二氧化硅的干法刻蝕方法是：刻蝕原理氧化物的等離子體刻蝕工藝大多采用含有氟碳化合物的氣體進(jìn)行刻蝕,。使用的氣體有四氟化碳(CF),、八氟丙烷(C,，F(xiàn)8),、三氟甲烷(CHF3)等，常用的是CF和CHFCF的刻蝕速率比較高但對(duì)多晶硅的選擇比不好,，CHF3的聚合物生產(chǎn)速率較高,，非等離子體狀態(tài)下的氟碳化合物化學(xué)穩(wěn)定性較高，且其化學(xué)鍵比SiF的化學(xué)鍵強(qiáng),，不會(huì)與硅或硅的氧化物反應(yīng),。選擇比的改變?cè)诋?dāng)今半導(dǎo)體工藝中，Si02的干法刻蝕主要用于接觸孔與金屬間介電層連接洞的非等向性刻蝕方面,。前者在S102下方的材料是Si,，后者則是金屬層,，通常是TiN（氮化鈦），因此在Si02的刻蝕中,，Si07與Si或TiN的刻蝕選擇比是一個(gè)比較重要的因素,。干法刻蝕優(yōu)點(diǎn)：細(xì)線條操作安全，易實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化,，無(wú)化學(xué)廢液,，處理過(guò)程未引入污染，潔凈度高,。深圳鹽田干法刻蝕

介質(zhì)刻蝕是用于介質(zhì)材料的刻蝕,，例如二氧化硅。干法刻蝕優(yōu)點(diǎn)是：各向異性好,，選擇比高,，可控性、靈活性,、重復(fù)性好，細(xì)線條操作安全,，易實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化,，無(wú)化學(xué)廢液，處理過(guò)程未引入污染,，潔凈度高,。缺點(diǎn)是：成本高，設(shè)備復(fù)雜,。干法刻蝕主要形式有純化學(xué)過(guò)程（如屏蔽式,，下游式，桶式）,，純物理過(guò)程（如離子銑）,，物理化學(xué)過(guò)程，常用的有反應(yīng)離子刻蝕RIE,，離子束輔助自由基刻蝕ICP等,。干法刻蝕方式比較多，一般有：濺射與離子束銑蝕,，等離子刻蝕（PlasmaEtching）,，高壓等離子刻蝕，高密度等離子體（HDP）刻蝕,，反應(yīng)離子刻蝕（RIE）,。另外，化學(xué)機(jī)械拋光CMP,，剝離技術(shù)等等也可看成是廣義刻蝕的一些技術(shù),?？涛g基本目標(biāo)是在涂膠的硅片上正確地復(fù)制掩模圖形。湖州ICP刻蝕按材料來(lái)分,，刻蝕主要分成3種：金屬刻蝕,、介質(zhì)刻蝕、和硅刻蝕,。

    刻蝕原理介紹主要工藝參數(shù)刻蝕液更換頻率的管控刻蝕不良的產(chǎn)生原因單擊此處編輯母版標(biāo)題樣式單擊此處編輯母版標(biāo)題樣式刻蝕工藝介紹辛小剛刻蝕原理介紹刻蝕主要工藝參數(shù)刻蝕液更換頻率的管控刻蝕不良原因分析刻蝕是用一定比例的酸液把玻璃上未受光刻膠保護(hù)的Metal/ITO膜通過(guò)化學(xué)反應(yīng)去除掉,，較終形成制程所需要的圖形?？涛g種類(lèi)目前我司的刻蝕種類(lèi)主要分兩種：1,、Metal刻蝕刻蝕液主要成分：磷酸、硝酸,、醋酸,、水。Metal：合金金屬2,、ITO刻蝕刻蝕液主要成分：鹽酸,、硝酸、水,。ITO：氧化銦錫（混合物）Metal刻蝕前后：ITO刻蝕前后：刻蝕前后對(duì)比照片12345刻蝕液濃度刻蝕溫度刻蝕速度噴淋流量過(guò)刻量刻蝕液的濃度對(duì)刻蝕效果影響較大,，所以我們主要通過(guò)：來(lái)料檢驗(yàn)、首片確認(rèn),、定期更換的方法來(lái)保證,。

干法刻蝕也可以根據(jù)被刻蝕的材料類(lèi)型來(lái)分類(lèi)。按材料來(lái)分,，刻蝕主要分成三種：金屬刻蝕,、介質(zhì)刻蝕、和硅刻蝕,。介質(zhì)刻蝕是用于介質(zhì)材料的刻蝕,，如二氧化硅。接觸孔和通孔結(jié)構(gòu)的制作需要刻蝕介質(zhì),，從而在ILD中刻蝕出窗口,，而具有高深寬比（窗口的深與寬的比值）的窗口刻蝕具有一定的挑戰(zhàn)性。硅刻蝕（包括多晶硅）應(yīng)用于需要去除硅的場(chǎng)合,，如刻蝕多晶硅晶體管柵和硅槽電容,。金屬刻蝕主要是在金屬層上去掉鋁合金復(fù)合層，制作出互連線,。廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所,。金屬刻蝕主要是在金屬層上去掉鋁合金復(fù)合層，制作出互連線,。

刻蝕,，英文為Etch,，它是半導(dǎo)體制造工藝，微電子IC制造工藝以及微納制造工藝中的一種相當(dāng)重要的步驟,。是與光刻相聯(lián)系的圖形化（pattern）處理的一種主要工藝,。所謂刻蝕，實(shí)際上狹義理解就是光刻腐蝕,，先通過(guò)光刻將光刻膠進(jìn)行光刻曝光處理,，然后通過(guò)其它方式實(shí)現(xiàn)腐蝕處理掉所需除去的部分?？涛g是用化學(xué)或物理方法有選擇地從硅片表面去除不需要的材料的過(guò)程,，其基本目標(biāo)是在涂膠的硅片上正確地復(fù)制掩模圖形。隨著微制造工藝的發(fā)展,，廣義上來(lái)講,，刻蝕成了通過(guò)溶液、反應(yīng)離子或其它機(jī)械方式來(lái)剝離,、去除材料的一種統(tǒng)稱,，成為微加工制造的一種普適叫法?？涛g可以分成有圖形刻蝕和無(wú)圖形刻蝕,。開(kāi)封濕法刻蝕

光刻是平面型晶體管和集成電路生產(chǎn)中的一個(gè)主要工藝。深圳鹽田干法刻蝕

工藝所用化學(xué)物質(zhì)取決于要刻蝕的薄膜類(lèi)型,。介電刻蝕應(yīng)用中通常使用含氟的化學(xué)物質(zhì),。硅和金屬刻蝕使用含氯成分的化學(xué)物質(zhì),。在工藝中可能會(huì)對(duì)一個(gè)薄膜層或多個(gè)薄膜層執(zhí)行特定的刻蝕步驟,。當(dāng)需要處理多層薄膜時(shí)，以及刻蝕中必須精確停在某個(gè)特定薄膜層而不對(duì)其造成損傷時(shí),，刻蝕工藝的選擇比就變得非常重要,。選擇比是兩個(gè)刻蝕速率的比率：被去除層的刻蝕速率與被保護(hù)層的刻蝕速率（例如刻蝕掩膜或終止層）。掩?；蛲Ｖ箤樱┩ǔ６枷Ｍ懈叩倪x擇比,。深圳鹽田干法刻蝕