.提高襯底溫度,，有利于薄膜和襯底間原子擴散,，并加速反應(yīng)過程，有利于形成擴散附著,，降低內(nèi)應(yīng)力,；2.熱退火處理，薄膜中存在的各種缺陷是產(chǎn)生本征應(yīng)力的主要原因,，這些缺陷一般都是非平衡缺陷,，有自行消失的傾向，但需要外界給予活化能,。對薄膜進行熱處理,，非平衡缺陷大量消失，薄膜內(nèi)應(yīng)力降低,；3.添加亞層控制多層薄膜應(yīng)力,，利用應(yīng)變相消原理，在薄膜層之間再沉積一層薄膜,，控制工藝使其呈現(xiàn)與結(jié)構(gòu)薄膜相反的應(yīng)力狀態(tài),，緩解應(yīng)力帶來的破壞作用，整體上抵消內(nèi)部應(yīng)力 蘇州小家電真空鍍膜真空鍍膜機的優(yōu)點:其封口性能好,，尤其包裝粉末狀產(chǎn)品時,，不會污染封口部分，保證了包裝的密封性能,。

真空鍍膜：真空涂層技術(shù)發(fā)展到了現(xiàn)在還出現(xiàn)了PCVD（物理化學(xué)氣相沉積）,、MT-CVD（中溫化學(xué)氣相沉積）等新技術(shù)，各種涂層設(shè)備,、各種涂層工藝層出不窮,。目前較為成熟的PVD方法主要有多弧鍍與磁控濺射鍍兩種方式。多弧鍍設(shè)備結(jié)構(gòu)簡單,，容易操作,。多弧鍍的不足之處是，在用傳統(tǒng)的DC電源做低溫涂層條件下,，當(dāng)涂層厚度達到0,。3um時，沉積率與反射率接近,，成膜變得非常困難,。而且，薄膜表面開始變朦,。多弧鍍另一個不足之處是,，由于金屬是熔后蒸發(fā)，因此沉積顆粒較大,，致密度低,，耐磨性比磁控濺射法成膜差,。可見,，多弧鍍膜與磁控濺射法鍍膜各有優(yōu)劣,，為了盡可能地發(fā)揮它們各自的優(yōu)越性，實現(xiàn)互補,，將多弧技術(shù)與磁控技術(shù)合而為一的涂層機應(yīng)運而生,。在工藝上出現(xiàn)了多弧鍍打底，然后利用磁控濺射法增厚涂層,，較后再利用多弧鍍達到較終穩(wěn)定的表面涂層顏色的新方法,。

真空鍍膜：反應(yīng)磁控濺射法：反應(yīng)磁控濺射沉積過程中基板溫度一般不會有很大的升高，而且成膜過程通常也并不要求對基板進行很高溫度的加熱,，因此對基板材料的限制較少,。反應(yīng)磁控濺射適于制備大面積均勻薄膜，并能實現(xiàn)單機年產(chǎn)上百萬平方米鍍膜的工業(yè)化生產(chǎn),。但是反應(yīng)磁控濺射在20世紀(jì)90年代之前,，通常使用直流濺射電源，因此帶來了一些問題,，主要是靶中毒引起的打火和濺射過程不穩(wěn)定,，沉積速率較低，膜的缺陷密度較高,，這些都限制了它的應(yīng)用發(fā)展,。真空鍍膜技術(shù)有真空束流沉積鍍膜。

PECVD( Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)等離子增強化學(xué)氣相沉積,，等離子體是物質(zhì)分子熱運動加劇,，相互間的碰撞會導(dǎo)致氣體分子產(chǎn)生電離，物質(zhì)就會變成自由運動并由相互作用的正離子,、電子和中性粒子組成的混合物,。使用等離子體增強氣相沉積法（PECVD）可在低溫（200-350℃）沉積出良好的氧化硅薄膜，已被廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體器件工藝當(dāng)中,。在LED工藝當(dāng)中,，因為PECVD生長出的氧化硅薄膜具有結(jié)構(gòu)致密，介電強度高,、硬度大等優(yōu)點,，而且氧化硅薄膜對可見光波段吸收系數(shù)很小，所以氧化硅被用于芯片的絕緣層和鈍化層,。真空鍍膜的鍍層質(zhì)量好,。蘇州小家電真空鍍膜

真空鍍膜中離子鍍簡化可以大量的鍍前清洗工作。潮州真空鍍膜廠

真空鍍膜是指在高真空的條件下加熱金屬或非金屬材料，使其蒸發(fā)并凝結(jié)于鍍件（金屬,、半導(dǎo)體或絕緣體）表面而形成薄膜的一種方法,。例如，真空鍍鋁,、真空鍍鉻等。真空鍍膜是真空應(yīng)用領(lǐng)域的一個重要方面,，它是以真空技術(shù)為基礎(chǔ),，利用物理或化學(xué)方法，并吸收電子束,、分子束,、離子束、等離子束,、射頻和磁控等一系列新技術(shù),，為科學(xué)研究和實際生產(chǎn)提供薄膜制備的一種新工藝。簡單地說,，在真空中把金屬,、合金或化合物進行蒸發(fā)或濺射，使其在被涂覆的物體（稱基板,、基片或基體）上凝固并沉積的方法,，稱為真空鍍膜。潮州真空鍍膜廠