真空鍍膜：隨著沉積方法和技術(shù)的提升,，物理的氣相沉積技術(shù)不僅可沉積金屬膜,、合金膜,、還可以沉積化合物,、陶瓷,、半導(dǎo)體,、聚合物膜等,。物理的氣相沉積技術(shù)早在20世紀(jì)初已有些應(yīng)用,，但30年迅速發(fā)展成為一門極具廣闊應(yīng)用前景的新技術(shù)，并向著環(huán)保型,、清潔型趨勢發(fā)展,。在鐘表行業(yè)，尤其是較好手表金屬外觀件的表面處理方面達(dá)到越來越為普遍的應(yīng)用,。物理的氣相沉積技術(shù)基本原理可分三個(gè)工藝步驟：鍍料的氣化：即使鍍料蒸發(fā),，升華或被濺射，也就是通過鍍料的氣化源,。鍍料原子,、分子或離子的遷移：由氣化源供出原子、分子或離子經(jīng)過碰撞后,，產(chǎn)生多種反應(yīng),。鍍料原子、分子或離子在基體上沉積,。真空鍍膜鍍層繞鍍能力強(qiáng),。石家莊真空鍍膜廠

磁控濺射的工作原理是指電子在外加電場的作用下，在飛向襯底過程中與氬原子發(fā)生碰撞,，使其電離產(chǎn)生出Ar正離子和新的電子,；新電子飛向襯底，Ar離子在電場作用下加速飛向陰極靶,，并以高能量轟擊靶表面,，使靶材發(fā)生濺射。在濺射粒子中,，中性的靶原子或分子沉積在基片上形成薄膜,，而產(chǎn)生的二次電子會(huì)受到電場和磁場作用，被束縛在靠近靶表面的等離子體區(qū)域內(nèi),，以近似擺線形式在靶表面做圓周運(yùn)動(dòng),，并且在該區(qū)域中電離出大量的Ar 來轟擊靶材，從而實(shí)現(xiàn)了高的沉積速率,。隨著碰撞次數(shù)的增加,，二次電子的能量消耗殆盡，逐漸遠(yuǎn)離靶表面,，并在電場的作用下沉積在襯底上,。由于該電子的能量很低，傳遞給襯底的能量很小,，致使襯底溫升較低,。鄭州真空鍍膜廠家真空鍍膜鍍的薄膜致密性好。

針對PVD制備薄膜應(yīng)力的解決辦法主要有：1.提高襯底溫度，有利于薄膜和襯底間原子擴(kuò)散,，并加速反應(yīng)過程,，有利于形成擴(kuò)散附著，降低內(nèi)應(yīng)力,；2.熱退火處理,，薄膜中存在的各種缺陷是產(chǎn)生本征應(yīng)力的主要原因，這些缺陷一般都是非平衡缺陷,，有自行消失的傾向,，但需要外界給予活化能。對薄膜進(jìn)行熱處理,，非平衡缺陷大量消失,，薄膜內(nèi)應(yīng)力降低,；3.添加亞層控制多層薄膜應(yīng)力,，利用應(yīng)變相消原理，在薄膜層之間再沉積一層薄膜,，控制工藝使其呈現(xiàn)與結(jié)構(gòu)薄膜相反的應(yīng)力狀態(tài),，緩解應(yīng)力帶來的破壞作用，整體上抵消內(nèi)部應(yīng)力

在二極濺射中增加一個(gè)平行于靶表面的封閉磁場,，借助于靶表面上形成的正交電磁場,，把二次電子束縛在靶表面特定區(qū)域來增強(qiáng)電離效率，增加離子密度和能量,，從而實(shí)現(xiàn)高速率濺射的過程,。隨著碰撞次數(shù)的增加，二次電子的能量消耗殆盡,，逐漸遠(yuǎn)離靶表面,，并在電場E的作用下沉積在基片上。由于該電子的能量很低,，傳遞給基片的能量很小,，致使基片溫升較低。磁控濺射是入射粒子和靶的碰撞過程,。入射粒子在靶中經(jīng)歷復(fù)雜的散射過程,，和靶原子碰撞，把部分動(dòng)量傳給靶原子,，此靶原子又和其他靶原子碰撞,，形成級(jí)聯(lián)過程。在這種級(jí)聯(lián)過程中某些表面附近的靶原子獲得向外運(yùn)動(dòng)的足夠動(dòng)量,，離開靶被濺射出來,。真空鍍膜過程可以實(shí)現(xiàn)連續(xù)化。

真空鍍膜的物理過程：PVD（物理的氣相沉積技術(shù)）的基本原理可分為三個(gè)工藝步驟：（1）金屬顆粒的氣化：即鍍料的蒸發(fā)、升華或被濺射從而形成氣化源（2）鍍料粒子（（原子,、分子或離子）的遷移：由氣化源供出原子,、分子或離子經(jīng)過碰撞，產(chǎn)生多種反應(yīng),。（3）鍍料粒子在基片表面的沉積,。熱蒸發(fā)主要是三個(gè)過程：1.蒸發(fā)材料從固態(tài)轉(zhuǎn)化為氣態(tài)的過程。2.氣化原子或分子在蒸發(fā)源與基底之間的運(yùn)輸 3.蒸發(fā)原子或分子在襯底表面上淀積過程,，即是蒸汽凝聚,、成核、核生長,、形成連續(xù)薄膜的過程,。真空鍍膜的鍍層質(zhì)量好。深圳真空鍍膜機(jī)

真空鍍膜中離子鍍清洗效果極好,，能使鍍層直接貼近基體,。石家莊真空鍍膜廠

磁控濺射的工作原理是指電子在電場E的作用下，在飛向基片過程中與氬原子發(fā)生碰撞,，使其電離產(chǎn)生出Ar正離子和新的電子,；新電子飛向基片，Ar離子在電場作用下加速飛向陰極靶,，并以高能量轟擊靶表面,，使靶材發(fā)生濺射。在濺射粒子中,，中性的靶原子或分子沉積在基片上形成薄膜,，而產(chǎn)生的二次電子會(huì)受到電場和磁場作用，產(chǎn)生E（電場）×B（磁場）所指的方向漂移,，簡稱E×B漂移,，其運(yùn)動(dòng)軌跡近似于一條擺線。若為環(huán)形磁場,，則電子就以近似擺線形式在靶表面做圓周運(yùn)動(dòng),，它們的運(yùn)動(dòng)路徑不僅很長，而且被束縛在靠近靶表面的等離子體區(qū)域內(nèi),，并且在該區(qū)域中電離出大量的Ar 來轟擊靶材,，從而實(shí)現(xiàn)了高的沉積速率。石家莊真空鍍膜廠