理想情況下,，晶圓所有點(diǎn)的刻蝕速率都一致（均勻）,。晶圓不同點(diǎn)刻蝕速率不同的情況稱為非均勻性（或者稱為微負(fù)載），通常以百分比表示,。減少非均勻性和微負(fù)載是刻蝕的重要目標(biāo),。應(yīng)用材料公司一直以來(lái)不斷開(kāi)發(fā)具有成本效益的創(chuàng)新解決方案，來(lái)應(yīng)對(duì)不斷變化的蝕刻難題,。這些難題可能源自于器件尺寸的不斷縮小,；所用材料的變化（例如高k薄膜或多孔較低k介電薄膜）,；器件架構(gòu)多樣化（例如FinFET和三維NAND晶體管）；以及新的封裝方式（例如硅穿孔（TSV）技術(shù)）,。等離子刻蝕是將電磁能量（通常為射頻（RF））施加到含有化學(xué)反應(yīng)成分的氣體中實(shí)現(xiàn),。福州鎳刻蝕

早期的刻蝕技術(shù)為濕法刻蝕，是將刻蝕材料浸泡在腐蝕液中進(jìn)行腐蝕的技術(shù),。這個(gè)過(guò)程是純化學(xué)腐蝕的過(guò)程,。濕法刻蝕具有良好的選擇性,，例如實(shí)驗(yàn)室經(jīng)常采用磷酸來(lái)腐蝕鋁金屬化，而不會(huì)腐蝕金屬化層間的介質(zhì)層材料,；半導(dǎo)體制造過(guò)程中用調(diào)配后的氫氟酸（加入NH4F緩沖液）來(lái)腐蝕二氧化硅,，而不會(huì)對(duì)光刻膠造成過(guò)量的傷害。隨著半導(dǎo)體特征尺寸的不斷減小,，濕法刻蝕逐漸被一些干法刻蝕所替代,。其原因在于濕法刻蝕是各向同性的，橫向刻蝕的寬度接近于縱向刻蝕的深度,，因此會(huì)產(chǎn)生鉆蝕的現(xiàn)象,，因此在小尺寸的制程中，濕法刻蝕的精度控制非常困難,，并且可重復(fù)性差,。福建氮化硅材料刻蝕外協(xié)浸沒(méi)式光刻機(jī)將朝著更高數(shù)值孔徑發(fā)展，以滿足更小光刻線寬的要求,。

刻蝕可以分成有圖形刻蝕和無(wú)圖形刻蝕,。有圖形刻蝕采用掩蔽層（有圖形的光刻膠）來(lái)定義要刻蝕掉的表面材料區(qū)域，只有硅片上被選擇的這一部分在刻蝕過(guò)程中刻掉,。有圖形刻蝕可用來(lái)在硅片上制作多種不同的特征圖形,，包括柵、金屬互連線,、通孔,、接觸孔和溝槽。無(wú)圖形刻蝕,、反刻或剝離是在整個(gè)硅片沒(méi)有掩模的情況下進(jìn)行的,，這種刻蝕工藝用于剝離掩模層。反刻是在想要把某一層膜的總的厚度減小時(shí)采用的（如當(dāng)平坦化硅片表面時(shí)需要減小形貌特征）,。廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所,。同樣的刻蝕條件，針對(duì)不同的刻蝕暴露面積,，刻蝕的速率會(huì)有所不一樣,。

刻蝕，它是半導(dǎo)體制造工藝,，微電子IC制造工藝以及微納制造工藝中的一種相當(dāng)重要的步驟,。是與光刻相聯(lián)系的圖形化處理的一種主要工藝。所謂刻蝕,，實(shí)際上狹義理解就是光刻腐蝕,，先通過(guò)光刻將光刻膠進(jìn)行光刻曝光處理，然后通過(guò)其它方式實(shí)現(xiàn)腐蝕處理掉所需除去的部分,?？涛g是用化學(xué)或物理方法有選擇地從硅片表面去除不需要的材料的過(guò)程,，其基本目標(biāo)是在涂膠的硅片上正確地復(fù)制掩模圖形。隨著微制造工藝的發(fā)展,，真正意義上來(lái)講,，刻蝕成了通過(guò)溶液、反應(yīng)離子或其它機(jī)械方式來(lái)剝離,、去除材料的一種統(tǒng)稱,，成為微加工制造的一種普適叫法。按材料來(lái)分,，刻蝕主要分成3種：金屬刻蝕,、介質(zhì)刻蝕、和硅刻蝕,。

