理想情況下,，晶圓所有點(diǎn)的刻蝕速率都一致（均勻）,。晶圓不同點(diǎn)刻蝕速率不同的情況稱為非均勻性（或者稱為微負(fù)載）,，通常以百分比表示。減少非均勻性和微負(fù)載是刻蝕的重要目標(biāo)。應(yīng)用材料公司一直以來不斷開發(fā)具有成本效益的創(chuàng)新解決方案,，來應(yīng)對不斷變化的蝕刻難題,。這些難題可能源自于器件尺寸的不斷縮小,；所用材料的變化（例如高k薄膜或多孔較低k介電薄膜）,；器件架構(gòu)多樣化（例如FinFET和三維NAND晶體管）；以及新的封裝方式（例如硅穿孔（TSV）技術(shù)）,。等離子刻蝕是將電磁能量（通常為射頻（RF））施加到含有化學(xué)反應(yīng)成分的氣體中實(shí)現(xiàn),。福州鎳刻蝕

早期的刻蝕技術(shù)為濕法刻蝕，是將刻蝕材料浸泡在腐蝕液中進(jìn)行腐蝕的技術(shù),。這個過程是純化學(xué)腐蝕的過程,。濕法刻蝕具有良好的選擇性，例如實(shí)驗室經(jīng)常采用磷酸來腐蝕鋁金屬化,，而不會腐蝕金屬化層間的介質(zhì)層材料,；半導(dǎo)體制造過程中用調(diào)配后的氫氟酸（加入NH4F緩沖液）來腐蝕二氧化硅，而不會對光刻膠造成過量的傷害,。隨著半導(dǎo)體特征尺寸的不斷減小,，濕法刻蝕逐漸被一些干法刻蝕所替代。其原因在于濕法刻蝕是各向同性的,，橫向刻蝕的寬度接近于縱向刻蝕的深度,，因此會產(chǎn)生鉆蝕的現(xiàn)象，因此在小尺寸的制程中,，濕法刻蝕的精度控制非常困難,，并且可重復(fù)性差。福建氮化硅材料刻蝕外協(xié)浸沒式光刻機(jī)將朝著更高數(shù)值孔徑發(fā)展,，以滿足更小光刻線寬的要求,。

刻蝕可以分成有圖形刻蝕和無圖形刻蝕。有圖形刻蝕采用掩蔽層（有圖形的光刻膠）來定義要刻蝕掉的表面材料區(qū)域,，只有硅片上被選擇的這一部分在刻蝕過程中刻掉,。有圖形刻蝕可用來在硅片上制作多種不同的特征圖形，包括柵,、金屬互連線,、通孔、接觸孔和溝槽,。無圖形刻蝕,、反刻或剝離是在整個硅片沒有掩模的情況下進(jìn)行的，這種刻蝕工藝用于剝離掩模層,。反刻是在想要把某一層膜的總的厚度減小時采用的（如當(dāng)平坦化硅片表面時需要減小形貌特征）,。廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所,。同樣的刻蝕條件,，針對不同的刻蝕暴露面積,，刻蝕的速率會有所不一樣。

刻蝕,，它是半導(dǎo)體制造工藝,，微電子IC制造工藝以及微納制造工藝中的一種相當(dāng)重要的步驟。是與光刻相聯(lián)系的圖形化處理的一種主要工藝,。所謂刻蝕,，實(shí)際上狹義理解就是光刻腐蝕，先通過光刻將光刻膠進(jìn)行光刻曝光處理,，然后通過其它方式實(shí)現(xiàn)腐蝕處理掉所需除去的部分,。刻蝕是用化學(xué)或物理方法有選擇地從硅片表面去除不需要的材料的過程,，其基本目標(biāo)是在涂膠的硅片上正確地復(fù)制掩模圖形,。隨著微制造工藝的發(fā)展，真正意義上來講,，刻蝕成了通過溶液,、反應(yīng)離子或其它機(jī)械方式來剝離、去除材料的一種統(tǒng)稱,，成為微加工制造的一種普適叫法,。按材料來分，刻蝕主要分成3種：金屬刻蝕,、介質(zhì)刻蝕,、和硅刻蝕。

等離子刻蝕是將電磁能量施加到含有化學(xué)反應(yīng)成分（如氟或氯）的氣體中實(shí)現(xiàn),。等離子會釋放帶正電的離子來撞擊晶圓以去除（刻蝕）材料,，并和活性自由基產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)，與刻蝕的材料反應(yīng)形成揮發(fā)性或非揮發(fā)性的殘留物,。離子電荷會以垂直方向射入晶圓表面,。這樣會形成近乎垂直的刻蝕形貌，這種形貌是現(xiàn)今密集封裝芯片設(shè)計中制作細(xì)微特征所必需的,。一般而言,，高蝕速率（在一定時間內(nèi)去除的材料量）都會受到歡迎。反應(yīng)離子刻蝕（RIE）的目標(biāo)是在物理刻蝕和化學(xué)刻蝕之間達(dá)到較佳平衡,，使物理撞擊（刻蝕率）強(qiáng)度足以去除必要的材料,，同時適當(dāng)?shù)幕瘜W(xué)反應(yīng)能形成易于排出的揮發(fā)性殘留物或在剩余物上形成保護(hù)性沉積。采用磁場增強(qiáng)的RIE工藝,，通過增加離子密度而不增加離子能量（可能會損失晶圓）的方式,，改進(jìn)了處理過程,。光刻噴嘴噴霧模式和硅片旋轉(zhuǎn)速度是實(shí)現(xiàn)硅片間溶解率和均勻性的可重復(fù)性的關(guān)鍵調(diào)節(jié)參數(shù)。深圳龍華刻蝕公司

在微細(xì)加工中,，刻蝕和清洗處理過程包括許多內(nèi)容,。福州鎳刻蝕

材料的濕法化學(xué)刻蝕，一般包括刻蝕劑到達(dá)材料表面和反應(yīng)產(chǎn)物離開表面的傳輸過程,，也包括表面本身的反應(yīng),。如果刻蝕劑的傳輸是限制加工的因素，則這種反應(yīng)受擴(kuò)散的限制,。吸附和解吸也影響濕法刻蝕的速率,，而且在整個加工過程中可能是一種限制因素。半導(dǎo)體技術(shù)中的許多刻蝕工藝是在相當(dāng)緩慢并受速率控制的情況下進(jìn)行的,，這是因為覆蓋在表面上有一污染層,。因此，刻蝕時受到反應(yīng)劑擴(kuò)散速率的限制,。污染層厚度常有幾微米,，如果化學(xué)反應(yīng)有氣體逸出，則此層就可能破裂,。濕法刻蝕工藝常常有反應(yīng)物產(chǎn)生,，這種產(chǎn)物受溶液的溶解速率的限制。為了使刻蝕速率提高,，常常使溶液攪動,，因為攪動增強(qiáng)了外擴(kuò)散效應(yīng)。多晶和非晶材料的刻蝕是各向異性的,。然而,，結(jié)晶材料的刻蝕可能是各向同性，也可能是各向異性的,，它取決于反應(yīng)動力學(xué)的性質(zhì),。晶體材料的各向同性刻蝕常被稱作拋光刻蝕，因為它們產(chǎn)生平滑的表面,。各向異性刻蝕通常能顯示晶面,，或者使晶體產(chǎn)生缺陷。因此,，可用于化學(xué)加工,，也可作為結(jié)晶刻蝕劑。福州鎳刻蝕