等離子體化學(xué)氣相沉積法,，利用了等離子體的活性來促進(jìn)反應(yīng)，使化學(xué)反應(yīng)能在較低的溫度下進(jìn)行,。優(yōu)點(diǎn)是：反應(yīng)溫度降低,，沉積速率較快，成膜質(zhì)量好,，不容易破裂,。缺點(diǎn)是：設(shè)備投資大、對氣管有特殊要求,。PECVD,，等離子體化學(xué)氣相沉積法是借助微波或射頻等使含有薄膜組成原子的氣體電離，使局部形成等離子體,，而等離子體化學(xué)活性很強(qiáng),，兩種或多種氣體很容易發(fā)生反應(yīng)，在襯底上沉積出所期待的薄膜,。為了使化學(xué)反應(yīng)能在較低的溫度下進(jìn)行,，利用了等離子體的活性來促進(jìn)反應(yīng)，因此,，這種CVD稱為等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積,。離子鍍是真空鍍膜技術(shù)的一種。寧波光學(xué)真空鍍膜

磁控濺射由于其優(yōu)點(diǎn)應(yīng)用日趨增長,成為工業(yè)鍍膜生產(chǎn)中主要的技術(shù)之一,相應(yīng)的濺射技術(shù)與也取得了進(jìn)一步的發(fā)展,。非平衡磁控濺射改善了沉積室內(nèi)等離子體的分布,提高了膜層質(zhì)量;中頻和脈沖磁控濺射可有效避免反應(yīng)濺射時的遲滯現(xiàn)象,消除靶中毒和打弧問題,提高制備化合物薄膜的穩(wěn)定性和沉積速率;改進(jìn)的磁控濺射靶的設(shè)計(jì)可獲得較高的靶材利用率;高速濺射和自濺射為濺射鍍膜技術(shù)開辟了新的應(yīng)用領(lǐng)域,，具有誘人的成膜效率和經(jīng)濟(jì)效益，實(shí)驗(yàn)簡單方便,。肇慶真空鍍膜廠各種真空鍍膜技術(shù)都需要有一個蒸發(fā)源或靶子,。

LPCVD工藝在襯底表面淀積一層均勻的介質(zhì)薄膜，在微納加工當(dāng)中用于結(jié)構(gòu)層材料,、絕緣層,、掩模材料，LPCVD工藝淀積的材料有多晶硅,、氮化硅,、磷硅玻璃。不同的材料淀積采用不同的氣體,。LPCVD反應(yīng)的能量源是熱能,，通常其溫度在500℃-1000℃之間，壓力在0.1Torr-2Torr以內(nèi)，影響其沉積反應(yīng)的主要參數(shù)是溫度,、壓力和氣體流量,，它的主要特征是因?yàn)樵诘蛪涵h(huán)境下，反應(yīng)氣體的平均自由程及擴(kuò)散系數(shù)變大,，膜厚均勻性好,、臺階覆蓋性好,。目前采用LPCVD工藝制作的主要材料有：多晶硅,、單晶硅、非晶硅,、氮化硅等,。

真空鍍膜：電子束蒸發(fā)是真空蒸鍍的一種方式，它是在鎢絲蒸發(fā)的基礎(chǔ)上發(fā)展起來的,。電子束是一種高速的電子流,。電子束蒸發(fā)是真空鍍膜技術(shù)中一種成熟且主要的鍍膜方法，它解決了電阻加熱方式中膜料與蒸鍍源材料直接接觸容易互混的問題,。電子束蒸發(fā)法是真空蒸發(fā)鍍膜的一種,，是在真空條件下利用電子束進(jìn)行直接加熱蒸發(fā)材料，使蒸發(fā)材料氣化并向基板輸運(yùn),，在基底上凝結(jié)形成薄膜的方法,。在電子束加熱裝置中，被加熱的物質(zhì)放置于水冷的坩堝中,，可避免蒸發(fā)材料與坩堝壁發(fā)生反應(yīng)影響薄膜的質(zhì)量,，因此，電子束蒸發(fā)沉積法可以制備高純薄膜,，同時在同一蒸發(fā)沉積裝置中可以安置多個坩堝,，實(shí)現(xiàn)同時或分別蒸發(fā)，沉積多種不同的物質(zhì),。通過電子束蒸發(fā),，任何材料都可以被蒸發(fā)。物理的氣相沉積技術(shù)是真空鍍膜技術(shù)的一種,。

真空鍍膜：技術(shù)優(yōu)點(diǎn)：鍍層質(zhì)量好：離子鍍的鍍層組織致密,、無小孔、無氣泡,、厚度均勻,。甚至棱面和凹槽都可均勻鍍復(fù)，不致形成金屬瘤,。象螺紋一類的零件也能鍍復(fù),，有高硬度、高耐磨性（低摩擦系數(shù)）,、很好的耐腐蝕性和化學(xué)穩(wěn)定性等特點(diǎn),，膜層的壽命更長,；同時膜層能夠大幅度提高工件的外觀裝飾性能。清洗過程簡化：現(xiàn)有鍍膜工藝,，多數(shù)均要求事先對工件進(jìn)行嚴(yán)格清洗,，既復(fù)雜又費(fèi)事。然而,，離子鍍工藝自身就有一種離子轟擊清洗作用,，并且這一作用還一直延續(xù)于整個鍍膜過程。清洗效果極好,，能使鍍層直接貼近基體，有效地增強(qiáng)了附著力,，簡化了大量的鍍前清洗工作,。真空鍍膜鍍的薄膜純度高。貴陽新型真空鍍膜

真空鍍膜機(jī)的優(yōu)點(diǎn):可以通過涂料處理形成彩色膜,，其裝潢效果是鋁箔所不及的,。寧波光學(xué)真空鍍膜

真空鍍膜技術(shù)一般分為兩大類，即物理的氣相沉積（PVD）技術(shù)和化學(xué)氣相沉積（CVD）技術(shù),。物理的氣相沉積技術(shù)是指在真空條件下,，利用各種物理方法，將鍍料氣化成原子,、分子或使其離化為離子,，直接沉積到基體表面上的方法。制備硬質(zhì)反應(yīng)膜大多以物理的氣相沉積方法制得,，它利用某種物理過程,，如物質(zhì)的熱蒸發(fā)，或受到離子轟擊時物質(zhì)表面原子的濺射等現(xiàn)象,，實(shí)現(xiàn)物質(zhì)原子從源物質(zhì)到薄膜的可控轉(zhuǎn)移過程,。物理的氣相沉積技術(shù)具有膜/基結(jié)合力好、薄膜均勻致密,、薄膜厚度可控性好,、應(yīng)用的靶材普遍、濺射范圍寬,、可沉積厚膜,、可制取成分穩(wěn)定的合金膜和重復(fù)性好等優(yōu)點(diǎn)。寧波光學(xué)真空鍍膜