等離子刻蝕是將電磁能量施加到含有化學(xué)反應(yīng)成分（如氟或氯）的氣體中實(shí)現(xiàn),。等離子會(huì)釋放帶正電的離子來(lái)撞擊晶圓以去除（刻蝕）材料，并和活性自由基產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng),，與刻蝕的材料反應(yīng)形成揮發(fā)性或非揮發(fā)性的殘留物,。離子電荷會(huì)以垂直方向射入晶圓表面。這樣會(huì)形成近乎垂直的刻蝕形貌,，這種形貌是現(xiàn)今密集封裝芯片設(shè)計(jì)中制作細(xì)微特征所必需的,。一般而言，高蝕速率（在一定時(shí)間內(nèi)去除的材料量）都會(huì)受到歡迎,。反應(yīng)離子刻蝕（RIE）的目標(biāo)是在物理刻蝕和化學(xué)刻蝕之間達(dá)到較佳平衡,，使物理撞擊（刻蝕率）強(qiáng)度足以去除必要的材料，同時(shí)適當(dāng)?shù)幕瘜W(xué)反應(yīng)能形成易于排出的揮發(fā)性殘留物或在剩余物上形成保護(hù)性沉積,。采用磁場(chǎng)增強(qiáng)的RIE工藝,，通過(guò)增加離子密度而不增加離子能量（可能會(huì)損失晶圓）的方式，改進(jìn)了處理過(guò)程,。光刻噴嘴噴霧模式和硅片旋轉(zhuǎn)速度是實(shí)現(xiàn)硅片間溶解率和均勻性的可重復(fù)性的關(guān)鍵調(diào)節(jié)參數(shù),。深圳龍華刻蝕公司

在微細(xì)加工中，刻蝕和清洗處理過(guò)程包括許多內(nèi)容,。福州鎳刻蝕

材料的濕法化學(xué)刻蝕,，一般包括刻蝕劑到達(dá)材料表面和反應(yīng)產(chǎn)物離開(kāi)表面的傳輸過(guò)程，也包括表面本身的反應(yīng),。如果刻蝕劑的傳輸是限制加工的因素,，則這種反應(yīng)受擴(kuò)散的限制。吸附和解吸也影響濕法刻蝕的速率,，而且在整個(gè)加工過(guò)程中可能是一種限制因素。半導(dǎo)體技術(shù)中的許多刻蝕工藝是在相當(dāng)緩慢并受速率控制的情況下進(jìn)行的,，這是因?yàn)楦采w在表面上有一污染層,。因此,，刻蝕時(shí)受到反應(yīng)劑擴(kuò)散速率的限制。污染層厚度常有幾微米,，如果化學(xué)反應(yīng)有氣體逸出,，則此層就可能破裂。濕法刻蝕工藝常常有反應(yīng)物產(chǎn)生,，這種產(chǎn)物受溶液的溶解速率的限制,。為了使刻蝕速率提高，常常使溶液攪動(dòng),，因?yàn)閿噭?dòng)增強(qiáng)了外擴(kuò)散效應(yīng),。多晶和非晶材料的刻蝕是各向異性的。然而,，結(jié)晶材料的刻蝕可能是各向同性,，也可能是各向異性的，它取決于反應(yīng)動(dòng)力學(xué)的性質(zhì),。晶體材料的各向同性刻蝕常被稱作拋光刻蝕,，因?yàn)樗鼈儺a(chǎn)生平滑的表面。各向異性刻蝕通常能顯示晶面,，或者使晶體產(chǎn)生缺陷,。因此，可用于化學(xué)加工,，也可作為結(jié)晶刻蝕劑,。福州鎳刻蝕