真空鍍膜技術(shù)一般分為兩大類，即物理的氣相沉積（PVD）技術(shù)和化學(xué)氣相沉積（CVD）技術(shù),。物理的氣相沉積技術(shù)是指在真空條件下,，利用各種物理方法，將鍍料氣化成原子,、分子或使其離化為離子,，直接沉積到基體表面上的方法。制備硬質(zhì)反應(yīng)膜大多以物理的氣相沉積方法制得,，它利用某種物理過程,，如物質(zhì)的熱蒸發(fā)，或受到離子轟擊時(shí)物質(zhì)表面原子的濺射等現(xiàn)象,，實(shí)現(xiàn)物質(zhì)原子從源物質(zhì)到薄膜的可控轉(zhuǎn)移過程,。物理的氣相沉積技術(shù)具有膜/基結(jié)合力好,、薄膜均勻致密、薄膜厚度可控性好,、應(yīng)用的靶材普遍,、濺射范圍寬、可沉積厚膜,、可制取成分穩(wěn)定的合金膜和重復(fù)性好等優(yōu)點(diǎn),。真空鍍膜的主要功能包括賦予被鍍件表面高度金屬光澤和鏡面效果。光學(xué)真空鍍膜

真空鍍膜技術(shù)與濕式鍍膜技術(shù)相比較,，具有下列優(yōu)點(diǎn)：薄膜和基體選材普遍,，薄膜厚度可進(jìn)行控制，以制備具有各種不同功能的功能性薄膜,。在真空條件下制備薄膜,，環(huán)境清潔，薄膜不易受到污染,，因此可獲得致密性好,、純度高和涂層均勻的薄膜。薄膜與基體結(jié)合強(qiáng)度好,，薄膜牢固,。干式鍍膜既不產(chǎn)生廢液，也無環(huán)境污染,。真空鍍膜技術(shù)主要有真空蒸發(fā)鍍,、真空濺射鍍、真空離子鍍,、真空束流沉積,、化學(xué)氣相沉積等多種方法。除化學(xué)氣相沉積法外,，其他幾種方法均具有以下的共同特點(diǎn)：各種鍍膜技術(shù)都需要一個(gè)特定的真空環(huán)境,，以保證制膜材料在加熱蒸發(fā)或?yàn)R射過程中所形成蒸氣分子的運(yùn)動(dòng)，不致受到大氣中大量氣體分子的碰撞,、阻擋和干擾,，并消除大氣中雜質(zhì)的不良影響。無錫PVD真空鍍膜真空鍍膜機(jī)的優(yōu)點(diǎn):可以通過涂料處理形成彩色膜,，其裝潢效果是鋁箔所不及的,。

真空鍍膜：反應(yīng)磁控濺射法：制備化合物薄膜可以用各種化學(xué)氣相沉積或物理的氣相沉積方法。但目前從工業(yè)大規(guī)模生產(chǎn)的要求來看,，物理的氣相沉積中的反應(yīng)磁控濺射沉積技術(shù)具有明顯的優(yōu)勢,，因而被普遍應(yīng)用，這是因?yàn)椋悍磻?yīng)磁控濺射所用的靶材料(單元素靶或多元素靶)和反應(yīng)氣體(氧,、氮,、碳?xì)浠衔锏?通常很容易獲得很高的純度,，因而有利于制備高純度的化合物薄膜。反應(yīng)磁控濺射中調(diào)節(jié)沉積工藝參數(shù),，可以制備化學(xué)配比或非化學(xué)配比的化合物薄膜,，從而達(dá)到通過調(diào)節(jié)薄膜的組成來調(diào)控薄膜特性的目的。

所謂的原子層沉積技術(shù),，是指通過將氣相前驅(qū)體交替脈沖通入反應(yīng)室并在沉積基體表面發(fā)生氣固相化學(xué)吸附反應(yīng)形成薄膜的一種方法,。原子層沉積（ALD）是一種在氣相中使用連續(xù)化學(xué)反應(yīng)的薄膜形成技術(shù)?；瘜W(xué)氣相沉積：1個(gè)是分類的（CVD的化學(xué)氣相沉積）,。在許多情況下，ALD是使用兩種稱為前體的化學(xué)物質(zhì)執(zhí)行的,。每種前體以連續(xù)和自我控制的方式與物體表面反應(yīng),。通過依次重復(fù)對每個(gè)前體的曝光來逐漸形成薄膜。ALD是半導(dǎo)體器件制造中的重要過程,，部分設(shè)備也可用于納米材料合成,。真空鍍膜設(shè)備膜層厚度過厚會(huì)帶一點(diǎn)黑色，但是是金屬本色黑色,。

真空鍍膜：磁控濺射法：濺射鍍膜較初出現(xiàn)的是簡單的直流二極濺射,，它的優(yōu)點(diǎn)是裝置簡單，但是直流二極濺射沉積速率低,；為了保持自持放電,，不能在低氣壓(<0。1Pa)下進(jìn)行,；不能濺射絕緣材料等缺點(diǎn)限制了其應(yīng)用,。磁控濺射是由二極濺射基礎(chǔ)上發(fā)展而來，在靶材表面建立與電場正交磁場,，解決了二極濺射沉積速率低，等離子體離化率低等問題,，成為目前鍍膜工業(yè)主要方法之一,。磁控濺射與其它鍍膜技術(shù)相比具有如下特點(diǎn)：可制備成靶的材料廣，幾乎所有金屬,，合金和陶瓷材料都可以制成靶材,；在適當(dāng)條件下多元靶材共濺射方式，可沉積配比精確恒定的合金,；在濺射的放電氣氛中加入氧,、氮或其它活性氣體，可沉積形成靶材物質(zhì)與氣體分子的化合物薄膜,；通過精確地控制濺射鍍膜過程,，容易獲得均勻的高精度的膜厚,；通過離子濺射靶材料物質(zhì)由固態(tài)直接轉(zhuǎn)變?yōu)榈入x子態(tài)，濺射靶的安裝不受限制,，適合于大容積鍍膜室多靶布置設(shè)計(jì),；濺射鍍膜速度快，膜層致密,，附著性好等特點(diǎn),，很適合于大批量，高效率工業(yè)生產(chǎn),。近年來磁控濺射技術(shù)發(fā)展很快,，具有代表性的方法有射頻濺射、反應(yīng)磁控濺射,、非平衡磁控濺射,、脈沖磁控濺射、高速濺射等,。各種真空鍍膜技術(shù)都需要有一個(gè)蒸發(fā)源或靶子,。溫州小家電真空鍍膜

真空鍍膜鍍料離子的遷移：由氣化源供出原子、分子或離子經(jīng)過碰撞以及高壓電場后,，高速?zèng)_向工件,。光學(xué)真空鍍膜

真空鍍膜：離子鍍膜法：目前比較常用的組合方式有：射頻離子鍍(RFIP)。利用電阻或電子束加熱使膜材氣化,；依靠射頻等離子體放電使充入的真空Ar及其它惰性氣體,、反應(yīng)氣體氧氣、氮?dú)?、乙炔等離化,。這種方法的特點(diǎn)是：基板溫升小，不純氣體少,，成膜好,，適合鍍化合物膜，但匹配較困難,?？蓱?yīng)用于鍍光學(xué)器件、半導(dǎo)體器件,、裝飾品,、汽車零件等。此外,，離子鍍法還包括有低壓等離子體離子鍍,，感應(yīng)離子加熱鍍，集團(tuán)離子束鍍和多弧離子鍍等多種方法,。光學(xué)真空鍍膜