干刻蝕是一類較新型，但迅速為半導體工業(yè)所采用的技術,。其利用電漿(plasma)來進行半導體薄膜材料的刻蝕加工,。其中電漿必須在真空度約10至0.001Torr的環(huán)境下，才有可能被激發(fā)出來,；而干刻蝕采用的氣體,，或轟擊質量頗巨，或化學活性極高,，均能達成刻蝕的目的,。干刻蝕基本上包括離子轟擊與化學反應兩部份刻蝕機制。偏「離子轟擊」效應者使用氬氣,，加工出來之邊緣側向侵蝕現(xiàn)象極微,。而偏化學反應效應者則采氟系或氯系氣體(如四氟化碳CF4)，經(jīng)激發(fā)出來的電漿,，即帶有氟或氯之離子團,，可快速與芯片表面材質反應。刪轎厚干刻蝕法可直接利用光阻作刻蝕之阻絕遮幕,，不必另行成長阻絕遮幕之半導體材料,。而其較重要的優(yōu)點，能兼顧邊緣側向侵蝕現(xiàn)象極微與高刻蝕率兩種優(yōu)點,，換言之,，本技術中所謂活性離子刻蝕已足敷頁堡局滲次微米線寬制程技術的要求，而正被大量使用,。法刻蝕主要利用反應氣體與等離子體進行刻蝕,。上海干法刻蝕

刻蝕,，它是半導體制造工藝，微電子IC制造工藝以及微納制造工藝中的一種相當重要的步驟,。是與光刻相聯(lián)系的圖形化處理的一種主要工藝,。所謂刻蝕，實際上狹義理解就是光刻腐蝕,，先通過光刻將光刻膠進行光刻曝光處理,，然后通過其它方式實現(xiàn)腐蝕處理掉所需除去的部分?？涛g是用化學或物理方法有選擇地從硅片表面去除不需要的材料的過程,，其基本目標是在涂膠的硅片上正確地復制掩模圖形。隨著微制造工藝的發(fā)展,，廣義上來講,，刻蝕成了通過溶液、反應離子或其它機械方式來剝離,、去除材料的一種統(tǒng)稱,，成為微加工制造的一種普適叫法。廣州反應性離子刻蝕干法刻蝕優(yōu)點是：可控性,。

二氧化硅的干法刻蝕是：刻蝕原理氧化物的等離子體刻蝕工藝大多采用含有氟碳化合物的氣體進行刻蝕,。使用的氣體有四氟化碳(CF)、八氟丙烷(C,，F(xiàn)8),、三氟甲烷(CHF3)等，常用的是CF和CHFCF的刻蝕速率比較高但對多晶硅的選擇比不好,，CHF3的聚合物生產(chǎn)速率較高,，非等離子體狀態(tài)下的氟碳化合物化學穩(wěn)定性較高，且其化學鍵比SiF的化學鍵強,，不會與硅或硅的氧化物反應,。選擇比的改變在當今半導體工藝中，Si02的干法刻蝕主要用于接觸孔與金屬間介電層連接洞的非等向性刻蝕方面,。前者在S102下方的材料是Si,，后者則是金屬層，通常是TiN（氮化鈦）,，因此在Si02的刻蝕中,，Si07與Si或TiN的刻蝕選擇比是一個比較重要的因素?？涛g也可以分成有圖形刻蝕和無圖形刻蝕,。

干刻蝕是一類較新型，但迅速為半導體工業(yè)所采用的技術，GaN材料刻蝕工藝,。其利用電漿來進行半導體薄膜材料的刻蝕加工,。其中電漿必須在真空度約10至0.001Torr的環(huán)境下，才有可能被激發(fā)出來,；而干刻蝕采用的氣體,，或轟擊質量頗巨，或化學活性極高,，均能達成刻蝕的目的,，GaN材料刻蝕工藝。干刻蝕基本上包括離子轟擊與化學反應兩部份刻蝕機制,。偏「離子轟擊」效應者使用氬氣(argon),，加工出來之邊緣側向侵蝕現(xiàn)象極微。而偏化學反應效應者則采氟系或氯系氣體(如四氟化碳CF4),，經(jīng)激發(fā)出來的電漿,，即帶有氟或氯之離子團，可快速與芯片表面材質反應,。刪轎厚干刻蝕法可直接利用光阻作刻蝕之阻絕遮幕,，不必另行成長阻絕遮幕之半導體材料。而其較重要的優(yōu)點,，能兼顧邊緣側向侵蝕現(xiàn)象極微與高刻蝕率兩種優(yōu)點,，換言之，本技術中所謂活性離子刻蝕已足敷頁堡局滲次微米線寬制程技術的要求,，而正被大量使用。等離子體刻蝕機就要求相同的元素：化學刻蝕劑和能量源,。

二氧化硅的干法刻蝕方法是：刻蝕原理氧化物的等離子體刻蝕工藝大多采用含有氟碳化合物的氣體進行刻蝕,。使用的氣體有四氟化碳(CF)、八氟丙烷(C,，F(xiàn)8),、三氟甲烷(CHF3)等，常用的是CF和CHFCF的刻蝕速率比較高但對多晶硅的選擇比不好,，CHF3的聚合物生產(chǎn)速率較高,，非等離子體狀態(tài)下的氟碳化合物化學穩(wěn)定性較高，且其化學鍵比SiF的化學鍵強,，不會與硅或硅的氧化物反應,。選擇比的改變在當今半導體工藝中，Si02的干法刻蝕主要用于接觸孔與金屬間介電層連接洞的非等向性刻蝕方面,。前者在S102下方的材料是Si,，后者則是金屬層，通常是TiN（氮化鈦），因此在Si02的刻蝕中,，Si07與Si或TiN的刻蝕選擇比是一個比較重要的因素,。刻蝕流片的速度與刻蝕速率密切相關噴淋流量的大小決定基板表面藥液置換速度的快慢,。半導體刻蝕液

光刻是平面型晶體管和集成電路生產(chǎn)中的一個主要工藝,。上海干法刻蝕

介質刻蝕是用于介質材料的刻蝕，如二氧化硅,。干法刻蝕優(yōu)點是：各向異性好,，選擇比高，可控性,、靈活性,、重復性好，細線條操作安全,，易實現(xiàn)自動化,，無化學廢液，處理過程未引入污染,，潔凈度高,。缺點是：成本高，設備復雜,。干法刻蝕主要形式有純化學過程（如屏蔽式,，下游式，桶式）,，純物理過程（如離子銑）,，物理化學過程，常用的有反應離子刻蝕RIE,，離子束輔助自由基刻蝕ICP等,。干法刻蝕方式比較多，一般有：濺射與離子束銑蝕,，等離子刻蝕（PlasmaEtching）,，高壓等離子刻蝕，高密度等離子體（HDP）刻蝕,，反應離子刻蝕（RIE）,。另外，化學機械拋光CMP,，剝離技術等等也可看成是廣義刻蝕的一些技術,。上海干法刻蝕